逆變器中場效應管發(fā)熱的原因有哪些? 逆變器中場效應管發(fā)熱的原因有以下幾個方面： 1. 導通電阻發(fā)熱：在工作過程中，場效應管處于導通狀態(tài)，電流會通過導體。根據(jù)歐姆定律，通過導體的電流與電阻成正比，因此
2024-03-06 15:17:20
185 通電導體周圍存在磁場和電流的磁效應是不同的。在本文中，我將詳細闡述這兩種磁效應的原理、特點和應用。 首先，讓我們從通電導體周圍存在磁場的磁效應開始討論。當電流通過一根導體時，比如一根直線導線，會形成
2024-02-26 09:30:39178 在各種傳感技術(shù)中，最常用和最廣泛的檢測磁場的方法是霍爾效應法。基于霍爾效應，在各種應用中發(fā)現(xiàn)了許多霍爾效應傳感器或換能器，它們最常用于感測接近度、速度、電流和位置。 這是因為可以在集成電路上構(gòu)建霍爾
2024-02-25 15:13:08127 
場效應晶體管是一種常用的半導體器件，用于控制電流的流動。
2024-02-22 18:16:54830 電動機原理是電流的磁效應嗎？ 是的，電動機原理與電流的磁效應密切相關(guān)。在電動機中，通過電流在磁場中產(chǎn)生的磁效應來實現(xiàn)機械能轉(zhuǎn)換為電能或者電能轉(zhuǎn)換為機械能的過程。 一般來說，電動機由電源、磁場與導體
2024-02-04 10:02:29356 加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓時導電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
如果在柵源之間加正向電壓，溝道電阻會越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
為使P
2024-01-30 11:51:42
1、結(jié)型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
在負反饋網(wǎng)絡(luò)沒有考慮到反饋支路的負載效應，只是認為反饋網(wǎng)絡(luò)是單向的，即沒有考慮到輸入經(jīng)反饋網(wǎng)絡(luò)到輸出的過程，如果考慮到反饋支路的負載效應，就必須重新分析反饋環(huán)節(jié)的影響。
1、請問如何判斷反饋支路
2024-01-26 09:58:01
不會有明顯的改變。此時三極管功率基本不變，電流達到飽和，電壓降也已經(jīng)是最小值。
場效應管以N增強型為例，其本質(zhì)是一個壓控電阻，通過控制柵源電壓控制漏源電阻，具有互導特性，輸出阻值的變化比上輸入電壓
2024-01-18 16:34:45
熱電效應是指當兩個不同材料的接觸處存在溫度差時，會產(chǎn)生電場或電勢差，從而引起電荷的移動和電流的產(chǎn)生。熱電效應的研究對于熱電材料的開發(fā)和熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)的應用有著重要的意義。 熱電效應可以分為三種
2024-01-18 11:43:15646 電流熱效應是指電流通過導體時，導體會受到Joule熱的加熱現(xiàn)象。根據(jù)電阻的熱效應，電器的功率會因為電流熱效應而變大。 首先，我們需要了解電流熱效應的原理。當電流通過導體時，導體內(nèi)部的自由電子會受
2024-01-16 10:43:48208 利用電流熱效應工作的電器是指那些根據(jù)電流通過導體產(chǎn)生的熱量來實現(xiàn)其功能的電器。電流熱效應是指當電流通過導體時，由于導體的電阻，電能會被轉(zhuǎn)化為熱能，導致導體溫度升高。這種熱能轉(zhuǎn)化的現(xiàn)象廣泛應用于各種
2024-01-16 10:41:10224 舉例而言，一個結(jié)型場效應管，采用自偏置結(jié)構(gòu)，即柵極和源極短接在一起源極也有一個電阻，在電源和漏極接一個負載，此時場效應管可以看做是一個互導放大器，壓控電流源，請問此時這種電路的輸入輸出電阻應該怎么求
2024-01-15 18:06:15
請問在這個電流輸入信號的電路下，左下的電流驅(qū)動場效應管的小電路是什么原理和作用，在輸入電流0-20毫安的過程中他的開通關(guān)斷程度是怎么樣的？在輸入電流信號的前提下，上面這個電壓信號輸入電路有沒有
2024-01-13 13:26:43
微波爐的工作原理并非通過電流的熱效應實現(xiàn)，而是利用了微波的特殊性質(zhì)以及分子的共振吸收來加熱食物的。 微波爐是一種利用高頻無線電波的設(shè)備，它的工作原理基于電磁輻射和分子的轉(zhuǎn)動和共振吸收。微波爐主要
2024-01-12 17:51:34391 場效應管和IGBT的驅(qū)動經(jīng)常聽到米勒效應這個詞，查閱了一些資料是柵極和漏極之間的等效電容，這個等效電容在場效應管或者IGBT開通的時候在某一階段會放大較多倍，進而導致驅(qū)動電路需要提供的電壓電流增多
2024-01-11 16:47:48
霍爾效應公式的推導過程可以從電磁力的角度出發(fā)。首先我們先了解一下霍爾效應的基本原理。 霍爾效應是指當電流通過一定材料時，垂直于電流方向的磁場會產(chǎn)生一種電勢差。這個電勢差稱為霍爾電壓，它與電流
2024-01-10 17:51:09515 的電流實際值，裝置本身的采集計算途徑是什么？請教：
請問6RA70電樞電流調(diào)節(jié)器給定值r20與r19正常的關(guān)系應該是什么樣的？r20穩(wěn)定而r19跳動大有哪些因素可以造成！我想采用排除法逐一排除一下！
2023-12-29 07:17:34
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽w的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 SGN19C320I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C320I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-25 11:44:59
SGN19C160I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C160I2D提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于50V操作的高功率L波段放大器的寬帶寬，以及給你更高的增益。此
2023-12-22 15:57:02
SGN19C210I2D型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19C210I2D 提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和寬頻帶50V操作，并為您提供更高的增益。此新產(chǎn)品非常
2023-12-22 15:49:08
控制電流的流動。場效應管的結(jié)構(gòu)主要由柵極、源極和漏極組成，柵極和源極之間通過絕緣層隔離，源極和漏極之間通過導電層連接。場效應管根據(jù)絕緣層的材料和摻雜方式可分為MOSFET和JFET兩種。 MOSFET是一種絕緣層采用氧化物的場效應管
2023-12-21 11:27:16431 SGN19H240M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H240M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:12:57
SGN19H181M1H型號簡介Sumitomo的GaN HEMT SGN19H181M1H為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬，并為您提供更高的增益。此
2023-12-20 19:06:21
光伏儲能逆變器孤島效應實驗如何做及實驗步驟講解 防孤島效應 1、技術(shù)要求：光伏系統(tǒng)并網(wǎng)技術(shù)要求 若并網(wǎng)逆變器并入的電網(wǎng)供電中斷，逆變器應在2s內(nèi)停止向電網(wǎng)供電。 2、測量儀表 TAC-RLC防孤島
2023-12-20 08:59:16274 
PCB線路板知識來襲，今日講解羅杰斯pcb組裝
2023-12-19 10:03:42574 、原理、應用以及磁阻效應的形成機制等方面進行詳盡、詳實、細致的闡述。 首先，為了更好地理解霍爾效應的磁阻效應，我們需要了解霍爾效應的基本原理。簡單來說，當一個導電材料中有電流通過時，所有帶正電荷的載流子（如正
2023-12-18 14:49:00478 電路板的電流放大效應是指在電路板中，由于不同部分的電阻和電容參數(shù)不同，導致電流在電路板中傳輸時受到放大的現(xiàn)象。
2023-12-15 18:21:29448 電磁繼電器（Electromagnetic Relay）是一種基于電流的磁效應工作的電子開關(guān)裝置，廣泛應用于各種電氣控制系統(tǒng)中。它由一個電磁線圈和一對可移動觸點組成，當線圈電流通過時，產(chǎn)生的磁場
2023-12-15 15:43:58366 報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
場效應晶體管柵極電流是多大 場效應晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動速度以及較低的電阻
2023-12-07 17:27:20337 霍爾電流傳感器的測量原理是什么？ 霍爾電流傳感器是一種常用于測量電流的傳感器，它利用霍爾效應來實現(xiàn)電流的測量?；魻?b class="flag-6" style="color: red">效應是指當導體通過一定磁場時，電流在垂直于磁場和電流方向的方向上產(chǎn)生一個電壓
2023-12-07 11:25:52703 利用 HEMT 和 PHEMT 改善無線通信電路中的增益、速度和噪聲
2023-12-07 09:53:20217 開關(guān)模式下的電源電流如何檢測？這12個電路&10個知識點講明白了
2023-12-06 16:04:17256 
設(shè)計的電源采用 TL084 型四路運算放大器，旨在將 0–5 V 范圍內(nèi)的輸入信號轉(zhuǎn)換為相應的 0–20 mA 電流。 TL084 四路運算放大器專門設(shè)計為低功耗、高阻抗 JFET 輸入
2023-12-04 15:22:41386 
對nA級電流測量，如何選擇運放。請專家講解一下之間的關(guān)系，有沒有相關(guān)資料。
2023-11-24 06:52:42
電勢差。這種電勢差可以通過外接電路來獲取電流，從而實現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換。 壓電效應在很多領(lǐng)域中都有重要的應用。以下是一些常見的應用示例： 1. 壓電傳感器：壓電材料可以用于制作壓力傳感器、加速度傳感器、壓力開關(guān)等。這些傳
2023-11-23 11:00:301376 場效應管是一種半導體器件，它可以用來放大或者控制電流 。根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同，場效應管可以分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOSFET）。其中，JFET是由一個pn結(jié)構(gòu)組成，而MOSFET
2023-11-17 16:29:521230 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SPI協(xié)議知識講解.ppt》資料免費下載
2023-11-16 10:41:50
2 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學家峰會上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應用的850V Cynthus?系列硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延產(chǎn)品。行業(yè)客戶、知名投資機構(gòu)爭相了解合作。
2023-11-14 10:32:08383 
趨膚效應也叫集膚效應，導線通入交流電或者交變磁場時，電流在導線橫截面上的分布是不均勻的
2023-11-01 10:23:38291 
開關(guān)模式下的電源電流如何檢測？這12個電路&10個知識點講明白了
2023-10-17 16:09:06389 
其 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎。 ? ? CGD 的 ICeGaN 已使用臺積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進行大批量
2023-10-10 17:12:15199 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應用于電子設(shè)備中的半導體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應晶體管的工作原理是基于電場效應，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導通狀態(tài)。
2023-09-28 17:10:46799 在半導體器件的講解中，場效應晶體管應該說最值得拿來詳細介紹一番的。
2023-09-28 09:31:04946 
在電動汽車(EV)充電系統(tǒng)和光伏逆變器系統(tǒng)中，電流傳感器通過監(jiān)測分流電阻器上的壓降或?qū)w中電流產(chǎn)生的磁場來測量電流。這些高壓系統(tǒng)使用電流信息控制和監(jiān)測電源轉(zhuǎn)換、充電和放電。在之前雖然霍爾效應電流
2023-09-27 15:38:02413 
我們都知道，載流導線會產(chǎn)生磁場，磁場方向可以用右手定則來判斷，即右手大拇指伸直指向電流方向，四指環(huán)繞方向即磁場方向，且距離導線越近，磁場強度也越強。
2023-09-22 12:32:49721 
之前的文章已經(jīng)討論了單根孤立導線在通過高頻電流時，導線內(nèi)部的磁場對電流的影響（集膚效應）。高頻時，導線外部磁場與直流或低頻磁場一樣，由導線表面向徑向方向輻射開來。電流在外表面流通，電流密度從導線表面向中心軸線逐漸減少。
2023-09-21 16:50:501022 
為什么只有共源級有密勒效應，而共柵級、共漏級沒有密勒效應？ 密勒效應是指在半導體器件中，頻率越高時電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導體器件電容的存在而導致的，而這個電容主要是空乏區(qū)電容和晶體管
2023-09-21 15:55:43717 M. Miller提出的。但是，它們之間卻沒有必然聯(lián)系。共漏級沒有密勒效應并不是什么奇怪的現(xiàn)象，這個問題需要從共漏級電路本身和密勒效應兩個角度去分析。 首先，我們需要先了解一下共漏級電路的基本原理。共漏級是晶體管的三種基本放大電路，它具有電流放大和電壓反相的特點。在共漏級電路中，
2023-09-20 17:41:37345 結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管的區(qū)別是什么？? 場效應管是一種半導體器件，利用半導體中電荷分布的特性控制電流的流動。常見的場效應管有結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管，它們雖然在功能上有相似之處，但在
2023-09-18 18:20:512223 諸多應用難點，極高的開關(guān)速度容易引發(fā)振蕩，過電流和過電壓導致器件在高電壓場合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的開通門限電壓和極限柵源電壓均明顯低于 MOS鄄FET，在橋式拓撲的應用中容易發(fā)生誤
2023-09-18 07:27:50
的趨膚效應。 交流電流趨膚效應的產(chǎn)生可以用下圖加以解釋。 上圖是一個放大的圓形導線截面，可以想象它是由許多截面相同的“細導線”扎在一起而組成。當交流電流通過導線時，由于對稱的關(guān)系，磁力線在導線內(nèi)外都是一些同心
2023-09-15 10:58:37682 
和細節(jié)都可以參考。
內(nèi)容充實
基于Linux，講解了其涉及低功耗各個框架模塊的設(shè)計和實現(xiàn)，后面的擴展知識點，低功耗問題定位及優(yōu)化思路都是干貨內(nèi)容，都是工程實踐相關(guān)的內(nèi)容，內(nèi)容比較充實。
從目錄也可以看出
2023-09-08 23:38:15
場效應管MOSFET是mos管嗎？場效應管mos管的區(qū)別？場效應管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應管（FET）都屬于半導體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:152542 場效應管的原理與作用 場效應管在電路中起什么作用？? 場效應管，也被稱為晶體管，是一種重要的電子元件。它由一個半導體材料制成，可以調(diào)節(jié)電流的流動，被廣泛應用于電路的放大和開關(guān)控制。 場效應
2023-09-02 11:31:132856 在上一節(jié)計算光學小講堂中，我們學習了光源掩模協(xié)同優(yōu)化（source mask co-optimization, SMO）的相關(guān)知識。這一節(jié)我們將主要探索光學鄰近效應修正（Optical Proximity Correction，OPC）技術(shù)是如何用來提升光刻工藝窗口，為芯片生產(chǎn)保駕護航的。
2023-09-01 09:48:442297 
場效應管常用驅(qū)動芯片有哪些？ 場效應管（FET）是一種可以控制電流的半導體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應用廣泛的一種器件。在這種器件中，輸入電壓可以控制輸出電流的大小，因此可以應用在很多電子電路中。而為
2023-08-25 15:47:392610 CH704是出廠編程的霍爾效應線性電流傳感器。通過主側(cè)電流路徑流過的電流引起內(nèi)置霍爾片上的相應磁場。
2023-08-24 15:42:04440 
結(jié)型場效應管柵極反偏但仍有電流，MOS場效應管柵極絕緣，沒有電流。
2023-08-17 09:19:34616 
前面講解了時序約束的理論知識FPGA時序約束理論篇，本章講解時序約束實際使用。
2023-08-14 18:22:14842 
電路基礎(chǔ)知識講解，電路基礎(chǔ)知識總結(jié)；真的很全！ 還包括電路基本元件知識與電路元件的伏安特性和功率特性。
2023-07-31 11:56:192509 
場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。
2023-07-28 10:06:295255 
電流互感器的主要作用:把大電流按一定 比例變?yōu)樾?b class="flag-6" style="color: red">電流,提供給各種儀表、繼電保護及自動裝置用，并將二次系統(tǒng)與高電壓隔離。電流互感器的二次側(cè)額定電流為1A或5A,
這不僅保證了人身和設(shè)備的安全，也使儀,表和繼電器的制造簡單化、標準化，
降低了成本，提高了經(jīng)濟效益。
2023-07-25 09:27:56605 
通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個難題：驅(qū)動電壓低，容易誤啟動；柵極耐電壓低，柵極容易損耗，因此需要專門的驅(qū)動器，不僅增加了設(shè)計復雜度，也額外增加了系統(tǒng)成本。
2023-07-23 15:08:36442 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ATF-541M4低噪聲增強模式偽HEMT微型無引線封裝產(chǎn)品簡介.pdf》資料免費下載
2023-07-20 10:17:430 FET電流源是一種有源電路，它使用場效應晶體管為電路提供恒定量的電流。但是，為什么還要恒定電流呢？恒流源和吸電流（吸電流與電流源相反）是一種非常簡單的方法，只需使用單個FET和電阻即可形成具有恒定電流值的偏置電路或基準電壓源，例如100uA、1mA或20mA。
2023-07-17 15:52:502155 
8V19N490-19 數(shù)據(jù)表
2023-07-07 20:21:500 EMC基礎(chǔ)知識分享
2023-06-30 15:37:388 下文總結(jié)了電路基礎(chǔ)知識點。
2023-06-27 17:12:371031 
襯底材料和GaN之間純在較大的晶格失配和熱失配，外延層中往往存在大量的缺陷，使得HEMT器件中存在較強電流崩塌效應，影響器件的性能發(fā)揮。
2023-06-14 14:00:551652 
場效應晶體管（FET）是利用電場效應來控制晶體管電流的半導體器件，因此叫場效應管。它是一種用輸入電壓控制型的半導體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應管和金屬-氧化物-半導體場效應管（又叫絕緣柵型場效應管）。
2023-06-10 09:27:33411 
場效應管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。
2023-06-08 09:20:14430 
傳統(tǒng)燃油汽車中應用的電流傳感器有霍爾效應（Hall Effect）電流傳感器、磁通門（Flux Gate） 電流傳感器、穿隧磁阻效應（TMR）電流傳感器。
2023-06-06 08:45:24746 
C語言是單片機開發(fā)中的必備基礎(chǔ)知識，這里就列舉部分STM32學習中會遇見的C 語言基礎(chǔ)知識點。 01? ? 位操作 ? 下面我們先講解幾種位操作符，然后講解位操作使用技巧。C語言支持如下6中位操作
2023-05-31 09:07:50628 
場效應晶體管（FET）是利用電場效應來控制晶體管電流的半導體器件，因此叫場效應管。它是一種用輸入電壓控制型的半導體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應管和金屬-氧化物-半導體場效應管（又叫絕緣柵型場效應管）。
2023-05-26 11:42:17722 
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應用于大功率和高頻電子設(shè)備。
2023-05-25 15:14:061218 
電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應和環(huán)境條件之間存在復雜的依賴關(guān)系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2023-05-24 09:40:011374 
這些優(yōu)勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導致的TWT放大器固有的使用壽命相對較短的限制，長時間存儲后開啟時TWT損壞的風險，以及由于管中的所有組件都是潛在的單點硬故障，因此平均故障間隔時間（MTBF）較低。
2023-05-24 09:37:07892 
交變電流通過導線時，電流在導線橫截面上的分布是不均勻的，導體表面的電流密度大于中心的密度，且交變電流的頻率越高，這種趨勢越明顯，該現(xiàn)象稱為趨膚效應(skin effiect)，趨膚效應也稱集膚效應。
2023-05-19 09:31:352963 
場效應管是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，又稱單極型晶體管。
2023-05-16 15:24:34847 BOSHIDA電源模塊 電源基礎(chǔ)知識講解 系統(tǒng)負載 系統(tǒng)負載要求，這是對電源設(shè)計者提出的最大挑戰(zhàn)，同時也是開始設(shè)計一個電源之前必須弄明白的事情。隨著大量激增的用電系統(tǒng)，本質(zhì)上是沒有標準的用電需求
2023-04-25 09:09:40198 電路硬件設(shè)計基礎(chǔ)知識
一、硬件電路設(shè)計原理
硬件電路設(shè)計主要分三個步驟：
1、設(shè)計電路原理圖
2、生成網(wǎng)絡(luò)表
3、設(shè)計印刷電路板
在進行原理圖設(shè)計的時候，就是將一個個
2023-04-24 11:18:27
。在連接器行業(yè)上LVDS插座分類和LVDS插座規(guī)格都是有很多種類型的，但是大致的作用都是差不多一樣的，下面由燦科盟小編講解LVDS連接器的一些行業(yè)知識。
2023-04-17 10:16:44494 
霍爾效應感應電流怎么判斷？用什么定則呢？
2023-04-13 10:55:49
電路硬件設(shè)計基礎(chǔ)知識 一、硬件電路設(shè)計原理 硬件電路設(shè)計主要分三個步驟： 1、設(shè)計電路原理圖 2、生成網(wǎng)絡(luò)表 3、設(shè)計印刷電路板 在進行原理圖設(shè)計的時候，就是將一個個元器件按照一定
2023-04-11 16:01:54
霍爾效應在應用技術(shù)中特別重要。如果對位于磁場(B)中的導體(d)施加一個電流(Iv)，該磁場的方向垂直于所施加電壓的方向，那么則在既與磁場垂直又和所施加電流方向垂直的方向上會產(chǎn)生另一個電壓(UH)，人們將這個電壓叫做霍爾電壓，產(chǎn)生這種現(xiàn)象被稱為霍爾效應。
2023-04-08 10:33:543181 、GRE VPN 技術(shù)原理詳細講解3、OSPF理論知識詳細講解4、VRRP 技術(shù)原理詳細講解5、交換機工作原理詳細講解6、路由器工作原理詳細介紹
2023-04-07 11:59:58
閂鎖(Lanch-up)效應，一般我們也可以稱之為擎住效應，是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導致的電流不可控現(xiàn)象，當然，閂鎖效應更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實際工作中我們可能很少聽到一種失效率，閂鎖失效，今天我們就來聊一聊什么是閂鎖效應。
2023-04-06 17:32:551088 
如何解決PCB制造中的HDI工藝內(nèi)層漲縮對位問題呢？
2023-04-06 15:45:50
怎樣理解電動機運行電流不得大于正負百分之五的額定電流呢？
2023-03-31 16:31:00
模式：信號回路產(chǎn)生的磁場與電纜及金屬外殼或印制板地等產(chǎn)生的共模電流是磁耦合驅(qū)動共模共模電流輻射的基本驅(qū)動模式?！ 《柏i尾巴”效應是電流驅(qū)動模式下的共模輻射，而該現(xiàn)象在日常使用中很常見。本文以一篇實例
2023-03-29 11:54:10
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