業(yè)界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體和驅(qū)動IC等業(yè)務的電動動力傳動系統(tǒng)部高級總監(jiān)Mark Muenzer介紹了對GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:05
1598 。 納微半導體于2014年成立，并憑借其面向消費級市場的高集成度的GaN功率芯片產(chǎn)品在市場上快速建立起知名度。由于基于GaN功率器件的前景可期，此前已吸引許多公司進入這個市場，EPC、GaN系統(tǒng)、英飛凌、松下和Transphorm，（包括中國的英諾賽科）已經(jīng)實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，Dialog、恩智浦、安
2019-03-01 17:43:535933 近年來，電動汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展，對功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達到其自身的材料性能極限，氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體
2022-08-22 09:44:013651 作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢。
2023-12-07 09:44:52777 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 09:21:001800 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）GaN功率器件的價格在近年持續(xù)下跌，部分650V、150V規(guī)格的GaN器件價格已經(jīng)與同規(guī)格的硅基器件相近，并且高頻性能更強，效率更高。在GaN的成本優(yōu)勢之下，帶動
2023-10-14 00:07:001549 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購，這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:001758 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:001844 功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
集成電路故障機制的指南。盡管AEC為汽車，國防和航空航天應用提供了指南，但它未能解決正在逐漸轉(zhuǎn)向GaN功率器件（例如通信基站）的開發(fā)技術(shù)。什么是GaN HEMT？GaN HEMT是場效應晶體管（FET），其
2020-09-23 10:46:20
、高速驅(qū)動和保護機制的功率級器件LMG3410R070（圖2），這款產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)首款600V GaN集成功率級器件，采用的是8mm X 8mm QFN封裝的多芯片模塊（MCM），方便工程師方案設(shè)計。導
2019-07-16 00:27:49
GaN功率集成電路技術(shù):過去，現(xiàn)在和未來
2023-06-21 07:19:58
地被開發(fā)出來。GaN器件的低導通內(nèi)阻、低寄生電容和高開關(guān)速度等特性，使得對應的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率，更高的功率密度，同時因為更少的反饋需求所帶來的非線性失真度將更低，由此Class
2023-06-25 15:59:21
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
（MOSFET）是在20世紀70年代末開發(fā)的，但直到20世紀90年代初，JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術(shù)的采用，但標準無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
為什么
GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，
GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻
器件的材料適合性優(yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻
器件材料
技術(shù)上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在電源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進一步突破了對常規(guī)功率密度預期的限值?；跀?shù)十年電源測試方面的專業(yè)知識，TI已經(jīng)對GaN進行了超百萬小時的加速測試，并且建立了一個能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數(shù)：應用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數(shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關(guān) v 和半橋 vi 格式推出，如圖 2 所示。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch
2021-07-06 09:38:20
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
元件來適應略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進的關(guān)鍵驅(qū)動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
GaN 應用到移動電話首款GaN 應用是針對大功率軍事使用開發(fā)的，例如雷達或反IED 干擾機，然后逐漸擴展至商用基站和有線電視轉(zhuǎn)播機。這些應用的典型工作電壓范圍為28 至48 V。但是，手持式設(shè)備的平均
2017-07-28 19:38:38
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
，但經(jīng)過多年的研究、實際驗證和 可靠性測試，GaN定會成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料的工作溫度和電壓下，對GaN裝置進行了2000萬小時的加速可靠性測試。在此測試時間內(nèi)，遠程
2019-03-01 09:52:45
作為一項相對較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導體技術(shù)不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比
2019-07-12 12:56:17
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
數(shù)據(jù)中心應用服務器電源管理的直接轉(zhuǎn)換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅(qū)動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術(shù)的效率和快速切換中受益?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
650V的MOSFET。根據(jù)應用程序的要求，開發(fā)人員可以針對最高效率，最大功率密度或兩者之間的折衷?！ ∮捎谄洹?反向恢復”行為，GaN晶體管使得一些拓撲實際上可用，例如圖騰柱PFC，其需要比傳統(tǒng)
2023-02-27 15:53:50
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
。在這次活動中，劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術(shù)，以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術(shù)基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管，具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
器件的市場營收預計將達到13億美元，約占3W以上的RF 功率市場的45%。2015-2025年射頻功率市場不同技術(shù)路線的份額占比資料來源：YOLE境外GaN射頻器件產(chǎn)業(yè)鏈重點公司及產(chǎn)品進展：目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
本帖最后由 傲壹電子 于 2017-6-16 10:38 編輯
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅
2017-06-16 10:37:22
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關(guān)斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設(shè)計與技術(shù)
2018-12-07 10:16:11
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計以大致的起點開始并運用大量
2018-08-04 14:55:07
，如圖5和圖6所示。圖5和圖6將新一代基于C6技術(shù)的650V CFD2器件與英飛凌前代基于C3技術(shù)的600V CFD進行對比。 圖5Qrr 與通態(tài)電阻關(guān)系，測量條件為25°C 。將80 m?、310 m
2018-12-03 13:43:55
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）和松下電器公司（TSE代碼：6752）宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式（增強型）硅基板氮化鎵（GaN）晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼（SMD）封裝的GaN器件。
2015-03-20 14:08:391729 Infineon（英飛凌）V2X技術(shù)開發(fā)平臺
2017-03-10 14:23:01
56 EiceDRIVER。籍此我們梳理了一下GaN功率器件在全球市場、產(chǎn)品應用和技術(shù)特性方面的信息，以及英飛凌相關(guān)業(yè)務和此次量產(chǎn)產(chǎn)品的細節(jié)。
2018-12-06 18:06:214652 “GaN功率器件正在迅速確立其在電力電子領(lǐng)域的地位。從我們的合作可以看出GaN在電力電子產(chǎn)品領(lǐng)域是多么重要。此次能夠與業(yè)界知名的技術(shù)開發(fā)領(lǐng)軍企業(yè)羅姆共筑合作體制，我感到非常高興。通過兩家公司專業(yè)知識
2019-08-22 08:49:473472 目前世界范圍內(nèi)圍繞著GaN功率電子器件的研發(fā)工作主要分為兩大技術(shù)路線，一是在自支撐Ga N襯底上制作垂直導通型器件的技術(shù)路線，另一是在Si襯底上制作平面導通型器件的技術(shù)路線。
2019-08-01 15:00:037275 
前不久，Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd（HZZH）就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發(fā)出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:163692 傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關(guān)，通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當今，大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關(guān)損耗，但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 
TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:3510 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業(yè)界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術(shù)及其自身獨特的設(shè)計和封裝專業(yè)知識
2022-08-03 10:44:57641 
。與此同時，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點）和
2022-08-04 11:17:55587 
650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有更低的導通電阻 （R on ），并且 GaN
2022-08-05 08:04:511048 
LP88G24DCD內(nèi)置650V級聯(lián)型結(jié)構(gòu)的GaN功率器件，采用QFN8*8封裝，進一步減小芯片占板面積，底部采用一體化銅基板設(shè)計，具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 09:41:12628 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）從消費電子電源類產(chǎn)品開始，GaN拉開了巨大市場發(fā)展空間的序幕，并逐漸往數(shù)據(jù)中心、汽車OBC甚至主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域滲透。主流應用的650V GaN HEMT在充電頭、以及
2022-12-13 07:10:04656 GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11425 電動汽車中的 GaN 還處于早期階段。許多功率 GaN 廠商已經(jīng)開發(fā)并通過汽車認證 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的車載充電器和 DC/DC 轉(zhuǎn)換，并且已經(jīng)與汽車企業(yè)建立了無數(shù)合作伙伴關(guān)系。
2023-01-06 11:11:34459 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)
2023-05-18 16:34:23464 功率晶體管與標準門極驅(qū)動器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無需額外添加自由輪二極管，簡化了系統(tǒng)設(shè)計。 低開關(guān)損耗：采用先進的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34688 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發(fā)射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標準的工業(yè)應用。
2023-08-16 23:36:51686 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17968 
GaN因其特性，作為高性能功率半導體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:25659 
交割日，GaN Systems現(xiàn)已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術(shù)為支持脫碳的更節(jié)能、更節(jié)能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線圖，并通過掌握所有相關(guān)功率半導體技術(shù)，進一步加強了英飛凌在電源系統(tǒng)
2023-10-25 14:51:13479 隨著半導體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
近期，英飛凌科技公司宣布與安克創(chuàng)新和盛弘電氣兩大知名廠商達成合作，共同推動SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）技術(shù)在各領(lǐng)域的應用。這些合作將進一步提升功率半導體器件的效率和性能，為行業(yè)帶來更多的創(chuàng)新和價值。
2024-02-02 15:06:34304 近日，全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布，其650V GaN器件（EcoGaN?）已被臺達電子（Delta Electronics, Inc.，以下簡稱
2024-03-12 10:42:46123 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400 
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