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大廠聯(lián)手推進,GaN邁進OBC和48V系統(tǒng)

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2023-10-14 00:07 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)GaN功率器件的價格在近年持續(xù)下跌,部分650V、150V規(guī)格的GaN器件價格已經(jīng)與同規(guī)格的硅基器件相近,并且高頻性能更強,效率更高。在GaN的成本優(yōu)勢之下,帶動了GaN繼續(xù)拓展消費類電源外的市場領(lǐng)域。

GaN進軍汽車應用亟待突破

GaN上車其實在幾年前就成為了行業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)的主要目標之一。2021年納微半導體預測,一輛電動車中,潛在能夠應用到GaN的部件的市場機會超過250美元,到了2025年,電動汽車中,GaN功率芯片市場機會總值每年將有望超過25億美元。

2021年第四季度,納微半導體就在上海設(shè)立了第一個面向全球的電動汽車相關(guān)應用產(chǎn)品研發(fā)中心

2020年英諾賽科的100V低壓GaN就已經(jīng)成功導入禾賽激光雷達并實現(xiàn)量產(chǎn)。2021年4月,英諾賽科GaN功率產(chǎn)品進入兩輪電動車市場,應用于充電模塊中。去年英諾賽科推出INN100W08和INN100W14兩款應用在汽車激光雷達上的GaN器件,成功進入汽車激光雷達市場。

聞泰旗下安世半導體早在2020年推出了車規(guī)級GaN FET,并與聯(lián)合汽車電子、VisIC、京瓷等汽車零部件供應商合作,開發(fā)用于電動汽車的GaN功率模塊等產(chǎn)品。

不過,與目前已經(jīng)大規(guī)模被應用到中高端電動汽車中的SiC不同,GaN目前來看在汽車上的應用主要還是在于座艙內(nèi)無線/有線快充、激光雷達等領(lǐng)域,還未涉及到車載動力以及充電方面的部件。

在各大GaN廠商的規(guī)劃中,GaN將會在400V平臺的車型上被應用到主驅(qū)逆變器、DC-DC、OBC等各個方面。包括早在2020年GaN Systems就展示了一款全GaN汽車,幾乎所有功率器件都采用了GaN,證明GaN在汽車功率轉(zhuǎn)換方面應用的可行性。寶馬也在2021年宣布與GaN Systems合作,就寶馬高性能車載標準的GaN功率半導體簽署了全面的產(chǎn)能協(xié)議,當時合作金額達1億美元。

但也有一些業(yè)內(nèi)人士認為,主機廠在主驅(qū)、OBC上應用GaN產(chǎn)品的意愿不太強烈。相比之下,GaN在充電樁、光伏等市場的發(fā)展確定性會更高。從目前市面上的電動汽車產(chǎn)品來看,也確實還未有主驅(qū)、OBC等應用GaN的先例。

GaN開始邁進汽車動力系統(tǒng)

GaN要進入到電動汽車主驅(qū)等關(guān)鍵動力系統(tǒng)中并不容易,前面提到主機廠在主驅(qū)、OBC上應用GaN產(chǎn)品的意愿不太強烈,其中原因大概有兩點:

一是在性能上,汽車主驅(qū)或者OBC等高壓應用中GaN的性能相比碳化硅是有差距的,而成本上GaN又不及硅基器件,車企從性能和成本兩個方面都沒有太大的驅(qū)動力去使用GaN;二是GaN沒有在新能源汽車高壓電路中大規(guī)模應用的案例,車企往往不愿意冒這個風險,特別是在涉及到汽車運行安全的主驅(qū)中。

不過,隨著GaN在消費領(lǐng)域的體量增加,成本逐步接近硅基功率器件,那么接下來在汽車領(lǐng)域,采用GaN的部件成本可能也將很快接近同類的車規(guī)硅基功率器件。

今年以來,各大GaN廠商也開始逐步邁進汽車OBC、48V系統(tǒng)、主驅(qū)逆變器等核心領(lǐng)域。

英諾賽科今年進一步將GaN器件導入到汽車OBC、以及48V輕混系統(tǒng)中,近期還發(fā)布了一款采用16顆 InnoGaN器件的2.4kW buck/boost 方案,為輕混汽車48V系統(tǒng)提供基于GaN的先進解決方案,與當前的Si解決方案相比,Buck滿載效率(2400W)提升1.8%,整機損耗減小41%。

GaN Systems今年8月宣布和上海安世博能源科技達成合作,將聚焦于優(yōu)化電動車效率及功率密度的拓撲優(yōu)化、先進集成電源模塊設(shè)計及高頻率磁性組件的研發(fā)上。合作覆蓋6.6kW 及 11kW 的OBC產(chǎn)品。

采埃孚日本子公司ZF Japan在早前宣布將在2028年后推出GaN和GaO功率器件的電動汽車逆變器。

意法半導體也在近期宣布開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計的增強模式PowerGaN HEMT器件,同時今年內(nèi)還將會推出新款的車規(guī)GaN器件,其中還包括更大功率的封裝形式,包括PowerFLAT 8x8 DSC和LFPAK 12x12大功率封裝,或有望能在電動汽車高壓系統(tǒng)中應用。

泰科技在近期接受調(diào)研中表示,公司旗下安世半導體GaN量產(chǎn)產(chǎn)品主要是在工業(yè)領(lǐng)域應用,明后年也就是2024-2025年公司GaN產(chǎn)品將會應用到400V平臺電動汽車上。

在800V平臺上,目前各大GaN廠商也正在推動1200V GaN器件的量產(chǎn)。量芯微(GaNPower)已經(jīng)在全球范圍內(nèi)率先實現(xiàn)1200V 硅基GaN HEMT的商業(yè)化量產(chǎn),今年2月,美國廠商NexGen Power Systems也宣布成功開發(fā)出700V/1200V垂直GaN功率半導體器件,并預計在今年第三季度開始全面量產(chǎn)。

除此之外,Odyssey、博世等廠商都在持續(xù)推進1200V GaN器件開發(fā)以及應用,由于GaN相比SiC具有成本優(yōu)勢,因此未來如果1200 V GaN器件成熟后,在汽車領(lǐng)域?qū)泻艽蟮陌l(fā)展空間。

寫在最后

盡管目前主機廠對GaN在高壓系統(tǒng)中應用,甚至是主驅(qū)中的應用還未有很強烈的意向,但隨著GaN廠商逐步提高器件可靠性,以及成本持續(xù)下降后,GaN將有望在400V平臺上替代IGBT器件,能夠被應用到主驅(qū)、OBC等領(lǐng)域。

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