CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo)；CG2H80060D包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移速率；及其更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較，CG2H80060D具備更多的功率密度參數(shù)和更寬的網(wǎng)絡(luò)帶寬。
特征
60W典型的PSAT
28V操控
高擊穿場強
高溫度操控
最高的8GHz操控
效率高
應(yīng)用
雙重專用型收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
測試設(shè)備
ClassA；AB；主要用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣；CDMA波型
CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品，CREE科銳是一個完整的設(shè)計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機器設(shè)備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商，擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道，并長期庫存現(xiàn)貨，以備中國市場需求。
| Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
| CG2H80060D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 60 W | >12 dB | 70% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
1796瀏覽量
118061 -
GaN
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
2209瀏覽量
76824 -
管芯
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
10瀏覽量
8259
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可提供最佳功率和線性度。
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C
發(fā)表于 06-16 16:18
增強AlN/GaN HEMT
一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱，他們已經(jīng)打開了一扇大
NN2-24D15H6R3 NN2-24D15H6R3
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN2-24D15H6R3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有NN2-24D15H6R3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，NN2-24D15H6R3真值表，NN
發(fā)表于 03-19 18:49
FN2-24D15H6 FN2-24D15H6
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15H6相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FN2-24D15H6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，F(xiàn)N2-24D15H6真值表，F(xiàn)N
發(fā)表于 03-19 18:48
FA10-220H051515E2D4 FA10-220H051515E2D4
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA10-220H051515E2D4相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FA10-220H051515E2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文
發(fā)表于 03-18 18:52
FA20-300S24H2D4P2 FA20-300S24H2D4P2
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-300S24H2D4P2相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有FA20-300S24H2D4P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
發(fā)表于 03-18 18:29
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模
GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸
高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ?
GaN HEMT憑什么贏得市場青睞
硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
羅姆EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT被村田AI服務(wù)器電源采用
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
ROHM攜手ATX量產(chǎn)650V耐壓GaN HEMT
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-04 11:27
?0次下載
GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點
GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺點。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 07-31 13:24
?0次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論