一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

CG2H80060D?C波段GaN HEMT管芯CREE

盧婷 ? 來源:321168952 ? 作者:321168952 ? 2022-11-01 09:29 ? 次閱讀

Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能指標;CG2H80060D包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速率;及其更高的導熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80060D具備更多的功率密度參數(shù)和更寬的網(wǎng)絡帶寬。

特征

60W典型的PSAT

28V操控

高擊穿場強

高溫度操控

最高的8GHz操控

效率高

應用

雙重專用型收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施建設

測試設備

ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波型

CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業(yè)內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道,并長期庫存現(xiàn)貨,以備中國市場需求。

Product SKU Technology Frequency Min Frequency Max Peak Output Power Gain Efficiency Operating Voltage Form Package Type
CG2H80060D-GP4 GaN on SiC DC 8 GHz 60 W >12 dB 70% 28 V Discrete Bare Die Die


審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    61

    文章

    1730

    瀏覽量

    117340
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    2140

    瀏覽量

    75848
  • 管芯
    +關注

    關注

    0

    文章

    10

    瀏覽量

    8237
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    FA30-220S24H2D4 FA30-220S24H2D4

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA30-220S24H2D4相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FA30-220S24H2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)A30-220S24H2D4真
    發(fā)表于 03-25 18:31
    FA30-220S24<b class='flag-5'>H2D</b>4 FA30-220S24<b class='flag-5'>H2D</b>4

    NN2-24D15H6R3 NN2-24D15H6R3

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)NN2-24D15H6R3相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有NN2-24D15H6R3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,NN2-24D15H6R3真值表,NN
    發(fā)表于 03-19 18:49
    NN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6R3 NN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6R3

    FN2-24D15H6 FN2-24D15H6

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FN2-24D15H6相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FN2-24D15H6的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)N2-24D15H6真值表,F(xiàn)N
    發(fā)表于 03-19 18:48
    FN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6 FN<b class='flag-5'>2-24D15H</b>6

    FA10-220H051515E2D4 FA10-220H051515E2D4

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA10-220H051515E2D4相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FA10-220H051515E2D4的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文
    發(fā)表于 03-18 18:52
    FA10-220<b class='flag-5'>H051515E2D</b>4 FA10-220<b class='flag-5'>H051515E2D</b>4

    FA20-300S24H2D4P2 FA20-300S24H2D4P2

    電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FA20-300S24H2D4P2相關產品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FA20-300S24H2D4P2的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文
    發(fā)表于 03-18 18:29
    FA20-300S24<b class='flag-5'>H2D4P2</b> FA20-300S24<b class='flag-5'>H2D4P2</b>

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模
    的頭像 發(fā)表于 03-11 17:43 ?643次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>的SPICE模型使用指南及示例

    GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

    GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,實現(xiàn)了業(yè)內出色的FOM 。該產品屬于EcoGaN?系列產品,利用該系列產品低導通電阻和高速開關的特性,有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:46 ?326次閱讀
    GNP1070TC-Z 650V <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 數(shù)據(jù)手冊

    高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

    高速GaN E-HEMT的測量技巧總結 一、概述 ? 重要性 ?:GaN E-HEMT(氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管)具有極高的開關速度,因此準確的測量技術對評估其性能至關重要。 ?
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:06 ?394次閱讀

    GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

    硅基半導體經過多年發(fā)展,其性能逐漸接近極限,在進一步降本增效的背景下,第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
    的頭像 發(fā)表于 02-27 09:38 ?323次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>憑什么贏得市場青睞

    羅姆EcoGaN產品GaN HEMT被村田AI服務器電源采用

    全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產品GaN HEMT,被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
    的頭像 發(fā)表于 02-26 15:41 ?379次閱讀

    ROHM攜手ATX量產650V耐壓GaN HEMT

    全球知名半導體制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產。這一里程碑式的進展
    的頭像 發(fā)表于 02-18 10:03 ?403次閱讀

    CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CG2H80015D氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)規(guī)格書.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 09-04 11:27 ?0次下載

    GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

    GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)作為一種先進的功率半導體器件,在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢,但同時也存在一些缺點。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺
    的頭像 發(fā)表于 08-15 11:09 ?2487次閱讀

    QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 07-31 13:24 ?0次下載

    改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

    在本文中,我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數(shù),即短路耐受時間 (SCWT)。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:43 ?1203次閱讀
    改善<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>功率器件的短路耐受時間