Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能指標;CG2H80060D包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子漂移速率;及其更高的導熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80060D具備更多的功率密度參數(shù)和更寬的網(wǎng)絡帶寬。
特征
60W典型的PSAT
28V操控
高擊穿場強
高溫度操控
最高的8GHz操控
效率高
應用
雙重專用型收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎設施建設
測試設備
ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波型
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業(yè)內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優(yōu)勢供貨渠道,并長期庫存現(xiàn)貨,以備中國市場需求。
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H80060D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 60 W | >12 dB | 70% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
-
氮化鎵
+關注
關注
61文章
1730瀏覽量
117340 -
GaN
+關注
關注
19文章
2140瀏覽量
75848 -
管芯
+關注
關注
0文章
10瀏覽量
8237
發(fā)布評論請先 登錄
FA30-220S24H2D4 FA30-220S24H2D4

NN2-24D15H6R3 NN2-24D15H6R3

FN2-24D15H6 FN2-24D15H6

FA10-220H051515E2D4 FA10-220H051515E2D4

FA20-300S24H2D4P2 FA20-300S24H2D4P2

GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

評論