GaN HEMT在POE交換機(jī)中的應(yīng)用及優(yōu)勢

在數(shù)據(jù)流量呈指數(shù)級增長以及 5G 技術(shù)深度普及的當(dāng)下，POE（以太網(wǎng)供電）交換機(jī)作為融合了數(shù)據(jù)傳輸與電力供應(yīng)功能的關(guān)鍵設(shè)備，廣泛應(yīng)用于企業(yè)網(wǎng)絡(luò)、5G 基...

2025-03-03 標(biāo)簽：交換機(jī)PoEGaN 425 0

650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

~同時加快車載GaN器件的開發(fā)速度，以盡快投入量產(chǎn)~ ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的...

2025-02-13 標(biāo)簽：封裝GaNHEMT 314 0

HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊和產(chǎn)品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準(zhǔn)諧振反激式穩(wěn)壓器

HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器，專用于高性能和高頻設(shè)計。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同，HFG610-...

2025-01-09 標(biāo)簽：GaN諧振HEMT 691 0

搶先領(lǐng)?。「邏篊oolGaN? GIT HEMT可靠性白皮書推薦

高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件...

2024-12-18 標(biāo)簽：高壓晶體管白皮書 421 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

隨著電動汽車（EVs）的銷售量增長，整車OBC（車載充電器）的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車輛續(xù)航里程。因此...

2023-12-17 標(biāo)簽：電動汽車GaNHEMT 1239 0

CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)

擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國劍橋 - Cambridge GaN...

2023-11-06 標(biāo)簽：smpsGaNHEMT 907 0

AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...

2023-10-10 標(biāo)簽：蝕刻GaNHEMT 940 0

Cambridge GaN Devices 推出第二代 ICeGaN ICs，在同類產(chǎn)品中擁有出色的穩(wěn)健性、易用性和高效率

英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...

2023-05-15 標(biāo)簽：MOSFETGaNHEMT 1275 0

用于低溫應(yīng)用的GaN

當(dāng)硅和寬禁帶器件（如碳化硅和垂直 GaN）的溫度下降時，會出現(xiàn)兩個重要現(xiàn)象，如文章中所述：載流子遷移率隨著高性能參數(shù)電子-聲子相互作用的降低而上升。此外...

2022-07-29 標(biāo)簽：功率器件PID控制器HEMT 1294 0

增強(qiáng)型GaN HEMT的漏極電流特性?

已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管(HEMT)的增強(qiáng)模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體 (MIS) 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)動...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體管GaNHEMT 1563 0

新的GaN技術(shù)簡化了驅(qū)動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細(xì)設(shè)計。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從...

2022-07-29 標(biāo)簽：晶體管GaNHEMT 2092 0