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      標(biāo)簽　>　ibc

      ibc

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      ibc技術(shù)

      介紹晶硅太陽能電池光伏組件制造過程

      雖然N型電池技術(shù)難度較大，但N型電池的光電轉(zhuǎn)換效率較高。N型電池包括：TOPcon電池、HJT電池、IBC電池、HBC電池。

      2023-04-11 標(biāo)簽：太陽能電池Eva開路電壓 3675 0

      非穩(wěn)壓中間總線轉(zhuǎn)換器在數(shù)據(jù)中心中的應(yīng)用

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      隨著數(shù)據(jù)中心的供電需求不斷攀升，尤其是那些致力于滿足于AI算力需求的數(shù)據(jù)中心，電源系統(tǒng)不僅必須要持續(xù)提供更高的效率，還要提供更高的功率密度。

      2024-08-22 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心 1135 0

      0BB無主柵技術(shù)在IBC電池中的應(yīng)用及封裝測(cè)試

      0BB無主柵技術(shù)在IBC電池中的應(yīng)用及封裝測(cè)試

      傳統(tǒng)晶體硅太陽電池的正面金屬電極會(huì)造成光學(xué)損失，減少正面金屬電極覆蓋面積可以提高效率。背接觸太陽電池（IBC）將電極置于背面，提高光電轉(zhuǎn)換效率。降低太陽...

      2024-10-25 標(biāo)簽：封裝測(cè)試太陽電池電池 912 0

      效率25.2%，基于薄層電阻調(diào)控的BC太陽能電池鈍化與抗反射技術(shù)研究

      效率25.2%，基于薄層電阻調(diào)控的BC太陽能電池鈍化與抗反射技術(shù)研究

      IBC太陽能電池因消除正面金屬化、減少陰影損失和增加光吸收面積，有實(shí)現(xiàn)高效的潛力，但制造復(fù)雜且昂貴。本文運(yùn)用Quokka3模擬對(duì)IBC太陽能電池展開研究...

      2025-03-28 標(biāo)簽：太陽能電池IBC 243 0

      IBC背接觸結(jié)構(gòu)薄膜缺陷分析：多尺度表征技術(shù)（PL/AFM/拉曼）的應(yīng)用

      IBC背接觸結(jié)構(gòu)薄膜缺陷分析：多尺度表征技術(shù)（PL/AFM/拉曼）的應(yīng)用

      精確無損測(cè)量薄膜厚度對(duì)光伏太陽能電池等電子器件很關(guān)鍵。在高效硅異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽能電池中，叉指背接觸（IBC）設(shè)計(jì)可減少光反射和改善光捕獲，但其制備需...

      2025-04-21 標(biāo)簽：太陽能電池測(cè)量IBC 158 0

      IBC技術(shù)新突破：基于物理氣相沉積（PVD）的自對(duì)準(zhǔn)背接觸SABC太陽能電池開發(fā)

      IBC技術(shù)新突破：基于物理氣相沉積（PVD）的自對(duì)準(zhǔn)背接觸SABC太陽能電池開發(fā)

      交叉指式背接觸（IBC）太陽能電池因其無前電極設(shè)計(jì)和雙面鈍化接觸特性，具有高效率潛力。然而，傳統(tǒng)IBC電池制造工藝復(fù)雜，涉及多次摻雜和電極圖案化步驟，增...

      2025-04-14 標(biāo)簽：太陽能電池IBC 125 0

      基于激光摻雜與氧化層厚度調(diào)控的IBC電池背表面場(chǎng)區(qū)圖案化技術(shù)解析

      基于激光摻雜與氧化層厚度調(diào)控的IBC電池背表面場(chǎng)區(qū)圖案化技術(shù)解析

      IBC太陽能電池因其背面全電極設(shè)計(jì)，可消除前表面金屬遮擋損失，成為硅基光伏技術(shù)的效率標(biāo)桿。然而，傳統(tǒng)圖案化技術(shù)（如光刻、激光燒蝕）存在工藝復(fù)雜或硅基損傷...

      2025-04-23 標(biāo)簽：測(cè)試儀電池IBC 109 0

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