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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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對(duì)于變頻器在啟動(dòng)的過(guò)程中報(bào)過(guò)電流這一情況,引發(fā)導(dǎo)致過(guò)電流的原因大部分出在驅(qū)動(dòng)電路及IGBT逆變電路。判斷驅(qū)動(dòng)電路及IGBT逆變電路導(dǎo)致過(guò)電流的依據(jù)是當(dāng)變...
IGBT是什么類(lèi)型的器件 IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種雙極性器件,結(jié)合了MOSFET和普通晶體管的優(yōu)勢(shì),既具有IGFET(...
充電樁是指為電動(dòng)汽車(chē)提供能量補(bǔ)充的充電裝置,其功能類(lèi)似于加油站里面的加油機(jī),可以固定在地面或墻壁,安裝于公共建筑(公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車(chē)場(chǎng)等)和居民小...
2024-01-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTMOS 2218 0
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...
由于門(mén)極-發(fā)射極連線(xiàn)電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門(mén)極驅(qū)動(dòng)環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因?yàn)檎`動(dòng)作和不飽和動(dòng)作而導(dǎo)致元件損壞。
詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)
在變頻器的應(yīng)用中,假負(fù)載是一種重要的輔助設(shè)備,主要用于測(cè)試和保護(hù)變頻器模塊。本文將詳細(xì)介紹變頻器假負(fù)載的原理、應(yīng)用和注意事項(xiàng)。
詳解IGBT的驅(qū)動(dòng)電路及短路保護(hù)設(shè)計(jì)
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度...
2024-02-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 1.5萬(wàn) 0
igbt驅(qū)動(dòng)電路工作原理 igbt驅(qū)動(dòng)電路和場(chǎng)效管驅(qū)動(dòng)區(qū)別
IGBT驅(qū)動(dòng)電路工作原理: IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種特殊的雙極晶體管,結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和普通雙極晶體管的優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-23 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路雙極晶體管 4140 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...
2024-01-22 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1481 0
這是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀(guān)。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但...
IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下,而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)(如-40℃~+65℃)。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)...
隨著電子產(chǎn)品的集成度越來(lái)越高,器件的單位功率也越來(lái)越大,特別是在5G通信、汽車(chē)電子.軌道交通、光伏、軍工航天等領(lǐng)域,大功率晶體管、射頻元件、LED、IG...
全面解析BJT、FET、JFET、MOSFET、IGBT晶體管
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件,用于開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
100kW碳化硅三相并網(wǎng)逆變器設(shè)計(jì)
摘要:隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來(lái)越無(wú)法滿(mǎn)足人們的要求,以太陽(yáng)能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...
由于IGBT高電壓、大電流和高頻特性,IGBT需要一個(gè)專(zhuān)門(mén)的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)控制其開(kāi)通和關(guān)斷。本文將介紹IGBT驅(qū)動(dòng)電路。 一、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用 IGB...
2024-01-17 標(biāo)簽:電壓IGBT驅(qū)動(dòng)電路 3988 0
絕緣門(mén)極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種絕緣門(mén)極晶體管(Insulated Gate B...
在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場(chǎng),公司成功的兩個(gè)重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的,可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長(zhǎng)期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營(yíng),...
安森美IGBT常規(guī)進(jìn)行的可靠性測(cè)試方案
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場(chǎng)畸變有關(guān)。HTRB 通過(guò)高溫反向偏置測(cè)試來(lái)增強(qiáng)故障機(jī)制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗(yàn)證過(guò)程控制的有效性。
光伏逆變器的分類(lèi)、構(gòu)成及保護(hù)技術(shù)
自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來(lái),太陽(yáng)能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國(guó)高度重視,光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展,經(jīng)過(guò)多年的研究和技術(shù)開(kāi)發(fā),太陽(yáng)能光伏組件價(jià)格已大幅...
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