整個(gè)電力半導(dǎo)體器件中變化最大的就是功率MOSFET，其中，硅基器件中SJ MOSFET器件和IGBT器件在結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)得到了較深的發(fā)展。SJ（超結(jié)）MOSFET采用基于電荷平衡的器件結(jié)構(gòu)，導(dǎo)通電阻明顯下降，在高壓應(yīng)用時(shí)優(yōu)勢(shì)尤其突出。但是，以寬禁帶半導(dǎo)體（碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN））形式出現(xiàn)的新材料技術(shù)正在提供可改善電路設(shè)計(jì)人員選擇的選擇，特性更接近理想的開關(guān)。 ?

半導(dǎo)體材料發(fā)展路徑（數(shù)據(jù)來(lái)源：浙商證券研究所? ） ? 工程師在性能、成本、操作、尺寸、熱效率和可用性之間進(jìn)行設(shè)計(jì)抉擇時(shí)需要權(quán)衡取舍。 ?

一.? 碳化硅MOS器件

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風(fēng)電、5G通信等，在功率器件領(lǐng)域，碳化硅二極管、MOSFET已經(jīng)開始商業(yè)化應(yīng)用。 ?

碳化硅從材料到半導(dǎo)體功率器件會(huì)經(jīng)歷單晶生長(zhǎng)、晶錠切片、外延生長(zhǎng)、晶圓設(shè)計(jì)、制造、封裝等工藝流程。在合成碳化硅粉后，先制作碳化硅晶錠，然后經(jīng)過(guò)切片、打磨、拋光得到碳化硅襯底，經(jīng)外延生長(zhǎng)得到外延片。外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、金屬鈍化等工藝得到碳化硅晶圓，將晶圓切割成die，經(jīng)過(guò)封裝得到器件，器件組合在一起放入特殊外殼中組裝成模組。 ?

不同半導(dǎo)體材料性能對(duì)比 ?

二.?? 超結(jié)(SJ)MOS器件

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí)，漂移層會(huì)變厚，導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問(wèn)題。而超結(jié)MOSFET通過(guò)在D端和S端排列多個(gè)垂直pn結(jié)的結(jié)構(gòu)來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了在保持高電壓的同時(shí)降低導(dǎo)通電阻。

超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)在于其具有高耐壓和低電阻的特點(diǎn)。相較于普通高壓VDMOS，超結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小，適用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用。此外，超結(jié)MOSFET的額定電壓越高，導(dǎo)通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水平下的高速運(yùn)行非常適合。

超結(jié)MOSFET的制造工藝相較于常規(guī)MOSFET更加復(fù)雜，主要體現(xiàn)在溝槽的填充外延制造方法上。超級(jí)結(jié)MOSFET通過(guò)使溝槽和溝槽間距盡可能小和深，設(shè)計(jì)具有較低電阻的N層，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。

【超級(jí)結(jié)中，trr比平面MOSFET快，irr電流更大】

超結(jié)MOSFET相較于平面MOSFET具有更大的pn結(jié)面積，因此在內(nèi)部二極管的反向電流和反向恢復(fù)時(shí)間方面存在一些問(wèn)題。雖然超結(jié)MOSFET的trr比平面MOSFET快，但irr電流更大。以下是Si-MOSFET的常規(guī)制造工藝和超結(jié)制造工藝的對(duì)比：

【常規(guī)MOS制造工藝】

【超級(jí)結(jié)的溝槽填充外延制造方法】

此外，Si-MOSFET還與其他器件進(jìn)行了功率和頻率的比較，如IGBT、碳化硅MOS、平面/超結(jié)MOS等。

【IGBT、碳化硅MOS、平面/超結(jié)MOS的功率和頻率比較】

以下是SJ-MOSFET的一些關(guān)鍵特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

高耐壓：SJ-MOSFET具有高額定電壓，能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。

低導(dǎo)通電阻：SJ-MOSFET的導(dǎo)通電阻遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)平面MOSFET，能夠提供更高的效率和功率密度。

高速開關(guān)：SJ-MOSFET的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)使其具有快速開關(guān)特性，適用于高頻率應(yīng)用。

可靠性：SJ-MOSFET的產(chǎn)品質(zhì)量可靠，性能穩(wěn)定，適用于各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

三.? IGBT器件

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì)導(dǎo)致Vds很大）

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣?，以及變頻（所以用在電動(dòng)車上比較多）。

IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，主流的N溝道IGBT的電路圖符號(hào)及其等效電路如下：

所以整個(gè)過(guò)程就很簡(jiǎn)單：

當(dāng)柵極G為高電平時(shí)，NMOS導(dǎo)通，所以PNP的CE也導(dǎo)通，電流從CE流過(guò)。

當(dāng)柵極G為低電平時(shí)，NMOS截止，所以PNP的CE截止，沒有電流流過(guò)。

IGBT與MOSFET不同，內(nèi)部沒有寄生的反向二極管，因此在實(shí)際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。

IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)：

1、具有更高的電壓和電流處理能力。

2、極高的輸入阻抗。

3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。

4、電壓控制裝置，即它沒有輸入電流和低輸入損耗。

5、柵極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單且便宜，降低了柵極驅(qū)動(dòng)的要求

6、通過(guò)施加正電壓可以很容易地打開它，通過(guò)施加零電壓或稍微負(fù)電壓可以很容易地關(guān)閉它。

7、具有非常低的導(dǎo)通電阻。

8、具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。

9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。10、具有比 BJT 更高的開關(guān)速度。

11、可以使用低控制電壓切換高電流電平。

12、雙極性質(zhì)，增強(qiáng)了傳導(dǎo)性。

13、安全可靠。

缺點(diǎn)：

1、開關(guān)速度低于 MOS管。

2、因?yàn)槭菃蜗虻?，在沒有附加電路的情況下無(wú)法處理AC波形。

3、不能阻擋更高的反向電壓。

4、比 BJT 和 MOS管價(jià)格更高。

5、類似于晶閘管的P-N-P-N結(jié)構(gòu)，因此它存在鎖存問(wèn)題

IGBT的主要參數(shù)：

1、集電極-發(fā)射極額定電壓UCES是IGBT在截止?fàn)顟B(tài)下集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓，一般UCES小于或等于器件的雪崩擊穿電壓。

2、柵極-發(fā)射極額定電壓UGE是IGBT柵極與發(fā)射極之間允許施加的最大電壓，通常為20V。柵極的電壓信號(hào)控制IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷，其電壓不可超過(guò)UGE。

3、集電極額定電流IC是IGBT在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下，允許持續(xù)通過(guò)的最大電流。

4、集電極-發(fā)射極飽和電壓UCE是IGBT在飽和導(dǎo)通狀態(tài)下，集電極與發(fā)射極之間的電壓降。該值越小，則管子的功率損耗越小。

5、開關(guān)頻率在IGBT的使用說(shuō)明書中，開關(guān)頻率是以開通時(shí)間tON、下降時(shí)間t1和關(guān)斷時(shí)間tOFF給出的，根據(jù)這些參數(shù)可估算出IGBT的開關(guān)頻率，一般可達(dá)30～40kHz。在變頻器中，實(shí)際使用的載波頻率大多在15kHz以下。

IGBT如何選型：

1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：在開關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí)，電流過(guò)載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過(guò)流，擇最大負(fù)載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級(jí)的IGBT。

3、IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇變頻器的開關(guān)頻率一般小于10kHZ，而在實(shí)際工作的過(guò)程中，IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT。

四.? SiC MOSFET與Si SJ-MOSFET對(duì)比

1.1靜態(tài)特性

表1：Si SJ-MOSFET和SiC MOSFET器件參數(shù)

上表為Si SJ-MOSFET和SiC MOSFET器件的靜態(tài)參數(shù)，可以看出SJ-MOSFET VGS（柵壓）大于VTH（閾值電壓）后電流迅速上升，且呈現(xiàn)負(fù)溫系數(shù)。而對(duì)于SiC MOSFET 在VGS超過(guò)VTH后，上升速度緩慢，說(shuō)明器件Gf（跨導(dǎo)）較小，且VGS小于10V呈現(xiàn)正溫特性。同時(shí)在VGS高達(dá)20V時(shí)（參考輸出特型曲線），也沒有進(jìn)入飽和狀態(tài)，正是由于以上特性，要求SiC MOSFET的開通驅(qū)動(dòng)電壓高于SJ-MOSFET，以使得SiC MOSFET工作在負(fù)溫區(qū)?？梢钥闯鰷囟葘?duì)SiC ?MOSFET輸出電流特性的影響小于SJ-MOSFET。

圖1：Si SJ-MOSFET(圖左)與SiC MOSFET（圖右）傳遞特性曲線

如下圖所示為SJ-MOSFET與SiC MOSFET的輸出特性曲線，當(dāng)VGS超過(guò)8V后，SJ-MOSFET已經(jīng)充分導(dǎo)通，其IDS-VDS的特性曲線幾乎重疊。而SiC MOSFET在不同VGS下的IDS-VDS曲線相距較遠(yuǎn)，且飽和區(qū)與線性區(qū)的拐點(diǎn)沒有Si器件明顯。同時(shí)SiC ?MOSFET的曲線的斜率在VGS大于15V后變化才會(huì)較小，才能獲得低導(dǎo)通電阻，以上特征都與其傳遞特性相吻合。

圖2：Si SJ-MOSFET（圖左）與SiC MOSFET（圖右）輸出特性曲線

此外如圖 3所示，SiC MOSFET 的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）曲線呈現(xiàn)U形，而SJ-MOSFET的RDS(ON)隨著Tj（結(jié)溫）的升高而升高，這是由于SJ-MOSET的JFET（Junction Field Effect Transistor）區(qū)與漂移區(qū)電阻起主導(dǎo)作用，同時(shí)從圖可以看出SiC MOSFET在高溫下依然保持較低的導(dǎo)通損耗，而在使用SJ-MOSFET需要特別關(guān)注RDS(ON)上升對(duì)散熱的要求。

Si SJ-MOSFET(圖左)與SiC MOSFET（圖右）RDS(ON)-TJ特性曲線

1.2 動(dòng)態(tài)特性對(duì)比

Si SJ-MOSFET和 SiC MOSFET動(dòng)態(tài)參數(shù) 由于器件開關(guān)測(cè)試條件不同，因此通過(guò)觀察SiC MOSFET 與SJ-MOSFET ?C-V曲線，對(duì)器件的開關(guān)參數(shù)進(jìn)行初步判斷。如上表可以看到SiC MOSFET的Ciss（輸入電容）明顯小于SJ-MOSFET，可以進(jìn)一步推測(cè)SiC的關(guān)斷延時(shí)會(huì)明顯小。同時(shí)值得注意的是Si SJ-MOSFET的Crss（米勒電容）在低壓（小于300V）時(shí)相對(duì)較小。

圖4：Si SJ-MOSFET(圖左))與SiC MOSFET （圖右）C-V特性曲線

圖 5顯示SiC MOSFET與SJ-MOSFET的柵電荷Qg，從圖中可以看出SiC MOSFET的Qg明顯小于SJ-MOSFET，這表明SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)能量明顯更小，同時(shí)可以看到SiC MOSFET的米勒平臺(tái)（圖中紅色標(biāo)注地方）更小，而SJ-MOSFET有明顯的米勒平臺(tái)，因此SiC MOSFET更適用于高頻率的開關(guān)。

圖5：Si SJ-MOSFET（圖左）與SiC MOSFET（圖右）Qg特性曲線

五、SiC MOSFET與Si IGBT的參數(shù)對(duì)比 由于SiC材料的特性，1200V、1700V 電壓等級(jí)的SiC MOSFET可以與硅基同等電壓的IGBT相比較，為了更好地體現(xiàn)SiC與Si IGBT器件之間的特性區(qū)別，選取常用的1200V25A等級(jí)的SiC MOSFET與Si IGBT，利用其數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比。 2.1靜態(tài)特性

表3：為SiC MOSFET和Si IGBT器件靜態(tài)參數(shù)

圖 6為選取IKW25T120與C2M0080120D進(jìn)行參數(shù)對(duì)比，可以看出SiC MOSFET和Si IGBT的傳遞特性形態(tài)基本相似，當(dāng)VGS小于VTH時(shí)是正溫系數(shù)，當(dāng)VGS較高時(shí)呈現(xiàn)負(fù)溫系數(shù)。

圖6：Si IGBT(圖左)與 SiC MOSFET（圖右）轉(zhuǎn)移特性曲線

圖 7為器件的輸出特性曲線，SiC MOSFET的ID-VDS曲線是從零點(diǎn)開始，是由于其電阻特性，而Si IGBT是在VCE大于VCEsat(飽和壓降)后才有電流輸出，這是因?yàn)镮GBT其內(nèi)部寄生BJT（Bipolar junction Transistor）負(fù)責(zé)導(dǎo)通。因此在小電流下IGBT的導(dǎo)通壓降更大，SiC MOSFET導(dǎo)通損耗更小。在大電流下IGBT能夠在較小的導(dǎo)通壓降下流通更大的電流，所以IGBT的跨導(dǎo)更大。

圖7：Si IGBT（圖左）與SiC MOSFET（圖右）輸出特性曲線

2.2動(dòng)態(tài)特性 表4為SiC MOSFET和Si IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)，圖8所示為選取IKW25T120與C2M0080120D的C-V曲線，從表格可以看出SiC MOSFET 的Crss（米勒電容）明顯小于Si IGBT。對(duì)比發(fā)現(xiàn)由于Si IGBT有較大的Ciss，會(huì)導(dǎo)致器件的開通時(shí)間與關(guān)斷拖尾時(shí)間較長(zhǎng)，則其開關(guān)能量就會(huì)明顯大于SiC MOSFET。但同時(shí)需要注意的是SiC MOSFET的快速開關(guān)，也會(huì)導(dǎo)致開通過(guò)程中較大的VDS與IDS尖峰。但值得注意是，不同廠家對(duì)不同應(yīng)用進(jìn)行器件最優(yōu)匹配時(shí)，會(huì)對(duì)參數(shù)采取不同的規(guī)格設(shè)計(jì)（也受限于結(jié)構(gòu)、工藝等多種因素）。

表4 ：SiC MOSFET和Si IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)

圖8：Si IGBT（圖左）與SiC MOSFET（圖右）C-V特性曲線 Si IGBT和SiC MOSFET的柵電荷Qg如圖9所示，SiC MOSFET的Qg明顯小于IGBT，這說(shuō)明SiC MOSFET更適用于高頻率。

圖9：Si IGBT（圖左）與SiC MOSFET（圖右）Qg特性曲線

以上都是通過(guò)DateSheet數(shù)據(jù)分析，但是對(duì)于器件性能的評(píng)估，還需要結(jié)合實(shí)際應(yīng)用中器件靜態(tài)特性、開關(guān)性能、溫度行為和損耗分布等方面的綜合比較。引用相關(guān)文獻(xiàn)中三種器件（SiC MOSFET與Si IGBT與Si SJ-MOSFET）的關(guān)斷測(cè)試波形，如圖 10、圖 11所示。在相同半橋測(cè)試條件下，SiC MOSFET比其他器件更快，SiC器件可以顯著減小開關(guān)電路的開關(guān)損耗，提高效率。因此，SiC功率器件很適合于高頻高壓場(chǎng)合。同時(shí)需要注意的是，碳化硅設(shè)備的柵極驅(qū)動(dòng)電壓是不同的。

圖10：Si IGBT 與SiC MOSFET Turn off曲線

Eoff@ Ic=12.5A, Vce=800V, Rgoff=2.2Ω,Vgsoff=4V

圖11：SiC MOSFET與Si SJ-MOSFET Turn off曲線

Eoff@ Ic=16A, Vce=400V, Rgoff=14.7Ω 六.? 器件的選擇 如果您對(duì)在不同類型的半導(dǎo)體器件和材料之間進(jìn)行選擇感到困惑，為您提供了一種簡(jiǎn)單的方法。

根據(jù)電源開關(guān)電路的工作條件，我們應(yīng)在電源開關(guān)電路中使用哪種半導(dǎo)體器件？

以H橋作為AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)為例。直流母線電壓為370V，變壓器中的電流約為3A，開關(guān)的工作頻率為15至25kHz。出于安全原因，我們選擇一種能夠承受650V開關(guān)和至少30A的組件。我們沒有膠合邏輯，計(jì)劃使用硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT），硅超結(jié)（SJ），SiC或GaN器件。

100W輔助器件中SiC MOSFET的簡(jiǎn)單示例電源

選擇使用哪種器件的方法是關(guān)注其工作條件。通過(guò)回答以下一系列問(wèn)題來(lái)做出選擇：

·電路設(shè)計(jì)的開關(guān)頻率是否低于20kHz？

·功率水平是否高于3kW？

·如果低成本很重要，那么系統(tǒng)成本低嗎？

·由三相電網(wǎng)供電么？

如果以上任何一個(gè)答案為“是”，則最好的選擇是Si IGBT。

如果設(shè)計(jì)不符合這些條件，那么下一組問(wèn)題將有助于縮小選擇范圍：

·開關(guān)頻率是否在20 kHz至100kHz之間？

·設(shè)計(jì)將在各種各樣的線路和負(fù)載條件下運(yùn)行嗎？

·設(shè)計(jì)是否需要以適中的成本實(shí)現(xiàn)高效率？

·設(shè)計(jì)將由單相電網(wǎng)供電嗎？

如果設(shè)計(jì)滿足這些特性，那么最好的器件選擇是Si SJ MOSFET。

如果設(shè)計(jì)不符合這些標(biāo)準(zhǔn)，那么我們可以繼續(xù)選擇：

·開關(guān)頻率是否高于100kHz？

·設(shè)計(jì)將在各種各樣的線路和負(fù)載條件下運(yùn)行嗎？

·數(shù)kw的功率嗎？需要高效率嗎？

·設(shè)計(jì)是否應(yīng)允許功率雙向流動(dòng)？

·是由三相電網(wǎng)提供嗎？

如果滿足這些條件，則最好的器件選擇是SiC MOSFET。

或者以下判斷標(biāo)準(zhǔn)：

·設(shè)計(jì)的開關(guān)頻率是否會(huì)高于100kHz且在MHz范圍內(nèi)？

·它將在各種各樣的線路和負(fù)載條件下運(yùn)行嗎？

·該設(shè)計(jì)是否應(yīng)支持最大功率密度和效率的中等功率（最高數(shù)百瓦）？

·設(shè)計(jì)將由單相電網(wǎng)提供嗎？

如果設(shè)計(jì)確實(shí)滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，則最好的選擇可能是GaN MOSFET。

根據(jù)目標(biāo)應(yīng)用選擇設(shè)備

同樣，我們可以通過(guò)一組標(biāo)準(zhǔn)來(lái)定義要使用的設(shè)備。通常，應(yīng)圍繞Si IGBT設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)功率超過(guò)250W的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，運(yùn)行功率超過(guò)3kW的功率因數(shù)校正（PFC）電路，運(yùn)行功率超過(guò)5kW的太陽(yáng)能/風(fēng)能逆變器以及UPS和H橋逆變器。

適用于AC-DC應(yīng)用的中復(fù)雜度10kW六包PFC轉(zhuǎn)換器

對(duì)于工作在250W以下的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，工作在75W至3kW之間的DC-DC轉(zhuǎn)換器，中低功率PFC電路和LCC轉(zhuǎn)換器，正向轉(zhuǎn)換器電源，通用輸入AC-DC反激電路以及太陽(yáng)能微逆變器應(yīng)使用Si SJ MOSFET。

應(yīng)該使用SiC MOSFET來(lái)構(gòu)建更高功率的設(shè)計(jì)，例如以3kW以上的功率運(yùn)行的PFC電路，以5kW以上的太陽(yáng)能逆變器，一些電動(dòng)汽車和車載充電器以及一些不間斷電源和嵌入式PFC電路。

雙向有源PFC轉(zhuǎn)換器，用于AC / DC應(yīng)用，逆變器或電動(dòng)汽車車載充電器

最后，應(yīng)圍繞GaN MOSFET設(shè)計(jì)由單相電網(wǎng)供電，工作電壓低于650V，工作電壓在75W至750W之間，且需要小型，涼爽和便攜式的應(yīng)用。

在設(shè)備的性能，成本，操作要求，尺寸，熱效率，可用性等之間，設(shè)計(jì)選擇之間總是需要權(quán)衡取舍。引入Sic和GaN技術(shù)可能會(huì)通過(guò)引入更多選項(xiàng)使探索這些折衷變得更加復(fù)雜，但是在某些應(yīng)用中，它可以幫助您的設(shè)計(jì)更接近于完美。

審核編輯：黃飛

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