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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個工程術(shù)語,通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。
整流器(轉(zhuǎn)換器)是變頻器主電源中的三個主要部分之一。輸入的交流電通過轉(zhuǎn)換器部分,被整流為直流電壓。轉(zhuǎn)換器部分由二極管、可控硅整流器組成或者連接全波橋的絕...
2023-09-21 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器整流器 1533 0
從一開始的TO-247封裝的IGBT單管并聯(lián),到單管電流等級需求優(yōu)化的TO-247Plus封裝的IGBT并聯(lián),到如今的TPAK封裝,可以說將單管并聯(lián)方式...
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(ICE)汽車到電動汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動下,預(yù)計到45年,電動汽車將達到新車總銷量的...
第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。
霍爾電流傳感器CHA611在新能源汽車逆變器中的應(yīng)用
意瑞半導(dǎo)體成熟量產(chǎn)產(chǎn)品車規(guī)級線性霍爾電流傳感器CHA611能有效滿足新能源汽車逆變器應(yīng)用中對1000A或更高電流進行高精度檢測。累計出貨近400萬片,以...
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1140 0
本書介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、...
數(shù)明半導(dǎo)體單通道隔離門極驅(qū)動芯片簡述
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動保護和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動芯片,擁有強勁的驅(qū)動能力、完善的保護功能、超高的...
IGBT的基本概念、分類、技術(shù)發(fā)展及市場趨勢
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高功率半導(dǎo)體器件,具有開關(guān)速度快、損耗低、可靠性高等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于...
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
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