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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來(lái)講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書(shū)中很直觀(guān)地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),這些性能能夠發(fā)揮出來(lái)多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...
2023-06-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)封裝逆變器 1019 0
常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板材料
功率電子器件即功率半導(dǎo)體器件(power electronic device),通常是指用于控制大功率電路的電子器件(數(shù)十至數(shù)千安培的電流,數(shù)百伏以上的...
T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)
半導(dǎo)體器件的結(jié)到殼之間的熱阻RθJC(θJC)是衡量器件從芯片到封裝表面外殼的熱擴(kuò)散能力的參數(shù),是半導(dǎo)體器件最重要的熱性能參數(shù)之一,它必須被標(biāo)注到器件尤...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效...
功率場(chǎng)效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管,即MOSFET。
2023-06-09 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管可控硅 4130 0
CM3003:高性?xún)r(jià)比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器
摘要:CM3003是一款高性?xún)r(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無(wú)...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOS管IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1411 0
滿(mǎn)足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來(lái)自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
如何正確理解IGBT廠(chǎng)家給出的功率循環(huán)曲線(xiàn)?
近年來(lái)IGBT的可靠性問(wèn)題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注,特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。
如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢?
IGBT廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力電子設(shè)備中,其可靠性一直都是制造商和用戶(hù)重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題。
IGBT模塊壽命評(píng)估實(shí)驗(yàn)依據(jù)
隨著高速動(dòng)車(chē)組列車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)及其充電樁、5G 通信設(shè)備、交直流混合配電網(wǎng)、柔性直流輸電、新能源發(fā)電裝置等這些新興科技的迅猛發(fā)展
2023-06-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTDBC 2469 0
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 896 0
MOS 管可能會(huì)遭受與其他功率器件相同的故障,例如過(guò)電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過(guò)電流(鍵合線(xiàn)或者襯底熔化)、過(guò)熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC
緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)者一直追求的目標(biāo)。
良好的器件散熱依賴(lài)于優(yōu)化的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料選擇(熱界面材料與散熱基板)及封裝制造工藝等。
2023-06-04 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池IGBTLED封裝 1667 0
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