在電源應(yīng)用中，哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求，工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開(kāi)關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”（Figure of Merit, FoM），就是幫助電源設(shè)計(jì)人員直觀衡量功率器件性能優(yōu)劣的重要概念，特別是損耗描述方面，在挑選功率器件時(shí)可以發(fā)揮“神助攻”。
2023-11-28 11:47:36
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為了正確理解時(shí)鐘相關(guān)器件的抖動(dòng)指標(biāo)規(guī)格，同時(shí)選擇抖動(dòng)性能適合系統(tǒng)應(yīng)用的時(shí)鐘解決方案，本文詳細(xì)介紹了如何理解兩種類型時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的抖動(dòng)參數(shù)，以及從鎖相環(huán)輸出噪聲特性理解時(shí)鐘器件作為合成器、抖動(dòng)濾除功能時(shí)的噪聲特性。
2013-06-21 15:40:4114342 
汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬(wàn)次的功率循環(huán)，同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時(shí)故障成本也會(huì)是一個(gè)很大的問(wèn)題。隨著工業(yè)電子系
2016-01-08 11:31:094156 
本文描述功率循環(huán)測(cè)試和瞬態(tài)熱測(cè)試的組合實(shí)驗(yàn)，在此實(shí)驗(yàn)中我們使器件經(jīng)受功率循環(huán)，從而產(chǎn)生故障，然后在不同的穩(wěn)態(tài)之間執(zhí)行瞬態(tài)熱測(cè)試，以此確定 IGBT 小樣品的故障原因。這些類型的測(cè)試為正確地重新設(shè)計(jì)模塊的物理結(jié)構(gòu)提供支持，如果需要，它還可充當(dāng)熱機(jī)應(yīng)力仿真的輸入。
2016-01-18 10:22:575128 
以上共射輸出特性曲線（IC-UCE曲線）摘自Fairchild SS8050手冊(cè)，為了便于理解，添加了一些描述信息。不少人看到以上三極管輸出特性曲線都會(huì)一臉蒙圈，不管怎么看都是別別扭扭的，但是又說(shuō)
2022-11-10 16:40:064147 
? 針對(duì)汽車 IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板，結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì)，結(jié)溫差?ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命的主要加速因子，中間溫度（Tjm
2023-08-08 10:59:38772 
本文主要闡述了在驅(qū)動(dòng)芯片中表征驅(qū)動(dòng)能力的關(guān)鍵參數(shù)：驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系，并且通過(guò)實(shí)驗(yàn)解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2022-01-27 10:45:003263 
IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測(cè)量條件下，所測(cè)得
2012-07-25 09:49:08
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
常見(jiàn)，所以部分設(shè)計(jì)者可能會(huì)存在沒(méi)有合適的 Mosfet 模塊使用，而考慮使用功率 IGBT模塊。本文簡(jiǎn)單的探討兩種模塊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)必須注意的問(wèn)題供設(shè)計(jì)者參考。**常見(jiàn)應(yīng)用條件劃分： **選用 IGBT 或
2022-09-16 10:21:27
IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士（艾克思科技）通過(guò)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法，均可增大電力電子裝置的功率等級(jí)。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器，結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單，加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21
它搞清楚，更能理解IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中柵極驅(qū)動(dòng)電壓的變化過(guò)程 簡(jiǎn)化示意圖才好理解： 先命名： 反饋電容又稱米勒電容： 輸入電容： 輸出電容： 輸入電容Cies和米勒電容
2021-02-23 16:33:11
的不斷成熟，對(duì)與之相配套的傳統(tǒng)散熱器的廠家而言，其生產(chǎn)、設(shè)計(jì)、加工工藝、品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)、成本均提出了更高要求。國(guó)內(nèi)電力電子散熱器先行者三河亞泰隨著行業(yè)的需求，也進(jìn)行著不斷的研發(fā)?！ 〈?b class="flag-6" style="color: red">功率電子器件(IGBT
2012-06-20 14:58:40
IGBT的失效機(jī)理 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA
2017-03-16 21:43:31
Vgs=15.0V，對(duì)應(yīng)的管子熱量損耗為1000W。如果工程師安裝這個(gè)特性曲線進(jìn)行散熱設(shè)計(jì)，選擇多大的散熱片，選擇多大的風(fēng)速都是可以計(jì)算出來(lái)的。這些當(dāng)然是理想的情況了，實(shí)際上，廠家給出的管子特性曲線都是
2015-03-11 13:15:10
正確理解AC耦合電容在高頻電路設(shè)計(jì)中，經(jīng)常會(huì)用到AC耦合電容，要么在芯片之間加兩顆直連，要么在芯片與連接器之間加兩顆?？此坪?jiǎn)單，但一切都因?yàn)樾盘?hào)的高速而不同。信號(hào)的高速傳輸使這顆電容變得不“理想
2021-12-30 07:52:17
一、正確理解DC/DC轉(zhuǎn)換器： DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器
2021-11-16 06:32:19
阻抗、穩(wěn)態(tài)還是可變負(fù)載，電源設(shè)備都必須可靠地提供穩(wěn)定、精密和清潔的電壓和電流。工程師在應(yīng)用中如要選擇適合的電源，需要透徹理解電源指標(biāo)。下面簡(jiǎn)要介紹線性電源指標(biāo)。 線性電源非常耐用、準(zhǔn)確并能提供低噪聲功率
2012-08-07 21:58:49
的符號(hào)位直接反映的，而其符號(hào)也可以從PHSIGN寄存器中讀取的。而并不是功率寄存器存放絕對(duì)值，PHSIGN寄存器反映正負(fù)。我想確認(rèn)下我的理解是否正確，如果是的話，為什么要這樣設(shè)計(jì)呢？另外，我看很多
2018-11-06 09:37:40
For循環(huán)是任何HDL語(yǔ)言中最讓人容易誤解的代碼之一。For循環(huán)可以以可綜合與不可綜合兩種版本實(shí)現(xiàn)。不過(guò)C語(yǔ)言中的For循環(huán)與HDL眾的For循環(huán)不太一樣，要想熟練運(yùn)用的話就得先理解它。將軟件編程
2019-08-07 05:00:00
`1. 由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大，可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以
2018-08-27 20:50:45
，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是九牛一毛
2021-06-16 09:21:55
KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2. IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ，那已經(jīng)是不錯(cuò)了。不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是
2018-09-28 14:14:34
正確理解了所有內(nèi)容，還是對(duì)這個(gè)問(wèn)題有任何澄清？2.視頻卡Nvidia Tesla M60主要用于處理3D建模軟件Bentley Microstation v8。處理過(guò)的模型非常大（對(duì)于整條街道而言）并且
2018-09-13 17:08:32
更低（對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)是集電極電流、集電極-發(fā)射極間電壓）。不言而喻，Vd-Id特性也是導(dǎo)通電阻特性。根據(jù)歐姆定律，相對(duì)Id，Vd越低導(dǎo)通電阻越小，特性曲線的斜率越陡，導(dǎo)通電阻越低。IGBT的低Vd（或
2018-12-03 14:29:26
IGBT的靜態(tài)特性其實(shí)并非難以理解的東西,即便是對(duì)于外行人而言。剛接觸那會(huì)兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡(jiǎn)單，只描述特性曲線所表示的關(guān)系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級(jí)IGBT 驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法，經(jīng)驗(yàn)公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動(dòng)板的選型標(biāo)準(zhǔn)。
2021-07-26 14:41:12
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 10:07 編輯
一、概述 IGBT熱循環(huán)負(fù)載實(shí)驗(yàn)臺(tái)是對(duì)平板型IGBT進(jìn)行熱循環(huán)負(fù)載試驗(yàn)的一套系統(tǒng)，是用耐久性實(shí)驗(yàn)確認(rèn)IGBT內(nèi)部的鍵合或是內(nèi)部
2018-06-19 20:20:56
兼容性的同時(shí),極大地提高了器件的熱效率和電氣效率。本文還對(duì)宇宙射線以及功率循環(huán)試驗(yàn)進(jìn)行了研究?！娟P(guān)鍵詞】：具備更強(qiáng)機(jī)械性;;能高功率IGBT模塊;;.kV IGBT芯片技術(shù)【DOI】：CNKI:SUN
2010-05-04 08:07:47
按照大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來(lái)分類，可以將大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)我还δ苄?，多功能型，全功能型?/div>
2019-11-07 09:02:20
IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT（雙極型晶體管），大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上，魚目混珠的產(chǎn)品太多，特別是大功率的IGBT，全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32
`如何正確理解功率MOSFET的數(shù)據(jù)表（上篇）.`
2012-08-13 14:24:17
電容靠近發(fā)送端的眼圖圖3：AC耦合電容靠近接收端的眼圖顯然，這顆AC耦合電容靠近接收端的時(shí)候信號(hào)的完整性要好于放在發(fā)送端。我的理解是這樣的，非理想電容器阻抗不連續(xù)，信號(hào)經(jīng)過(guò)通道衰減后反射的能量會(huì)小于
2021-07-07 07:30:00
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來(lái)到，您將它們放入板中。您打開(kāi)電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒(méi)有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開(kāi)關(guān)問(wèn)題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒(méi)有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
磁珠經(jīng)常在電路中使用，但是如何正確理解磁滯損耗呢？
2021-03-06 08:22:12
電動(dòng)汽車、風(fēng)能/太陽(yáng)能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡(jiǎn)介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過(guò)在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
電磁感應(yīng)加熱的原理是什么？有什么方法可以將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低嗎？
2021-05-10 06:41:13
要求學(xué)生正確理解各種場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、原理，熟練掌握共源、共漏組態(tài)放大電路工作原理，用小信號(hào)模型法分析增益、輸入和輸出電阻。理解靜態(tài)工作點(diǎn)的求解。第五章 功率放大電路乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路的結(jié)構(gòu)
2008-09-28 09:36:58
和圖表予以解釋。本應(yīng)用筆記有助于要求使用IGBT模塊的功率電子元件的設(shè)計(jì)者正確地使用該數(shù)據(jù)表，并為其提供背景信息。 2 導(dǎo)言 數(shù)據(jù)表中提及的每一項(xiàng)參數(shù)都給出了盡可能詳細(xì)地表明該模塊的特性的值。 一方面，有
2018-12-05 09:50:30
波動(dòng)，IGBT模塊需要在電流、電壓循環(huán)沖擊下可靠運(yùn)行 圖2汽車各工況下，IGBT工作曲線3）高可靠性要求IGBT功率模塊失效將會(huì)導(dǎo)致車輛立刻失去動(dòng)力，嚴(yán)重影響整車廠商信譽(yù)和用戶使用體驗(yàn)汽車生產(chǎn)廠家需要
2018-12-06 09:48:38
作者：Robert Kollman，德州儀器 (TI)電源中常常被忽略的一種應(yīng)力是輸入電容 RMS 電流。若不正確理解它，過(guò)電流會(huì)使電容過(guò)熱和過(guò)早失效。在降壓轉(zhuǎn)換器中，使用下列近似式，根據(jù)輸出電流
2019-07-11 08:19:55
的參數(shù)為焊接層溫度。此外，模型中引入電壓源補(bǔ)償環(huán)境溫度變化帶來(lái)的影響。2.6 溫度曲線借助熱模型，可以計(jì)算出在特定行駛循環(huán)的負(fù)載條件下，IGBT、二極管和焊接層的溫度。同時(shí)，需要考慮功率半導(dǎo)體模塊
2018-12-04 09:59:53
加入限流電阻；04.IGBT功率管的引腳與封裝是否一致，引腳焊盤大小和間距是否正確； 05.IGBT功率管需要大電流，布線采用雙層疊加布線，注意與小信號(hào)的隔離； 五。 單片機(jī)串口控制
2023-03-27 14:57:37
高手們發(fā)表些對(duì)于頻響曲線的理解唄
2019-01-04 17:36:30
；然而，大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個(gè)θ值，用于計(jì)算結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗。這是一種簡(jiǎn)化的裸片溫度計(jì)算方法，會(huì)導(dǎo)致涉及到的兩個(gè)結(jié)點(diǎn)溫度分析不正確。對(duì)于多裸片組件而言，θ值通常
2018-10-08 14:45:41
本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。
2021-05-14 06:52:53
用于對(duì)保護(hù)類、計(jì)量類CT/PT進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試，CT（保護(hù)類、計(jì)量類）PT? 伏安特性（勵(lì)磁特性）曲線? 伏安特性（勵(lì)磁特性）曲線? 自動(dòng)給出拐點(diǎn)值? 自動(dòng)給出拐點(diǎn)值? 自動(dòng)給出5%和10
2022-06-13 08:57:30
正確理解和測(cè)試信息技術(shù)設(shè)備的接地
正確理解電氣設(shè)備，尤其是敏感的信息技術(shù)設(shè)備的“接地”概念，是工程施工與檢測(cè)的基礎(chǔ)。所謂“接地”是否意味著必
2010-01-08 11:40:16725 
汽車級(jí)IGBT在混合動(dòng)力車中的設(shè)計(jì)應(yīng)用
針對(duì)汽車功率模塊需求，英飛凌通過(guò)增強(qiáng)IGBT的功率循環(huán)和溫度循環(huán)特性，并增加IGBT結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，大大提高了IGBT
2010-05-08 08:42:231302 
1 引言 了解共模和差模信號(hào)之間的差別,對(duì)正確理解
2010-06-13 17:50:404643 
本文不準(zhǔn)備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以
2010-12-06 10:52:451156 
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持
2012-10-09 14:06:404116 
本文是對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)的一些概念的理解
2012-10-24 14:46:024662 
正確理解Q值，交流電的功率及Q值的意義，RLC串聯(lián)諧振電路實(shí)驗(yàn)補(bǔ)充知識(shí)
。
2016-01-18 17:36:27
2 情況？有沒(méi)有可能遺漏了什么？ 20多年來(lái)，硅功率MOSFET已在開(kāi)關(guān)電源中占據(jù)主導(dǎo)地位。在這些應(yīng)用中，采用以前的雙極晶體管技術(shù)還無(wú)法實(shí)現(xiàn)高速和降低與頻率相對(duì)的功耗。隨著時(shí)間的推移，功率MOSFET已改進(jìn)，漸漸接近一個(gè)理想開(kāi)關(guān)的
2017-11-22 16:09:01289 
區(qū)塊鏈里的交易，大概可以理解為是 “A 地址轉(zhuǎn)給 B 地址 xx 個(gè)幣”，“B 地址轉(zhuǎn)給 C 地址 xx 個(gè)幣”這樣的信息。如果 C地址收到了 xx 個(gè)幣，但沒(méi)有往外轉(zhuǎn)，那這就會(huì)在 UTXO 數(shù)據(jù)庫(kù)
2018-10-23 14:26:03773 
市場(chǎng)上有許多的語(yǔ)音助手，哪個(gè)最好哪個(gè)最差呢？每年Loup Ventures都會(huì)測(cè)試一下，幫我們找到答案。它選出800個(gè)問(wèn)題，問(wèn)每一款語(yǔ)音助手，看看它們能否正確理解問(wèn)題，給出正確答案。
2019-01-01 09:41:007957 
本文將闡述IGBT模塊手冊(cè)所規(guī)定的主要技術(shù)指標(biāo)，包括電流參數(shù)、電壓參數(shù)、開(kāi)關(guān)參數(shù)極管參數(shù)及熱學(xué)參數(shù)，使大家正確的理解IGBT模塊規(guī)格書，為器件選型提供依據(jù)。本文所用參數(shù)數(shù)據(jù)以英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3為例。
2020-09-10 08:00:0030 來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 本文研究了逆變器核心開(kāi)關(guān)器件IGBT主要參數(shù)的選擇， 分析三相逆變電路拓?fù)浼?b class="flag-6" style="color: red">功率器件IGBT的應(yīng)用特點(diǎn)，根據(jù)其特點(diǎn)選擇合適額定電壓，額定電流和開(kāi)關(guān)參數(shù)。以及優(yōu)化設(shè)計(jì)柵電壓
2023-02-02 14:36:211476 了更高的挑戰(zhàn)，尤其是與熱相關(guān)的器件壽命方面，IGBT模塊在大功率應(yīng)用場(chǎng)合中的可靠性更顯得尤為重要。 常見(jiàn)與熱相關(guān)的器件老化降級(jí)現(xiàn)象： 焊線老化降級(jí) 金屬層錯(cuò)位 焊接失效 硅芯片和基板的分層 功率循環(huán)試驗(yàn)是一種業(yè)界公認(rèn)有效評(píng)估功率器件壽
2020-10-12 14:16:423595 2020 年是 AI 逐漸深入生活，倒逼各行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的一年。與此同時(shí)，隨著新技術(shù)的產(chǎn)生，也開(kāi)始帶來(lái)不少麻煩與問(wèn)題。如何正確理解新技術(shù)，并像解題一樣，解決與之相伴的新問(wèn)題，成為一項(xiàng)考驗(yàn)。 2020
2020-12-18 14:41:484934 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供正確理解電路保護(hù)設(shè)計(jì)及器件選擇資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:53:0212 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供選型必讀：正確理解電阻在電路中的作用資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-13 08:54:2359 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確理解嵌入式軟件可靠性設(shè)計(jì)？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-18 08:50:562 像素點(diǎn)越多，照片包含的原始信息就越接近真實(shí)，自然看起來(lái)也就越清晰。 我們從示波器上看到的波形其實(shí)也可以理解成一張照片，那么這張照片包含的點(diǎn)越多，自然也就越接近真實(shí)的樣子。 示波器的存儲(chǔ)深度就是表達(dá)了示波器最多能存儲(chǔ)多少個(gè)數(shù)
2021-07-27 16:19:148509 
大多數(shù)保護(hù)設(shè)備都有一個(gè)定義的脫扣曲線，也稱為時(shí)間/電流曲線，它描述了設(shè)備的行為。該曲線實(shí)際上是設(shè)備如何響應(yīng)電流變化的圖形表示。從功能角度來(lái)看，曲線參數(shù)指定將導(dǎo)致設(shè)備跳閘的高低電流閾值。
2021-09-21 16:30:003633 諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT
2022-08-06 14:54:531999 選型的小技巧。作為一個(gè)擁有18年品牌電感代工歷史的國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)電感制造廠家，對(duì)于功率貼片電感選擇的理解，其實(shí)更重要的是選擇什么樣的廠家！ 選擇正確的功率貼片電感規(guī)格型號(hào)當(dāng)然是沒(méi)有錯(cuò)的，但電感是由廠家設(shè)計(jì)、加工制造的
2022-11-01 20:24:07312 
諸如高環(huán)境溫度、暴露于機(jī)械沖擊以及特定的驅(qū)動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對(duì)IGBT功率模塊的機(jī)械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對(duì)IGBT的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。
2022-12-02 11:46:35968 功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開(kāi)通，M2關(guān)掉的時(shí)候，電源VCC通過(guò)M1和Rg給Cgs，Cgd充電，從而使MOSFET開(kāi)通，其充電簡(jiǎn)化電路見(jiàn)圖2。
2022-12-06 13:55:261459 隨著我國(guó)武器裝備系統(tǒng)復(fù)雜性提升和功率等級(jí)提升，對(duì)IGBT模塊的需求劇增，IGBT可靠性直接影響裝備系統(tǒng)的可靠性。選取同一封裝不同材料陶瓷基板的IGBT模塊，分別進(jìn)行了溫度循環(huán)試驗(yàn)和介質(zhì)耐電壓試驗(yàn)
2023-02-01 15:48:053470 正確理解IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系，對(duì)了解產(chǎn)品特性，指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用足產(chǎn)品特性，符合規(guī)范很有幫助，熟悉標(biāo)準(zhǔn)的工程師會(huì)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中更游刃有余。
2023-02-07 16:52:55987 
使用功率 MOSFET Zth 曲線-AN11156
2023-02-17 18:49:230 本測(cè)試設(shè)備可對(duì)大功率IGBT器件進(jìn)行功率循環(huán)耐久性試驗(yàn)，以確認(rèn)IGBT器件承受結(jié)溫波動(dòng)的能力，通過(guò)試驗(yàn)前后各種電參數(shù)變化判斷IGBT器件內(nèi)部制造工藝可靠性及器件的使用壽命，用于研究電力電子
2023-02-23 09:48:244 輸出功率與頻率曲線是指在變頻器輸出頻率不同的情況下，電機(jī)輸出功率隨頻率變化的曲線。通常來(lái)說(shuō)，該曲線呈現(xiàn)出一定的非線性特征，即在頻率較低或較高時(shí)，電機(jī)的輸出功率較低，而在一定的頻率范圍內(nèi)，電機(jī)的輸出功率達(dá)到最大值。
2023-02-28 16:17:233919 大功率電感廠家科普直插大功率電感正確選型技巧 編輯：谷景電子 直插大功率電感是s所有電感產(chǎn)品中非常重要的一個(gè)品類，直插大功率電感的類型其實(shí)可以分成很多種類，這里就不再給大家作過(guò)多贅述了。有一些人
2023-03-13 15:27:47567 當(dāng)我們?cè)谶x擇一款IGBT模塊做功率回路設(shè)計(jì)時(shí)，首先都會(huì)問(wèn)到兩個(gè)最基本的參數(shù)，這個(gè)模塊是多少伏、多少安培的？
2023-05-16 16:54:247703 
近年來(lái)IGBT的可靠性問(wèn)題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來(lái)評(píng)估
2022-04-08 10:26:22900 
IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ?。它是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會(huì)變得無(wú)能
2023-03-30 10:29:45992 
到 IGBT 模塊內(nèi)部鍵合線的脫落趨勢(shì)，結(jié)合壽命模型和威布爾統(tǒng)計(jì)方法，對(duì)鍵合點(diǎn)壽命進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，最終獲得功率循環(huán)壽命曲線。利用新的功率循環(huán)壽命統(tǒng)計(jì)方法可將試驗(yàn)成本和試驗(yàn)周期減少 80%。
2023-08-08 10:56:361216 
它在半導(dǎo)體領(lǐng)域嶄露頭角，成為現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展不可或缺的重要組成部分。為了更好地理解IGBT的發(fā)展歷程，讓我們深入探索這一激動(dòng)人心的故事。
2023-09-05 10:15:39449 經(jīng)常聽(tīng)到功率循環(huán)這個(gè)實(shí)驗(yàn)，總覺(jué)得這個(gè)不是很簡(jiǎn)單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動(dòng)，然后經(jīng)過(guò)幾萬(wàn)次循環(huán)，再測(cè)試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來(lái)確定循環(huán)次數(shù)。
2023-10-19 11:32:24547 
大功率應(yīng)用中，如電動(dòng)汽車、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊和IGBT器件之前，我們先來(lái)了解一下IGBT的基本工作原理和應(yīng)用特點(diǎn)。 1. IGBT的工作原理
2023-11-10 14:26:281270 服役狀態(tài)下的 IGBT 模塊處于亞穩(wěn)定狀態(tài)，其材料和結(jié)構(gòu)會(huì)隨著時(shí)間的推移發(fā)生狀態(tài)改變或退化。IGBT 模塊在整個(gè)壽命周期內(nèi)，會(huì)經(jīng)歷數(shù)萬(wàn)至數(shù)百萬(wàn)次的溫度循環(huán)沖擊，這期間熱應(yīng)力的反復(fù)作用會(huì)使材料發(fā)生疲勞，造成模塊封裝結(jié)構(gòu)的逐漸退化。
2023-11-19 10:03:53303 
如何正確理解運(yùn)算放大器輸入失調(diào)電壓？
2023-12-07 11:05:11227 
車用 IGBT 模塊對(duì)產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過(guò)嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 和 AQG-324, 其中溫度沖擊, 功率循環(huán)
2023-12-01 15:48:31191 
如何理解ABB低壓斷路器的保護(hù)曲線? ABB低壓斷路器的保護(hù)曲線是指在不同的故障電流下斷路器所提供的保護(hù)動(dòng)作時(shí)間。保護(hù)曲線的理解對(duì)于正確選擇和使用低壓斷路器非常重要，因?yàn)樗梢詭椭覀兇_定斷路器
2024-02-04 16:18:00238 如何理解IGBT的四種SOA？ IGBT的四種SOA表示了IGBT器件在不同工作狀態(tài)下的安全操作區(qū)域。這四種SOA是：Continuous SOA、Limited SOA、Pulse SOA
2024-02-18 11:04:17191 更好的理解這兩種功率形式，快來(lái)一起學(xué)習(xí)吧。一、定義闡述有功功率與無(wú)功功率01有功功率：是指用電設(shè)備用于做功所需的電功率，其產(chǎn)生的電能將通過(guò)用電設(shè)備轉(zhuǎn)換為其他形式能量
2024-03-20 08:21:4460 
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