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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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無刷直流電機(jī)提供穩(wěn)健性和可靠性,并且易于構(gòu)建和控制。無刷直流電機(jī)是一種將直流電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的電動機(jī)。它使用磁場來產(chǎn)生運(yùn)動。由永磁轉(zhuǎn)子和旋轉(zhuǎn)磁場定子組成...
2021-06-26 標(biāo)簽:PWMIGBT數(shù)字信號處理器 2383 0
igbt功率管和場效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們在許多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們在...
2024-08-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT功率管 2377 0
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時,我們通過建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳...
2023-04-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源變頻器IGBT 2370 0
伺服系統(tǒng)破局點(diǎn):如何實(shí)現(xiàn)工業(yè)機(jī)器人的小型化
磁電式編碼器使用磁場感應(yīng)元器件代替碼盤,因此可以在提高精度的同時保證體積相對較小。但是磁電編碼器價格比較昂貴,目前僅在精度要求、工況要求相對較高的領(lǐng)域適...
2022-09-08 標(biāo)簽:IGBT光電編碼器工業(yè)機(jī)器人 2370 0
IGBT動態(tài)斬波雙脈沖測試實(shí)驗(yàn)及其注意事項(xiàng)
對電力電子工程師而言,功率組件是我們的設(shè)計(jì)對象,而IGBT由于其出色的特性被廣泛使用于功率組件中。 功率組件的效率、保護(hù)功能、EMC等 表現(xiàn)和IGBT的...
深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)
在車載鏡頭領(lǐng)域,舜宇光學(xué)(02382.HK)龍頭地位穩(wěn)固,其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一,2020年市占率32%,與第二名份額拉開較大差距。
將電磁感應(yīng)加熱應(yīng)用的IGBT功率損耗降至最低
在此應(yīng)用中IGBT的總功率損耗包含導(dǎo)通損耗、導(dǎo)電損耗、關(guān)閉損耗及二極管損耗。二極管損耗在總功率損耗中所占比例可以忽略不計(jì),而如果使用了零電壓開關(guān)(ZVS...
2013-12-18 標(biāo)簽:IGBT 2354 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2350 0
IGBT雙脈沖仿真—脈沖寬度、負(fù)柵極電壓、發(fā)射極寄生電感的影響
階段2(tl—t2):在t1時刻,VGE>Vth,溝道開啟,電子開始通過溝道注入到基區(qū),同時背面的集電極開始向基區(qū)內(nèi)注入空穴,集電極開始產(chǎn)生電流I...
電機(jī)控制器由于原來通過逆變橋調(diào)制輸出正弦波來驅(qū)動電機(jī)的設(shè)備,變成了多種功能的集合體。集成式電機(jī)控制器包括:①配電回路:為集成控制器各部分提供配電,如TM...
基于IGBT模塊和驅(qū)動器IC的電機(jī)驅(qū)動和逆變器設(shè)計(jì)方案
電機(jī)和逆變器的使用在工業(yè)自動化、機(jī)器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應(yīng)用中持續(xù)增長。伴隨著這種增長,對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設(shè)...
2022-07-21 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動IGBT 2333 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
采用IGBT5.XT技術(shù)的PrimePACK?為風(fēng)能變流器提供卓越的解決方案
本文由英飛凌科技的現(xiàn)場應(yīng)用工程師MarcelMorisse與高級技術(shù)市場經(jīng)理MichaelBusshardt共同撰寫。鑒于迫切的環(huán)境需求,我們必須確保清...
通過IGBT簡化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能
大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外...
我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件,這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...
2025-01-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2307 0
有的現(xiàn)場使用變頻器控制電機(jī)會出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓有幾十伏到200伏不等,在這里針對此故障的原因進(jìn)行理論的分析。我們都知道電動機(jī)的三相定子繞組流過電流產(chǎn)...
無刷直流電機(jī)控制器六個功率管如何控制120度和60度的?
無刷直流電機(jī)(BLDC)控制器中的六個功率管在控制120度和60度換相時,扮演著至關(guān)重要的角色。這兩種控制方式主要區(qū)別在于換相時功率管的開關(guān)序列和時序,...
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