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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別 SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別
率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,對其改良可以實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化。SiC 功率元器件半導(dǎo)體具有低損耗、高速開關(guān)、高溫工作等優(yōu)勢。
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-...
光伏儲能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們在系統(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 2283 0
看完后,搞懂開關(guān)電源設(shè)計的這些指標(biāo)一點都不難!
中國一般是220V,由于電網(wǎng)電壓的不穩(wěn)定,很多時候要求寬電壓輸入,所以會設(shè)計成90-270V都能正常工作。通常美國用電范圍為110-130V,日本用電范...
2023-07-11 標(biāo)簽:變壓器開關(guān)電源MOS管 2279 0
功率循環(huán)試驗中最重要的是準(zhǔn)確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?;谕☉B(tài)特性的電學(xué)參...
2023-02-06 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 2273 0
為什么要進行IGBT壽命估算?IGBT壽命估算工具能做什么?
器件的壽命是對于不同場景使用而言的,不同環(huán)境下每個器件的壽命有所差別。影響器件使用時間的首先是器件本身的性能,其次是它的工作環(huán)境。
開通、導(dǎo)通和關(guān)斷損耗構(gòu)成了 IGBT 芯片損耗的總和。關(guān)斷狀態(tài)損耗可以忽略不計,不需要計算。為了計算 IGBT 的總功率損耗,須將這三個能量之和乘以開關(guān)頻率。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)緩沖電路在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其原理和...
代對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
對于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
在ROS學(xué)習(xí)平臺中常常使用到的直流電機控制原理與驅(qū)動電路
在使用ROS機器人構(gòu)建地圖的過程中,需要在房間內(nèi)自主運行,采集地圖信息。這個過程中需要控制電機的正反轉(zhuǎn),電機的轉(zhuǎn)速,以適應(yīng)機器人直行,轉(zhuǎn)彎等動作。
儲能逆變器的作用不僅有利于提升儲能系統(tǒng)的效率及運行穩(wěn)定性,而且也是整個儲能系統(tǒng)中多種信息傳遞與處理、實時人機交互的信息平臺,是非常關(guān)鍵設(shè)備。
標(biāo)簽:電力電子器件IGBT半導(dǎo)體器件 2244 0
IGBT 模塊是由 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與 FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的 IGBT 模塊...
2024-03-27 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 2243 0
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