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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3054個 瀏覽：254093次 帖子：482個

      igbt技術

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      2023-05-24 標簽：MOSFETIGBT晶體管 2124 0

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      1. 每個IGBT有獨立的驅動器； 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯(lián)，兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連； 3. 可能存在發(fā)射極環(huán)流，但不同的IGBT...

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