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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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變頻器(Variable-frequency Drive,VFD)是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過(guò)改變電機(jī)工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備...
BGH75N120HF1在工商業(yè)儲(chǔ)能PCS變流器中的應(yīng)用
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是一種應(yīng)用最為廣泛的多電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
變頻技術(shù)的發(fā)展過(guò)程簡(jiǎn)述
矢量控制變頻調(diào)速的做法是:將異步電動(dòng)機(jī)在三相坐標(biāo)系下的定子交流電流Ia、Ib、Ic、通過(guò)三相—二相變換,等效成兩相靜止坐標(biāo)系下的交流電流Ia1Ib1,再...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
為什么要擔(dān)心柵極驅(qū)動(dòng)器的電源?
在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號(hào)主動(dòng)驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng) DC/DC 上電或斷電時(shí),即使 PWM 信號(hào)處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1870 0
前幾天,一臺(tái)ACS800變頻器剛開機(jī)就出現(xiàn)了電流與頻率波動(dòng)的情況,而且波動(dòng)的幅度比較大,完全超出了因負(fù)載變化而引起的波動(dòng)幅值,第一感覺(jué)就是變頻器出了問(wèn)題...
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)過(guò)程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分,直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開關(guān)過(guò)...
如何為IGBT提供合適柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)器
在開關(guān)期間,晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這將導(dǎo)致一定的損耗,具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(參見(jiàn)圖2)。目標(biāo)是要最大程度地減...
2019-10-10 標(biāo)簽:IGBT總線柵極驅(qū)動(dòng)器 1858 0
與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同,雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量,其熱測(cè)試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模...
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1857 0
使用高壓電子設(shè)計(jì)?這些規(guī)范知識(shí)你應(yīng)該知道的
對(duì)于將設(shè)計(jì)時(shí)間花在個(gè)位數(shù)、低壓世界的工程師來(lái)說(shuō),“高壓”一詞可能會(huì)讓人聯(lián)想到兩位數(shù)的電壓,可能高達(dá) 24V 或 48V DC,甚至是三位數(shù)的電壓域120...
本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究,用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過(guò)去的幾年里,半導(dǎo)體技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,特別是在電力電子領(lǐng)域,在研究...
如何使用UCC217XX實(shí)現(xiàn)高精度的溫度采樣
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅 MOSFET 和IGBT ,具有高級(jí)保護(hù)功能,一流的動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔...
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1855 0
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器逆變器IGBT 1854 0
變頻器是一種靜止的頻率變換器,可將電網(wǎng)電源的50Hz頻率交流電變成頻率可調(diào)的交流電,作為電動(dòng)機(jī)的電源裝置,目前在國(guó)內(nèi)外使用廣泛。使用變頻器可以節(jié)能、提高...
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器絕緣能力的最大功率限制
對(duì)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)器電氣過(guò)應(yīng)力測(cè)試(EOS測(cè)試),設(shè)置了一個(gè)非常接近真實(shí)條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1852 0
去客戶工廠參觀交流,了解到他們用到了我們代理的芯控源的IGBT模塊AGM25T12W2T4,就想給大家講下關(guān)于IGBT的知識(shí)和這款產(chǎn)品!
2023-06-21 標(biāo)簽:英飛凌三極管場(chǎng)效應(yīng)管 1847 0
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件,因其高效率和快速開關(guān)特性而受到青睞。
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