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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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      igbt技術(shù)

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      2023-02-08 標(biāo)簽：電機(jī)IGBT功率 1819 0

      IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題？

      功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會使得封裝體和裸芯的溫度更...

      2023-03-20 標(biāo)簽：封裝IGBT失效機(jī)理 1816 0

      討論下電動汽車的發(fā)電模式

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      功率模塊在電動汽車內(nèi)部工作時，是兩種模式；

      2023-05-30 標(biāo)簽：電動汽車二極管MOSFET 1816 0

      車規(guī)級IGBT功率模塊散熱基板技術(shù)

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      散熱基板是IGBT功率模塊的核心散熱功能結(jié)構(gòu)與通道，也是模塊中價(jià)值占比較高的重要部件，車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板必須具備良好的熱傳導(dǎo)性能、與芯片和覆銅...

      2023-07-06 標(biāo)簽：IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1813 0

      選擇IGBT的基本原則是什么

      選擇IGBT的基本原則涉及以下幾個方面： 電壓等級：選擇合適的IGBT要考慮其能夠承受的電壓等級。通常情況下，IGBT的額定電壓等級應(yīng)大于實(shí)際電路中的最...

      2024-03-12 標(biāo)簽：封裝電壓散熱器 1807 0

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      由于逆變電源在電路中肩負(fù)著直流和交流之間的轉(zhuǎn)換，所以其安全性就顯得尤為重要。如果逆變電源出現(xiàn)短路的情況，那么就有可能出現(xiàn)燒毀的情況，想要有效避免短路情況...

      2015-07-24 標(biāo)簽：IGBT逆變電源 1801 1

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      MCU，又稱單片機(jī)，-般只包含CPU這一個處理器單元;MCU=CPU+存儲+接口單元;而SoC是 系統(tǒng)級芯片，- -般包含多個處理器單元;如SoC可為C...

      2022-08-10 標(biāo)簽：mcuIGBT自動駕駛 1797 0

      影響IGBT功率模塊散熱的因素

      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳...

      2024-07-26 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率模塊 1797 0

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      2023-05-09 標(biāo)簽：IGBT快恢復(fù)二極管光伏逆變器 1791 0

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      公共阻抗耦合： 當(dāng)兩個電路的地電流流過一個公共阻抗時 ，就會發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號回流線 ，一個電路的工作 狀態(tài)必然會影響地線電壓 ， 當(dāng)兩...

      2024-03-13 標(biāo)簽：MOSFET電磁兼容開關(guān)電源 1785 0

      如何選擇后級逆變的IGBT？

      FHA40T65A是一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝，來獲得極低的 V...

      2023-01-10 標(biāo)簽：IGBT光伏逆變器 1782 0

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      功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。

      2024-04-18 標(biāo)簽：IGBT晶體管寬禁帶 1780 0

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      2022-12-22 標(biāo)簽：處理器驅(qū)動器IGBT 1776 0

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      IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極性晶體管）被廣泛應(yīng)用于高壓和高頻率的功率電子領(lǐng)域，例如電力傳輸、...

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      變頻器的參數(shù)設(shè)定在調(diào)試過程中是十分重要的。由于參數(shù)設(shè)定不當(dāng)，不能滿足生產(chǎn)的需要，導(dǎo)致起動、制動的失敗，或工作時常跳閘，嚴(yán)重時會燒毀功率模塊IGBT或整流...

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      2024-07-25 標(biāo)簽：IGBT晶體管尖峰 1774 0

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      自20世紀(jì)70年代全球爆發(fā)石油危機(jī)以來，太陽能光伏發(fā)電技術(shù)引起了各國高度重視，光伏行業(yè)在全球迅速發(fā)展，經(jīng)過多年的研究和技術(shù)開發(fā)，太陽能光伏組件價(jià)格已大幅...

      2024-01-15 標(biāo)簽：太陽能IGBT光伏發(fā)電 1770 0

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      IGBT，全稱絕緣柵雙極性晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）和BJT（雙極性晶...

      2024-08-19 標(biāo)簽：芯片IGBT晶體管 1768 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場舉行的國慶聯(lián)歡晚會上面世。這是新中國成立六十周年國慶晚會最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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