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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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igbt技術

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2017-04-22 標簽：電動汽車逆變器 igbt 1659 0

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變頻器和電動機簡述

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功率半導體是一種用于電力電子轉(zhuǎn)換的關鍵組件，它能夠?qū)崿F(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換、傳輸和控制。功率半導體在工業(yè)、消費電子、交通運輸、能源等多個領域具有廣泛的應用，如...

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逆變器中MOS管和IGBT的選型對EMC有什么影響

逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insula...

2024-10-08 標簽：MOSFET MOS管逆變器 1635 0

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2024-04-24 標簽：二極管 IGBT 功率器件 1622 0

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新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)

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