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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

650V耐壓IGBT RGTV/RGW系列介紹

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ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開(kāi)關(guān)型)”共21種機(jī)型,該系列產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)界頂級(jí)的低...

2023-02-09 標(biāo)簽:電阻IGBT 1598 0

IGBT是什么驅(qū)動(dòng)型器件

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體...

2024-01-22 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管工業(yè)控制 1598 0

電源設(shè)計(jì)中有哪些困難

我們都知道,電源設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書(shū)選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)...

2020-10-06 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)IGBTEMC 1593 0

針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

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對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)停ā?00 W),并...

2013-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1593 0

淺析IGBT成為熱門的技術(shù)原因及應(yīng)用

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近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè),好像都涉及到了這個(gè)名詞。

2024-04-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻IGBT 1588 0

IGBT窄脈沖現(xiàn)象的原因

IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān),從門級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開(kāi)關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震...

2023-04-19 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān) 1588 0

IGBT是什么 IGBT電路圖符號(hào)

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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...

2024-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 1587 0

IGBT—儲(chǔ)能端分析

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功率電子器件是PCS的核心組成部分,主要實(shí)現(xiàn)電能的轉(zhuǎn)換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件,今天我們主要來(lái)學(xué)習(xí)IGBT。

2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓IGBT 1580 0

變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器過(guò)壓保護(hù)方案

眾所周知,在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為...

2023-04-15 標(biāo)簽:二極管TVS逆變器 1578 0

IGBT芯片主要用在哪兒

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如今全球的汽車已經(jīng)進(jìn)入到智能化時(shí)代,汽車對(duì)于芯片的需求劇烈增加,以往一個(gè)傳統(tǒng)汽車需要的芯片數(shù)量是在五六百顆,到如今一臺(tái)具備L2駕駛級(jí)別的高配燃油車就需要...

2024-01-03 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體cpu 1574 0

IR推出可靠的超高速1200 V IGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)...

2011-09-07 標(biāo)簽:晶圓IRIGBT 1572 0

永磁同步電機(jī)控制系統(tǒng)仿真—逆變器模型(2)

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三相兩電平逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下圖所示,由3個(gè)H半橋組成,因此直流側(cè)正母線電流i_p為三個(gè)H半橋的正母線電流之和,直流負(fù)母線電流i_n為三個(gè)H半橋的負(fù)母線電流之和。

2023-06-25 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)逆變器仿真器 1569 0

解讀IGBT多物理場(chǎng)數(shù)字孿生方法

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連續(xù)幾個(gè)月都在討論仿真的學(xué)習(xí)方法和內(nèi)在原則,未來(lái)在尺度方面還會(huì)有繼續(xù)的引申。這一類文章更適合于有仿真經(jīng)驗(yàn)的學(xué)習(xí)者。

2023-07-15 標(biāo)簽:傳感器電路板仿真 1563 0

IGBT過(guò)流保護(hù)技術(shù)在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶...

2022-07-13 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT晶體管 1561 0

ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開(kāi)發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問(wèn)題呢?

ROHM BM6337x/BM6357x系列如何解決開(kāi)發(fā)背景中出現(xiàn)的各種問(wèn)題呢?

BM6337x/BM6357x系列最重要的亮點(diǎn)是同時(shí)實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的降噪性能和低損耗性能。

2024-04-03 標(biāo)簽:熱敏電阻變頻器IGBT 1558 0

IGBT輸出IV溫度特性介紹

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IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長(zhǎng)度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm

2023-07-05 標(biāo)簽:多晶硅IGBT輸入電容 1554 0

絕緣柵雙極晶體管的實(shí)用指南

絕緣柵雙極晶體管的實(shí)用指南

 這是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的實(shí)用指南。您將從實(shí)際的角度學(xué)習(xí)如何使用它——而無(wú)需深入研究它內(nèi)部的物理外觀。IGBT通常被描述為復(fù)雜而先進(jìn)的東西。但...

2024-02-11 標(biāo)簽:IGBT晶體管絕緣柵 1550 0

電壓型逆變器是用什么來(lái)緩沖無(wú)功能量的

電壓型逆變器是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備。在電壓型逆變器中,無(wú)功能量主要是指在開(kāi)關(guān)器件導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生的電壓和電流突變,這些突變會(huì)導(dǎo)...

2024-07-05 標(biāo)簽:電子設(shè)備控制電路IGBT 1544 0

請(qǐng)問(wèn)一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?

請(qǐng)問(wèn)一下IGBT是如何實(shí)現(xiàn)電路控制的?

絕緣柵雙極晶體管(英語(yǔ):Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT),是半導(dǎo)體器件的一種,主要用于新能源電動(dòng)汽車、及...

2023-08-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1539 0

igbt導(dǎo)通后,流過(guò)它的電流由什么決定

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)導(dǎo)通后,流過(guò)它的電流由多個(gè)因素共同決定,主要包括以下幾...

2024-09-19 標(biāo)簽:電流IGBT晶體管 1537 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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