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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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柵極環(huán)路電感對(duì)IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關(guān)特性的影響簡析
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器電磁兼容IGBT 1436 0
IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用 本文以HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器為例,詳盡地闡述了IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的基本原理,并重點(diǎn)...
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 1433 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率電子器件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換、太陽能逆變器等領(lǐng)域。在這些應(yīng)用中,IGBT需要承受高電壓、大電流和高頻率的...
上期EV焦點(diǎn)欄目 我們聊了聊電動(dòng)汽車為什么要上800V,也大致了解了SiC和800V互相成就的關(guān)系。今天這期,我們相對(duì)放大一下,聊聊SiC在電動(dòng)汽車上的應(yīng)用。
2024-01-02 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET電池充電 1426 0
PWM是脈寬調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來說,就需要三個(gè)橋臂。 以兩電平為例,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電...
我們都知道,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2023-02-07 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1419 0
CM3003:高性價(jià)比MOS管/IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器
摘要:CM3003是一款高性價(jià)比的MOS管和IGBT管柵極驅(qū)動(dòng)器芯片,具有邏輯信號(hào)輸入處理、欠壓保護(hù)、電平位移、脈沖濾波和輸出驅(qū)動(dòng)等功能。該芯片適用于無...
2023-06-08 標(biāo)簽:MOS管IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1411 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(2)
上一節(jié)的分析中,僅考慮了PIN1,而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接,而PIN2則與基區(qū)相連接。
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率?影響高壓電源轉(zhuǎn)換效率的主要因素
高壓電源轉(zhuǎn)換的電源效率是指在電源將高壓輸入轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓時(shí),能夠?qū)⒍嗌佥斎牍β兽D(zhuǎn)化為有用的輸出功率的比例。
2023-09-04 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1401 0
想要從零了解汽車電控IGBT模塊看這一篇就夠了!根據(jù)乘聯(lián)會(huì)數(shù)據(jù),2022年6月新能源車國內(nèi)零售滲透率27.4%,并且2022年6月29日歐盟對(duì)外宣布,歐...
600V、20A型號(hào)參數(shù),樹墻修剪機(jī)電機(jī)IGBT型號(hào)推薦FHF20T60A型號(hào)代換!
樹墻修剪機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路想在市場中獲得競爭優(yōu)勢(shì),選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT是非常重要的。市場中FHF20T60A的IGBT單管是優(yōu)質(zhì)代換NCE20TD60BF參...
2023-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電機(jī)IGBT 1396 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種電力電子器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)。IGBT在許多領(lǐng)域中...
奧迪電機(jī)驅(qū)動(dòng)器(MCU)系統(tǒng)框圖、芯片、功能拆解
E-tron的逆變器的電壓覆蓋范圍為150V-460V,10 秒持續(xù)的最大電流為 530A,持續(xù)電流最大為 260A,功率密度為30kVA/L,和特斯拉...
始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料,其中較為矚目的莫過于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度
牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器IGBT 1385 0
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