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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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SKiN技術(shù)由2011年開始使用,包括將芯片燒結(jié)到DCB基板,將芯片的頂部側(cè)燒結(jié)到柔性電路板,以及將基板燒結(jié)到針翅片散熱器。該技術(shù)減小了模塊的體積和重量...
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的...
2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1384 0
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)與應(yīng)用
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源整流器 1383 0
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?
? 功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管 (IGBT) 或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、光伏...
ACPL-339J是一款先進(jìn)的1.0 A雙輸出,易于使用,智能的手機(jī)IGBT門驅(qū)動(dòng)光耦合器接口。專為支持而設(shè)計(jì)MOSFET制造商的各種電流評(píng)級(jí),ACPL...
如何進(jìn)行正確的IPM短路保護(hù)設(shè)計(jì)
在家用電器等應(yīng)用中常使用單電阻采樣電路,并通常使用RC低通濾波器消除采樣電阻上的高頻噪聲。下圖是采用單電阻采樣的典型電路。
2023-06-13 標(biāo)簽:保護(hù)電路功率開關(guān)IGBT 1373 0
氣候變化、人口結(jié)構(gòu)變化和城市化等大趨勢(shì)正在改變世界。這些推動(dòng)了能源效率、綠色能源和電氣化等行業(yè)趨勢(shì),這些關(guān)鍵主題提出了新的要求和挑戰(zhàn)。工程師的目標(biāo)是在下...
瑞薩電子推出推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC—RAJ2930004AGM
柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
2023-02-02 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)IC 1371 0
SimpleFOC之多路PWM驅(qū)動(dòng),相電流監(jiān)測(cè)2
開關(guān)元器件的和嚴(yán)格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關(guān)器件,其開通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間不是嚴(yán)格一致的,如果兩端有電壓,將導(dǎo)致直流電源短路,損壞橋臂...
IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國(guó)有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商
隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來(lái)的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國(guó)際大廠的訂單整體處于相對(duì)飽滿的狀態(tài)...
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2023-02-07 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT變流器 1367 0
UPS工頻逆變器常見使用在IT設(shè)備、數(shù)據(jù)中心、商業(yè)設(shè)施、信息通訊、工業(yè)、交通電源系統(tǒng)等領(lǐng)域。
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(1)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來(lái)處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
本文解決了這些問(wèn)題,并通過(guò)并行比較,證明了碳化硅(SiC)是迄今為止在高功率應(yīng)用中優(yōu)于硅基器件的選擇。該演示使用 UPS 和充電器系統(tǒng)的一個(gè)重要部分,即...
電力電子元件可提高所有行業(yè)和應(yīng)用中電機(jī)和馬達(dá)的能源效率。這些電力電子元件越來(lái)越多地被更密集地封裝在一起,靠近或放置在電機(jī)本身附近或上面,因此受到應(yīng)用中的...
N+緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)MCT瞬態(tài)特性(TLP)的影響
隨著功率MOSFET和IGBT的出現(xiàn),雙極型晶體管的發(fā)展受到一定影響。但在更高電壓、更大電流的應(yīng)用中,隨著外延層(或單晶)厚度、電阻率的的增加,MOSF...
請(qǐng)教下THT通孔IGBT器件焊接起始面和焊接終止面相反焊接是否有影響
各位老師,請(qǐng)教下THT通孔 IGBT器件,焊接起始面和焊接終止面焊盤尺寸形狀完全相同,因焊接起始面有元件干涉,改為從焊接終止面開始焊接,通孔爬錫高度10...
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