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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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變壓器結(jié)電容相對于電壓變化率過大,導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個問題導(dǎo)致的后果是,輸出邏輯錯誤,控制電路被干擾,電路失效等。
2023-12-22 標(biāo)簽:變壓器智能電網(wǎng)IGBT 1345 0
安建采用7層光罩工藝的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圓
依托于光刻機(jī)的光罩(Litho)工藝是半導(dǎo)體芯片加工流程中的核心工藝,光罩的層數(shù)是影響半導(dǎo)體芯片工藝復(fù)雜度及加工成本的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)代溝槽-場截止型IGB...
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1343 0
單相組串式逆變器在家用市場中的發(fā)展越發(fā)側(cè)重在互聯(lián)網(wǎng)連接隨時隨地監(jiān)控實(shí)的時代,因此模塊級對于電源優(yōu)化器的需求是有顯著增長的勢頭。
2023-05-17 標(biāo)簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1334 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—IV關(guān)系(1)
我們曾在文中反復(fù)提及,電壓是電場的積分,而電場是電荷的積分,所以要得到電壓的關(guān)斷瞬態(tài),就必須弄清楚電荷的分布以及積分的邊界。
車用 IGBT 模塊對產(chǎn)品性能和質(zhì)量的要求要明顯高于消費(fèi)和工控領(lǐng)域, 需要通過嚴(yán)格的車規(guī)認(rèn)證, 汽車 IGBT 模塊測試標(biāo)準(zhǔn)主要參照 AEC-Q101 ...
當(dāng)IGBT和二極管的功能結(jié)合在單個硅片上時,就產(chǎn)生了反向?qū)щ奍GBT(RC-IGBT)。這使得標(biāo)準(zhǔn)的IGBT/二極管模塊可以在單個硅芯片上構(gòu)建,從而增強(qiáng)...
電動汽車驅(qū)動電機(jī)技術(shù)的發(fā)展趨勢
驅(qū)動電機(jī)主要為機(jī)械部件,原材料成本相對容易核算,在行業(yè)競爭日趨激烈的情況下,提升電機(jī)的功率重量密度和功率體積密度,使電機(jī)重量減輕是降低驅(qū)動電機(jī)產(chǎn)品成本的...
2023-08-23 標(biāo)簽:逆變器IGBT驅(qū)動電機(jī) 1327 0
IGBT與功率MOS最大的區(qū)別就是背面多了一個pn結(jié),在正向?qū)〞r,背面pn結(jié)構(gòu)向N-區(qū)注入空穴,使得N-區(qū)的電阻率急劇減?。措妼?dǎo)調(diào)制效應(yīng))。
嵌入式設(shè)計(jì)用于解決智??能電源要求的MCU功能
使能引腳可以在錯誤條件下輕松覆蓋 PWM 控制輸入,從而提高安全性和可靠性。此外,框圖中間的 UVLO 模塊有助于控制驅(qū)動器的斜升(它使驅(qū)動器保持關(guān)閉,...
2022-08-03 標(biāo)簽:mcuIGBT模數(shù)轉(zhuǎn)換器 1320 0
基于進(jìn)一步提升電驅(qū)動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設(shè)計(jì)了一款碳化硅三合一電驅(qū)動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅(qū)動電機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方案,并詳細(xì)闡述了碳化硅三...
柵極驅(qū)動DCDC電源模塊在電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的應(yīng)用
在現(xiàn)代電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,高效能與高安全性是設(shè)計(jì)的核心目標(biāo)。而功率半導(dǎo)體器 (如 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN器件) 的性能直接決定系統(tǒng)的效率...
2025-01-09 標(biāo)簽:電機(jī)IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 1315 0
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對電場積分,我們看看隨著增長,即耗盡區(qū)深度的增長,柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件,它們在電力電子、能量轉(zhuǎn)換、汽車電子等多個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開關(guān)器件,但它...
薩科微slkor半導(dǎo)體的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器SL27511介紹
電機(jī)作為工業(yè)生產(chǎn)的一種重要設(shè)備,為了能夠滿足不同應(yīng)用場景需求,對電機(jī)的控制要求也不斷的提高。
對于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?,再到更?fù)雜的變流器
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
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