完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3053個(gè) 瀏覽:254058次 帖子:482個(gè)
其利天下技術(shù)·mos管和IGBT有什么區(qū)別
MOS管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)和IGBT(Insulated-GateBip...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子裝置中的核心器件,其性能的穩(wěn)定性和可靠性對(duì)...
開(kāi)關(guān)變換器與諧振變換器在電力電子領(lǐng)域中扮演著重要的角色,它們各自具有獨(dú)特的工作原理、特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)探討這兩種變換器的區(qū)別,包括其定...
2024-07-16 標(biāo)簽:IGBT開(kāi)關(guān)變換器諧振變換器 1307 0
怎么選擇一款優(yōu)質(zhì)的IGBT單管應(yīng)用于UPS的全橋IGBT逆變電路中?
UPS已經(jīng)作為很多大型展會(huì)的應(yīng)急電源來(lái)使用,就在11月21日綿陽(yáng)科博會(huì)的配電室正安裝了UPS作為應(yīng)急電源。
碳化硅成本何時(shí)下降?超充與換電方案孰優(yōu)孰劣?
續(xù)航以及補(bǔ)能問(wèn)題一直是困擾電動(dòng)汽車發(fā)展的因素,當(dāng)前主流電動(dòng)汽車的電氣系統(tǒng)電壓范圍在230V-480V,在相關(guān)法規(guī)政策明確限定充電樁充電電流的情況下,電動(dòng)...
igbt模塊散熱基板的作用及種類 車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊散熱方式
間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板-...
IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8...
因?yàn)殡娮訌馁M(fèi)米能級(jí)高位向低位流動(dòng),因此根據(jù)電子電流的流向很容易繪出費(fèi)米能級(jí)的彎曲方向,這里將BJT發(fā)射極到集電極的導(dǎo)帶及價(jià)帶能帶示意圖繪制如圖所示。
關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無(wú)需自舉二極管...
2023-02-08 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器變頻器 1289 0
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來(lái)確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IG...
英飛凌推采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板
采用iMOTION? IPM IMI111T-026H高效風(fēng)機(jī)控制參考板 iMOTION? IPM---一個(gè)緊湊的DSO封裝中實(shí)現(xiàn)完整的三相逆變器,包括...
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
功率半導(dǎo)體冷知識(shí):IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 標(biāo)簽:IGBT浪涌功率半導(dǎo)體 1284 0
IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率器件導(dǎo)通時(shí),產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功...
由于數(shù)字晶體管具有靈活的輸入/輸出控制特性,它一般用于電場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和Insulated Gate Field Effect (IGBT)史v實(shí)...
2023-05-29 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT數(shù)字晶體管 1284 0
永磁同步電機(jī)是我國(guó)新能源汽車動(dòng)力裝置的核心驅(qū)動(dòng)裝置,大家都知道在低速的時(shí)候永磁同步電機(jī)采用最大扭矩電流比控制,也就是給定一個(gè)扭矩,利用最小的合成電流來(lái)實(shí)...
2023-11-15 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)電機(jī)IGBT 1283 0
為了安全使用SiC模塊,需要計(jì)算工作條件下的功率損耗和結(jié)溫,并在額定值范圍內(nèi)使用。MOSFET損耗計(jì)算與IGBT既有相似之處,也有不同。相對(duì)IGBT,M...
場(chǎng)溝槽柵截止型IGBT FHA25T120A的特點(diǎn)
IGBT作為最有性價(jià)比的開(kāi)關(guān)器件,通??梢栽赨PS作為PFC來(lái)使用,讓電路的開(kāi)關(guān)效率更佳,從而提升產(chǎn)品的質(zhì)量!因此如何選用一款參數(shù)適合、質(zhì)量?jī)?yōu)良的IGB...
2023-11-07 標(biāo)簽:UPSIGBT開(kāi)關(guān)器件 1281 0
首先,根據(jù)整車的路譜數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算電流、功率因數(shù)等參數(shù),同時(shí)要考慮到冷卻水的流量和溫度。 接著,利用這些參數(shù)結(jié)合IGBT的熱特性,可以計(jì)算出時(shí)域上的溫度分布...
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開(kāi)關(guān)器件,是通過(guò)在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |