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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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瑞能RC-IGBT產(chǎn)品在電磁爐中的應(yīng)用方案
電磁爐由于集中加熱效率高、 無明火、 安全性佳、 體積小便于移動等效能,越來越受到人們的喜愛。
2025-02-19 標(biāo)簽:IGBT電磁爐瑞能半導(dǎo)體 1171 0
求一種電動車的800v高壓快充架構(gòu)技術(shù)方案
縮短充電時間是目前提升電動車使用體驗的關(guān)鍵。當(dāng)補貼力度越來越弱,推力漸小,加速電動汽車產(chǎn)業(yè)化的解決方案要回歸到本質(zhì)上
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
全面解讀DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧
通常大家所提到的IGBT,一般指分立IGBT器件或IGBT模塊,這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ),一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT...
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動發(fā)電機”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
ITECH半導(dǎo)體測試方案解析,從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進(jìn)行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1147 0
驅(qū)動電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間,其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動功率開關(guān)器件的開斷。優(yōu)良的驅(qū)動電路能夠提高數(shù)字電源的...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對這些作用的分析: 高效率:IG...
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳...
2023-12-26 標(biāo)簽:電動汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1140 0
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1140 0
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗證過程控制的有效性。
在任何裝置中使用IGBT 都會遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個直觀參數(shù)確定之后, 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗...
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應(yīng)用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動汽車(BEV)應(yīng)用而設(shè)計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...
2025-04-09 標(biāo)簽:電動汽車IGBTLittelfuse 1136 0
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