完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
文章:3053個(gè) 瀏覽:254048次 帖子:482個(gè)
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案
機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對(duì)IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運(yùn)動(dòng)相互影響,這個(gè)影響關(guān)系需要用雙極性擴(kuò)散系數(shù)來描述。
IGBT正弦波調(diào)光器的工作原理和優(yōu)勢(shì)
IGBT正弦波調(diào)光器是一種用于調(diào)節(jié)燈光亮度的設(shè)備,其工作原理主要基于IGBT的開關(guān)特性和對(duì)正弦波信號(hào)的控制。
本文對(duì)IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識(shí)。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(3)
至此,我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲(chǔ)變化,而電荷對(duì)時(shí)間的變化率即對(duì)應(yīng)電流。
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。
IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長(zhǎng)期的需求點(diǎn),根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
加速線上工具的功率級(jí)設(shè)計(jì),助力IGBT特性分析功能提升
為讓電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在最短時(shí)間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評(píng)估作業(yè),功率半導(dǎo)體業(yè)者研發(fā)出更精密的線上設(shè)計(jì)工具,不僅能提供溫度和頻...
2013-08-15 標(biāo)簽:IGBT 1067 0
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
驅(qū)動(dòng)電路要求 o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_關(guān)時(shí)間 oIGBT開通后,提供足夠的電壓...
2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 1060 0
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿足光伏應(yīng)用的需求
通過以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測(cè)量值來計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測(cè)量來驗(yàn)算死區(qū)時(shí)間的計(jì)算值是否足夠。
2024-12-16 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器IGBT 1055 0
在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源...
今年以來,國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(1)
IGBT作為大功率雙極型開關(guān)器件,持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下,關(guān)斷過程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |