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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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功率二極管作為最基本的電力電子器件,在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用,其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性,有助于學(xué)...
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強(qiáng)IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí),以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟...
2025-03-06 標(biāo)簽:IGBTIPM柵極驅(qū)動(dòng)器 920 0
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 918 0
變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過電流的強(qiáng)弱而變化,同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交變電磁場(chǎng)的強(qiáng)度隨其兩端電壓和電流突變的劇烈程度而變化...
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的,而電學(xué)特性,如V行政長(zhǎng)官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi),由于在設(shè)備或模塊內(nèi)累積損壞
2023-03-13 標(biāo)簽:IGBT 911 0
工業(yè)縫紉機(jī)是由很多個(gè)不同的電路組成的,比如pfc電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、控制電路、傳感器電路、通信電路、保護(hù)電路、顯示電路等等。
2023-06-18 標(biāo)簽:傳感器控制電路電機(jī)驅(qū)動(dòng) 910 0
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的電氣設(shè)備,主要用于高壓電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)。它通過采用先進(jìn)的電力電子技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)過程中電流和電壓的有效控制...
使用新型C3M 650V MOSFET節(jié)省BOM成本
為了在電動(dòng)汽車市場(chǎng)取得成功,公司需要擴(kuò)大續(xù)航里程并降低物料清單 (BOM) 成本,以有效地與根深蒂固的內(nèi)燃機(jī) (ICE) 競(jìng)爭(zhēng)。為了實(shí)現(xiàn)更大的續(xù)航里程,...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電池 899 0
階段6(t6—t7):在t6時(shí)刻,VCE下降到使IGBT進(jìn)入飽和狀態(tài),柵極反射極電壓增加以維持IL,當(dāng)VCE衰減穩(wěn)定后,穩(wěn)定值即為飽和導(dǎo)通壓降VCE(s...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
2023-06-06 標(biāo)簽:三極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 890 0
比較兩種并聯(lián)驅(qū)動(dòng)方式對(duì)功率回路耦合特性分析
作為一種電壓控制型器件,絕緣柵雙極型晶體管(insulated-gate bipolar transistor,IGBT)由于其通態(tài)壓降低、開關(guān)速度高...
高可靠性驅(qū)動(dòng)器6AB0460T12-NR01概述及特點(diǎn)
受政策利好、技術(shù)發(fā)展等多重因素的疊加,儲(chǔ)能行業(yè)持續(xù)火熱迎來高速發(fā)展期。儲(chǔ)能變流器是儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)鏈重要一環(huán),對(duì)提高電能質(zhì)量和新能源利益率起著積極作用。青銅劍技...
2023-07-28 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器asicIGBT 876 0
具體而言,SiC 近年來在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來說,可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
文章提出的IGBT模塊是設(shè)計(jì)針對(duì)風(fēng)力應(yīng)用的,但如果在其它設(shè)計(jì)方案中也需要采用IGBT模塊,或者其他需要定期進(jìn)行單向功率流的高功率應(yīng)用也可以參考。例如,在...
2024-01-09 標(biāo)簽:IGBT風(fēng)力發(fā)電變流器 868 0
各種拓?fù)鋵?duì)IGBT驅(qū)動(dòng)器的要求各不相同,比如: 兩電平拓?fù)渫ǔR蠖搪繁Wo(hù)和過壓保護(hù)即可。常用的短路保護(hù)方法又叫VCEsat或退保護(hù)監(jiān)控;過壓保護(hù)一般采...
2024-12-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT 867 0
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