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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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車規(guī)級IGBT模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析
車規(guī)級IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車中的核心功率半導(dǎo)體器件,其成本...
2024-07-22 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體器件汽車半導(dǎo)體 1012 0
認(rèn)識到這種情況的嚴(yán)重性,標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)、行業(yè)團(tuán)體和政府機(jī)構(gòu)制定了新能源指南。這些指南通常采用引用效率曲線的形式,這些曲線規(guī)定了所有運行負(fù)載(從 20% 到滿負(fù)...
氣候變化和社會對環(huán)境問題日益敏感,需要為化石燃料動力汽車開發(fā)技術(shù)解決方案。逐步減少排放的監(jiān)管要求要求設(shè)計具有較低體積、較高發(fā)動機(jī)轉(zhuǎn)速以及能夠在較不豐富的...
升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案
并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。
工業(yè)縫紉機(jī)的電機(jī)驅(qū)動IGBT怎么選擇?
工業(yè)縫紉機(jī)在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的,而電機(jī)驅(qū)動是工業(yè)縫紉機(jī)系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計以及電子元器件的優(yōu)化來提升產(chǎn)品性能是非常重要的。
2023-02-12 標(biāo)簽:UPS電機(jī)驅(qū)動IGBT 995 0
英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使...
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊
設(shè)計多電飛機(jī)(MEA)的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動,以減輕重量和設(shè)計復(fù)雜性。
2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 991 0
工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動設(shè)計中IGBT的作用
針對所有的應(yīng)用,人們越來越注意電動馬達(dá)的運作效率;因此,對高效率驅(qū)動器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動的設(shè)計,例如電動馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體...
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率,增強IGBT模塊功率密度
第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級,以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技...
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 966 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中,我們詳細(xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系,即一維空間的物理關(guān)系。
BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時,熱關(guān)斷電路將啟...
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