在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
949 
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
在不同工作頻率下的損耗進(jìn)行了理論計(jì)算、PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證對(duì)比分析。PLECS仿真和試驗(yàn)驗(yàn)證的結(jié)果不僅證明了估算公式的正確性，還直觀的體現(xiàn)了SiC和IGBT兩類模塊在不同開(kāi)關(guān)頻率下工作的熱損耗趨勢(shì)。從文中可以看出，使用SiC替 代IGBT可以顯著地提高變換器的工作頻率和功率密度。
2023-12-14 09:37:05472 
進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)小型化。開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，可進(jìn)一步提升大功率應(yīng)用的效率ROHM利用獨(dú)有的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出新型封裝，從而開(kāi)發(fā)并推出了600A額定電流的全SiC功率模塊產(chǎn)品。由此，全SiC功率模塊在工業(yè)
2018-12-04 10:20:43
/dm3。今天我們先欣賞一下這個(gè)設(shè)計(jì)。這個(gè)50KW/85KHz的無(wú)線充電系統(tǒng)包括有源濾波和DCDC轉(zhuǎn)換接口電路，兩個(gè)轉(zhuǎn)換階段均采用1.2 kV SiC MOSFET器件，具有較低的開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于DCDC
2021-04-19 21:42:44
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2應(yīng)用要點(diǎn)緩沖電容器 專用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊的效果Si功率元器件基礎(chǔ)篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模塊所謂全SiC功率模塊全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)柵極驅(qū)動(dòng) 其1柵極驅(qū)動(dòng) 其2
2018-11-27 16:38:39
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
通時(shí)產(chǎn)生的Vd振鈴、和低邊SiC-MOSFET的寄生柵極寄生電容引起的。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)速度與寄生電容下面通過(guò)與現(xiàn)有IGBT功率模塊進(jìn)行比較來(lái)了解與柵極電壓的振鈴和升高有關(guān)的全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)
2018-11-30 11:31:17
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-25 06:20:09
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開(kāi)關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時(shí)由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時(shí)會(huì)產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開(kāi)關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數(shù)載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開(kāi)關(guān)損耗大 的問(wèn)題，其結(jié)果是由此產(chǎn)生的發(fā)熱會(huì)限制IGBT的高頻驅(qū)動(dòng)。SiC材料卻能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的多數(shù)
2019-07-23 04:20:21
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)這之前介紹過(guò)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點(diǎn)與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計(jì)的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了75%（芯片溫度150℃時(shí)）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢(shì)–高頻驅(qū)動(dòng)，不僅
2018-12-04 10:24:29
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)損耗全SiC功率模塊與現(xiàn)有
2018-11-27 16:37:30
SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)，可實(shí)現(xiàn)更低損耗的清潔運(yùn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?“柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法有三種：①使關(guān)斷時(shí)的Vgs為負(fù)電壓，②增加外置CGS，③增加米勒鉗位MOSFET。?通過(guò)優(yōu)化全SiC功率模塊的柵極驅(qū)動(dòng)，可實(shí)現(xiàn)更低損耗的清潔運(yùn)行。
2018-11-27 16:41:26
0.5Ω，內(nèi)部柵極電阻為0.5Ω。 功率模塊的整體熱性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。與具有相同標(biāo)稱電流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表現(xiàn)出顯著較低的開(kāi)關(guān)損耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到0時(shí)，這個(gè)階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關(guān)斷過(guò)程中，t6~t7和t7~t8二個(gè)階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。關(guān)斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開(kāi)通過(guò)程和開(kāi)通損耗，以及關(guān)斷過(guò)程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
與Si的比較開(kāi)發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運(yùn)用事例全SiC模塊模塊的構(gòu)成開(kāi)關(guān)損耗運(yùn)用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-29 07:10:32
（快速恢復(fù)二極管）相結(jié)合的IGBT功率模塊應(yīng)用廣泛。IGBT模塊存在IGBT的尾電流和FRD的恢復(fù)電流導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗大的課題，而SiC-MOSFET和SiC-SBD組成的“全SiC”模塊則可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗
2018-12-04 10:14:32
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
MOS管的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFCMOS管的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
%提升到了97.3%。圖5功率損耗對(duì)比5、結(jié)論新的APS系統(tǒng)采用了最新的1.2kV全SiC功率模塊，憑借其低損耗、高工作溫度等特點(diǎn)，器件的開(kāi)關(guān)頻率得以提高。在本設(shè)計(jì)中，作者考慮到了高開(kāi)關(guān)頻率可以使濾波
2017-05-10 11:32:57
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來(lái)改進(jìn)的同時(shí)，也帶來(lái)了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開(kāi)關(guān)損耗。這些損耗對(duì)轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^(guò)插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
介紹了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二極管的100KHz，10KW交錯(cuò)式硬開(kāi)關(guān)升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器的參考設(shè)計(jì)和性能。 SiC功率半導(dǎo)體的超低開(kāi)關(guān)損耗使得開(kāi)關(guān)頻率在硅實(shí)現(xiàn)方面顯著增加
2019-05-30 09:07:24
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞* ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SiC
2022-07-27 10:27:04
4開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試結(jié)果圖六、總結(jié)開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，通過(guò)專業(yè)的電源分析插件，可以快速有效的對(duì)器件的功率損耗進(jìn)行評(píng)估，相對(duì)于手動(dòng)分析來(lái)說(shuō)，更加簡(jiǎn)單方便。對(duì)于MOSFET來(lái)說(shuō)，I2R的導(dǎo)通損耗計(jì)算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開(kāi)關(guān)器件。 由于硬開(kāi)關(guān)存在以上缺點(diǎn)，限制了開(kāi)關(guān)器件工作頻率的提高，在軟開(kāi)關(guān)技術(shù)出來(lái)之前，功率開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)損耗是很大的。為了彌補(bǔ)硬開(kāi)關(guān)工作的不足，提出了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)?！ ≤?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)技術(shù)的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開(kāi)關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說(shuō)是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
，SiC 功率模塊是首選解決方案，因?yàn)榕c傳統(tǒng) IGBT技術(shù)相比，它們提供更低的開(kāi)關(guān)損耗。以下文章演示了采用 1200 V / 1200 A 三菱電機(jī) SiC 功率模塊的額定額定功率為 500 kW 的 DC
2023-02-20 15:32:06
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開(kāi)關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器對(duì)開(kāi)關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動(dòng)模式與基本結(jié)構(gòu)這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
通損耗在輕負(fù)載時(shí)并非一個(gè)因素，但由于一直存在開(kāi)關(guān)損耗，設(shè)備的效率會(huì)受到影響。并且由于傳遞到輸出的平均功率很低，因此該裝置的總效率也會(huì)較低。SIMPLE SWITCHER?系列新型穩(wěn)壓器現(xiàn)配備脈沖頻率
2018-08-30 15:47:38
是為密勒電容（CGD）充電。在米勒時(shí)刻期間，漏極電流在IOUT端是恒定的，而VDS從VIN開(kāi)始下降。在這段時(shí)間內(nèi)的功率損耗通過(guò)等式2表示：在等式3中加上總開(kāi)關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個(gè)時(shí)段
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開(kāi)關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
今天開(kāi)始看電源界神作《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁(yè)有個(gè)名詞，叫“交流開(kāi)關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒(méi)有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
）”一詞所表達(dá)的，電路的優(yōu)先事項(xiàng)一定需要用最大公約數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。對(duì)此，將在Tech Web的基礎(chǔ)知識(shí)“SiC功率元器件”中進(jìn)行解說(shuō)。另外，您還可以通過(guò)ROHM官網(wǎng)下載并使用本次議題的基礎(chǔ)，即Application Note“利用驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗（PDF）”。
2020-07-01 13:52:06
10mΩ（typ）的、SiC-SBD內(nèi)置型全SiC功率模塊。下圖為與現(xiàn)有產(chǎn)品的關(guān)系示意圖。BSM180D12P3C007的開(kāi)關(guān)損耗與IGBT模塊相比大幅降低，比ROHM現(xiàn)有的IGBT模塊產(chǎn)品也低42
2018-12-04 10:11:50
SiC FET 時(shí)的比較隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的功率損耗貢獻(xiàn)柵極驅(qū)動(dòng)器-米勒平臺(tái)比較還與柵極驅(qū)動(dòng)器中的開(kāi)關(guān)損耗有關(guān)，如圖4所示。在此比較中，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)損耗差高達(dá)0.6 W。這些損耗會(huì)導(dǎo)致逆變器的總功率損耗
2022-11-02 12:02:05
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）推出的“全SiC”功率模塊（額定1200V/100A）開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內(nèi)置功率半導(dǎo)體元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）構(gòu)
2012-03-23 08:52:571591 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開(kāi)關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578163 
失去意義。 開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中應(yīng)考慮哪些問(wèn)題呢？ 在實(shí)際的測(cè)量評(píng)估中，我們用一個(gè)通道測(cè)量電壓，另一個(gè)通道測(cè)量電流，然后軟件通過(guò)相乘得到功率曲線，再通過(guò)時(shí)間區(qū)間的積分得到最終的結(jié)果。
2018-02-07 01:27:01899 
羅姆在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開(kāi)關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過(guò)渡時(shí)間的功率乘以開(kāi)關(guān)頻率后的值即開(kāi)關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評(píng)估功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開(kāi)關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來(lái)普科科技PRBTEK就開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 會(huì)隨之失去意義。接下來(lái)普科科技PRBTEK分享在開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中的注意事項(xiàng)及影響因素。 一、開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中應(yīng)考慮哪些問(wèn)題？ 在實(shí)際的測(cè)量評(píng)估中，我們用一個(gè)通道測(cè)量電壓，另一個(gè)通道測(cè)量電流，然后軟件通過(guò)相乘得到功率曲線，再
2021-12-15 15:22:40417 
CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開(kāi)關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅 （SiC） MOSFET 智能功率模塊 （IPM） 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 15:38:38740 
SiC FET 速度極快，邊緣速率為 50 V/ns 或更高，這對(duì)于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗非常有用，但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)通過(guò)封裝和電路電感產(chǎn)生高電平的電壓過(guò)沖和隨后
2022-08-04 09:30:05729 
。此外，今天的開(kāi)關(guān)元件沒(méi)有非常高的運(yùn)行速度，不幸的是，在轉(zhuǎn)換過(guò)程中不可避免地會(huì)損失一些能量（幸運(yùn)的是，隨著新電子元件的出現(xiàn)，這種能量越來(lái)越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來(lái)確定 SiC MOSFET 的開(kāi)關(guān)損耗率。
2022-08-05 08:05:075941 
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開(kāi)關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備
2022-11-06 21:14:51956 的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果： 開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 （例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化） 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化 （例：電抗器或電容等的小型化）
2023-01-12 16:35:47489 開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果： 開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化 （例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化） 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化 （例：電抗器或電容等的小型化）
2023-02-07 16:48:23646 
內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管的IGBT：RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開(kāi)關(guān)損耗降低67%關(guān)鍵詞 ? SiC肖特基勢(shì)壘二極管（...
2023-02-08 13:43:19434 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等的開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題，那就是帶有驅(qū)動(dòng)器源極引腳（所謂的開(kāi)爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗”中，將介紹功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的效果以及使用注意事項(xiàng)。
2023-02-09 10:19:18634 
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開(kāi)關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來(lái)表示。
2023-02-23 10:40:49623 
圖1所示為基于MAX1744/5控制器IC的簡(jiǎn)化降壓轉(zhuǎn)換器，具有異步整流功能。由于二極管的關(guān)斷特性，主開(kāi)關(guān)（Q1）的導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗取決于開(kāi)關(guān)頻率、輸入環(huán)路的走線電感（由C1、Q1和D1組成）、主開(kāi)關(guān)
2023-03-10 09:26:35557 
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 16:51:224680 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
IGBT元件的損耗總和分為：通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗分別為開(kāi)通損耗(EON)和關(guān)斷損耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
利用 SiC 功率器件開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
2024-03-13 14:31:4668 
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