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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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高頻率開(kāi)關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。...
特別是對(duì)于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗(包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量)降至最低。
同時(shí)具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢(shì)的Hybrid MOS
本文介紹ROHM命名為“Hybrid MOS”的、同時(shí)具備MOSFET和IGBT兩者優(yōu)勢(shì)的MOSFET。產(chǎn)品位于下圖最下方紅色框內(nèi)。
在電子交通、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等具有重大創(chuàng)新的行業(yè)的推動(dòng)下,對(duì)功率器件的需求不斷增加。當(dāng)今的功率應(yīng)用具有持續(xù)更嚴(yán)格的要求,最重要的是與實(shí)現(xiàn)更高的效率(...
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
2022-11-16 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 853 0
用于大功率模塊升壓臺(tái)面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來(lái)越多的限制。在更準(zhǔn)確地來(lái)說(shuō),用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個(gè)關(guān)鍵的多功能...
使用工業(yè)級(jí)熱特征提取方法提高大功率半導(dǎo)體的測(cè)試與故障診斷速度
隨著消費(fèi)者和工業(yè)電子系統(tǒng)不斷增長(zhǎng)的能源需求,電子電力元器件供應(yīng)商以及OEM 面臨著為航空、電動(dòng)車、火車、發(fā)電設(shè)備以及可重復(fù)使用能源生產(chǎn)提供高可靠性系統(tǒng)的...
汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 841 0
雜散電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響(1)
IGBT的開(kāi)關(guān)損耗特性研究對(duì)IGBT變流器設(shè)計(jì)具有重要的意義,在有結(jié)構(gòu)緊湊性要求或可靠性要求較高或散熱條件特殊的場(chǎng)合,都需要嚴(yán)格按器件損耗特性進(jìn)行大余量...
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來(lái)越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對(duì)技術(shù)提出了更高的要求。
三菱電機(jī)開(kāi)始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊
根據(jù)三菱電機(jī)截至2023年4月25日的研究,與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對(duì)比得出
天前,兩位今年剛加入我們維修電工班的同事,竟然被一支普普通通的DZ47—63 D40型兩匹斷路器完虐,從而再次為我們廣大電工提供了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)——工作除...
2023-08-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電位器PWM 805 0
簡(jiǎn)單說(shuō)一下功率半導(dǎo)體的特色
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 804 0
當(dāng)前,在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展,加上我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速騰飛,能源需求量大幅上升,在這樣...
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,但它是打造高品質(zhì)和高競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號(hào)的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)...
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