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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-前言
從本文開始,我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結構中柵極-源極間電壓的動作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導通損耗和開關能量損耗,IGBT廣泛應用于高功率應用領域,如電源、馬達驅動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管
在當今科技迅速發(fā)展的時代,電力電子技術正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設計師們關注的焦點。而特瑞諾(trin...
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件,廣泛應用于電機驅動、新能源發(fā)電、變頻器和電動汽車等領域。IGBT在工作過程中會產生大量的...
耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應用 | 全球領先技術工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)都是重要的半導體功率器件,它們在電子電路中發(fā)揮著關鍵作用。以下是IGBT和...
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 Press...
為什么EliteSiC M3S技術是高速開關應用的更優(yōu)選擇?
安森美汽車電源部應用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場強、能帶隙和熱導率,電力電子設計人員可以利用這些特性來開發(fā)比硅基IGBT器件效...
半導體設計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設計挑戰(zhàn)如何破?
基于開關電力電子器件的轉換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關系統(tǒng)中,但前者的柵極驅動功率較低、開...
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