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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3053個 瀏覽：254050次 帖子：482個

      igbt技術(shù)

      UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

      UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

      UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計，具有先進的保護功能、一流...

      2025-05-17 標簽：MOSFETIGBT拉電流 496 0

      Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應用的需要

      碳化硅（SiC）技術(shù)帶來了無限的新機會。只要存在對高可靠性功率系統(tǒng)的需求，碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應用（包括必須在惡劣環(huán)境中工作...

      2023-07-17 標簽：MOSFET逆變器IGBT 496 0

      疊層母排在IGBT變流器中的應用（1）

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      研究IGBT器件的開關(guān)及特性對實現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義，IGBT DC Link主回路的寄生電感會影響IGBT的開關(guān)特性。本文研究IGB...

      2025-06-17 標簽：二極管IGBTemc 485 0

      固晶錫膏如何征服高功率封裝？一文破解高密度封裝的散熱密碼固晶

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      固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計的錫基焊料，通過冶金結(jié)合實現(xiàn)高強度、高導熱連接，對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏，具備超高導熱（60-70W/m?K）、高強度（剪切強度...

      2025-04-10 標簽：IGBT固晶大功率封裝 482 0

      UCC21750 5.7kVrms ±10A，單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

      UCC21750 5.7kVrms ±10A，單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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      2025-05-17 標簽：IGBT隔離技術(shù)拉電流 480 0

      聊聊二合一加強版的IGBT以及前身半導體器件

      從p型和n型半導體，到最基礎(chǔ)的pn結(jié)，到pnp/npn的BJT，到pnpn的晶閘管，再到單極性器件MOSFET，再到最終的IGBT，一步步折中優(yōu)化，使I...

      2022-11-10 標簽：MOSFETIGBT晶體管 479 0

      IGBT模塊吸收回路分析模型

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      盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機理不同，但對于吸收電路的分析而言，則只需考慮器件的外特性，IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源，開通時可以等效為電壓控制的...

      2025-05-21 標簽：模塊IGBT開關(guān)器件 465 0

      瑞能650V 75A IGBT產(chǎn)品解析

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      自“雙碳”目標確定以來，我國能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進，光伏、風電、儲能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖，其中逆變器作為光伏發(fā)電系...

      2025-06-20 標簽：逆變器IGBT功率器件 456 0

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      UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...

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      回路中各環(huán)節(jié)電感值對于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值，其降低只能通過器件制造商提高制造和工藝水平來實現(xiàn)。...

      2025-06-17 標簽：IGBT寄生電感變流器 442 0

      碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

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      碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。

      2023-10-17 標簽：MOSFET逆變器IGBT 437 0

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      2023-09-22 標簽：MOSFETIGBT硅晶圓 431 0

      ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊

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      ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...

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      UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

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      UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件，能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...

      2025-05-20 標簽：MOSFET功率開關(guān)IGBT 389 0

      關(guān)于碳化硅半導體的8大誤區(qū)有哪些

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      2023-09-21 標簽：IGBTSiC氮化鎵 382 0

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      相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點均...

      2023-01-09 標簽：控制器逆變器IGBT 380 0

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      破壁機在人們?nèi)粘Ｉ钪幸呀?jīng)很常見了，終端客戶在使用的時候不僅僅關(guān)注外觀，更會關(guān)注影響產(chǎn)品質(zhì)量的馬達驅(qū)動的知識了。

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      隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝...

      2025-06-03 標簽：IGBTSiC芯片封裝 373 0

      IGBT模塊失效開封方法介紹

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        ESP8266
        +關(guān)注
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