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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
伺服電機驅(qū)動器是能被工業(yè)機器人及數(shù)控加工中心等自動化設(shè)備廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品,它是屬于伺服系統(tǒng)的一部分,能應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
氫能的四大應(yīng)用場景 燃料電池產(chǎn)業(yè)鏈簡介
除了介紹經(jīng)典的功率二極管、晶閘管外,還重點介紹了MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率器件,頗為難得的是收入了近年來有關(guān)功率半導(dǎo)體器件的OO成果,如SiC,G...
功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...
安森美SPM31系列1200V IGBT在三相熱泵的應(yīng)用優(yōu)勢
熱泵是一種既高效又環(huán)保的供暖方式,其可靠性和實用性已得到充分驗證。它是推動全球向可持續(xù)供暖趨勢發(fā)展的核心力量,運行所需的電力具有低排放的特點。在與傳統(tǒng)鍋...
功率半導(dǎo)體是電能轉(zhuǎn)換的載體,22 年全球功率器件市場約為281億美元,2022- 25年CAGR 8.2%。功率半導(dǎo)體是功率器件與電源管理IC的集合...
全球正加速向電氣化轉(zhuǎn)型,尤其是在交通和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。無論是乘用車還是商用/農(nóng)業(yè)車輛(CAV),都在轉(zhuǎn)向電動驅(qū)動。國際能源署(IEA)2022 年的數(shù)據(jù)顯...
如何設(shè)計 IGBT 和 SiC FET 驅(qū)動電路以防止誤觸發(fā)?
在設(shè)計IGBT或SiCFET橋接電路時,門驅(qū)動電路的正確設(shè)計與選擇晶體管同樣重要,以確保高可靠性。對環(huán)境的關(guān)注是可再生能源、智能工業(yè)和電動出行等趨勢背后...
在電子制造領(lǐng)域,傳統(tǒng)插件封裝器件(如TO-247/TO-220)正面臨轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵節(jié)點。盡管這類封裝方案仍占據(jù)特定市場份額,但居高不下的生產(chǎn)成本以及勞...
介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù),器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類型功率半導(dǎo)體器件,包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...
淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)
該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進行了對比。簡化的ROM降階模型在所有的計算結(jié)果中都獲得了可...
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機械強度...
IGBT會用到哪些陶瓷基板?IGBT增長將拉動陶瓷基板需求?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標簽:IGBT晶體管功率開關(guān)器件 666 0
特瑞諾TGHP75N120FDR:高性能IGBT單管的理想選擇
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域,高性能和穩(wěn)定性是設(shè)備設(shè)計中不可或缺的要素。今天,我們要重點介紹的TGHP75N120FDR正是這樣一款產(chǎn)品,由TRINNO(特瑞諾)...
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