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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...
UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲,采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 352 0
TMS320F28P659DH-Q1 汽車級 C2000 32 位 MCU,600MIPS,2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術(shù)手冊
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實時微控制器系列的一員,該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設(shè)計,包...
UCC21739-Q1 汽車級 3kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護...
UCC15240-Q1 汽車類 2.5W、24Vin、25Vout 高密度 > 3kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊
UCC15240-Q1 是一款符合汽車標準的高隔離電壓 DC/DC 功率模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC15240-Q1 將變...
ADUM4135單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4135是一款單通道柵極驅(qū)動器,專門針對驅(qū)動絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入信號...
IGBT 柵極驅(qū)動器:電力電子系統(tǒng)的核心組件
在電力電子行業(yè),隨著對功率電平和開關(guān)頻率要求的不斷提升,半導體器件的性能面臨更高的挑戰(zhàn)。金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(...
IGBT作為功率半導體器件,對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手,詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施,確保其安全穩(wěn)定運行。
功率器件開關(guān)功耗測試詳細步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,...
2025-05-14 標簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 328 0
UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分離輸出的汽車類 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動器(緩沖電路)解決方案。UCC27511A-Q1 器件是...
UCC27526 具有 5V UVLO、使能和雙 TTL 輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 電源開關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...
UCC21750-Q1 汽車5.7kVrms,±10A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保...
UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 2 級關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊
UCC21732 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進的保護功能...
ISO5851 5.7kVrms、2.5A/5A 單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
ISO5851 是一款 5.7kV RMS 增強型隔離式柵極驅(qū)動器,適用于 IGBT 和 MOSFET,具有 2.5A 拉電流和 5A 灌電流。輸入側(cè)采...
ISO5852S 5.7kVrms,2.5A/5A單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
ISO5852S器件是一款 5.7kV RMS 增強型隔離式柵極驅(qū)動器,適用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET,可提...
UCC5870-Q1 用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC5870-Q1 器件是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器,旨在驅(qū)動 EV/HEV 應用中的高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。功率晶...
UCC27519 具有 5V UVLO、使能和 CMOS 輸入的 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27518 和 UCC27519 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 290 0
UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器,采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊
UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...
2025-05-20 標簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 285 0
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