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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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電磁爐作為利用電磁感應(yīng)現(xiàn)象來工作的烹飪廚具,無需明火加熱,因此高效又節(jié)能。目前,其發(fā)展趨勢以及市場前景十分樂觀,但想要在競爭激烈的市場中占有更大的份額,...
2024-12-12 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器東芝 1274 0
新能源電動(dòng)汽車和傳統(tǒng)燃油車不一樣,沒有發(fā)動(dòng)機(jī),轉(zhuǎn)而加裝了一個(gè)大的電池;
2023-08-12 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電機(jī)主控制器 1263 0
IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們再分析一下球面結(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動(dòng)機(jī)的電力控制設(shè)備。** 變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
RGWxx65C系列IGBT在FRD+I(xiàn)GBT的車載充電器案例中,開關(guān)損耗降低67%
內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT:RGWxx65C系列內(nèi)置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD+I(xiàn)GBT的車載充電器案例中開關(guān)損耗降低67...
用于牽引驅(qū)動(dòng)電源模塊的雙面冷卻架構(gòu)
這種雙面冷卻可實(shí)現(xiàn)更好的熱性能,從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。DSC 電源模塊通常在模塊的每一側(cè)使用銅板進(jìn)行冷卻,它們還可能具有額外的功能,例如溫度感應(yīng)...
未來對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí),變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新...
新能源汽車核心部件IGBT模塊想要過AECQ101認(rèn)證,需要要做哪些測試?
電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT模塊的作用 要了解IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電...
東芝分立IGBT大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗(yàn)證,對(duì)于節(jié)能工作意義重...
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1241 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開...
所謂分立器件,顧名思義就是由單個(gè)電子器件組成的電路元器件,它包括二極管、橋堆。三極管以及MOS管、IGBT、電源IC等產(chǎn)品,作用包括整流、開關(guān)、小信號(hào)放...
IGBT行業(yè)需求增長: IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國能源需求大...
2022-08-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1224 0
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
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