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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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前言IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為光伏逆變器的“心臟”,承擔(dān)著直流電向交流電轉(zhuǎn)換的核心任務(wù)。然而,這一關(guān)鍵部件的炸毀問題頻發(fā),不僅導(dǎo)致高昂的維修成本...
與MOS不同,IGBT高溫/常溫輸出特性曲線為何有交點(diǎn)?
其中本征載流子濃度ni隨溫度升高而急劇增大,導(dǎo)致Vbi隨溫度升高而減小,呈現(xiàn)負(fù)的溫度系數(shù)。
結(jié)溫是判定IGBT是否處于安全運(yùn)行的重要條件,IGBT的工作結(jié)溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱,可能會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞,影響設(shè)備的性能、壽命甚至引...
IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術(shù),防止運(yùn)行過程中發(fā)生爆炸;第二是電極結(jié)構(gòu)采用了彈簧結(jié)構(gòu),可以緩解安裝過程中對(duì)基板上形成開裂,造成基板的裂紋;第三是對(duì)...
整流器(轉(zhuǎn)換器)是變頻器主電源中的三個(gè)主要部分之一。輸入的交流電通過轉(zhuǎn)換器部分,被整流為直流電壓。轉(zhuǎn)換器部分由二極管、可控硅整流器組成或者連接全波橋的絕...
2023-09-21 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器整流器 1533 0
igbt的工作原理及應(yīng)用(IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性)
IGBT由BJT (雙極性三極管)和MOSFET (絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)復(fù)合而成 BJT ( Bipolar Junction Transistor )...
2023-07-27 標(biāo)簽:三極管場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 1527 0
功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...
IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用
根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對(duì)流和輻射的形式),而大部分熱量通過...
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(2)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
如何選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT單管協(xié)助Heric后極逆變電路的優(yōu)化呢?
單相組串式逆變器里面會(huì)有Heric后極逆變是需要使用IGBT單管的,目前我們看到單相組串式逆變器正朝采用多層次拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的逆變器發(fā)展方向。
2023-05-06 標(biāo)簽:逆變器IGBT快恢復(fù)二極管 1516 0
IGBT能替換FGH40N60SFD型號(hào)應(yīng)用于破壁機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng)嗎?
FHA40T65A是一款場(chǎng)N溝道溝槽柵截止型IGBT,使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝,來獲得極低的 V...
2023-02-19 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1513 0
為什么使用 S 參數(shù)進(jìn)行功率模塊優(yōu)化更有優(yōu)勢(shì)?
功率模塊是一種采用絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管作為開關(guān)元件的高功率開關(guān)電路,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、可再生能源、光伏、風(fēng)能和...
碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景及其影響
碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng),SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率,包括那些必須在惡劣環(huán)...
如何進(jìn)行準(zhǔn)確的IGBT模塊壽命評(píng)估呢?
IGBT廣泛應(yīng)用于各類電力電子設(shè)備中,其可靠性一直都是制造商和用戶重點(diǎn)關(guān)注的問題。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件,其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過小,可能會(huì)對(duì)...
測(cè)量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng):一般測(cè)量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET:...
陶瓷覆基板是影響模塊長(zhǎng)期使用的關(guān)鍵部分之一,IGBT模塊封裝中所產(chǎn)生的熱量主要是經(jīng)陶瓷覆銅板傳到散熱板最終傳導(dǎo)出去。陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的...
2023-04-17 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體熱導(dǎo)率 1491 0
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