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      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3053個(gè) 瀏覽：254077次 帖子：482個(gè)

      igbt技術(shù)

      IGBT和SiC這兩者的存在意義

      近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。

      2023-03-28 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 3351 0

      IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

      鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁...

      2023-03-27 標(biāo)簽：IGBT功率器件寄生電感 5342 0

      全面的IGBT封裝設(shè)計(jì)解決方案

      國內(nèi)龐大的市場基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國家產(chǎn)業(yè)升級共同推動了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。

      2023-03-27 標(biāo)簽：IGBTANSYS 2145 0

      第二代電動汽車功率逆變器控制參考平臺

      為了確保高水平的功能安全以保護(hù)車輛操作員以及第一代系統(tǒng)，使能套件中包含系統(tǒng)級功能安全白皮書、設(shè)備FMEDA和功能安全運(yùn)行時(shí)框架，適用于ASIL C/D ...

      2023-03-25 標(biāo)簽：驅(qū)動器IGBT功率逆變器 2873 0

      變頻器的優(yōu)缺點(diǎn)和使用方法

      變頻器是一種用于控制交流電動機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩的電子設(shè)備。它能夠?qū)㈦娫吹碾妷汉皖l率轉(zhuǎn)換為可調(diào)節(jié)的電壓和頻率輸出，從而控制電機(jī)的轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。

      2023-03-24 標(biāo)簽：變頻器電動機(jī)電機(jī) 7327 0

      環(huán)氧灌封膠及在IGBT功率模塊封裝中的應(yīng)用簡析

      環(huán)氧灌封膠及在IGBT功率模塊封裝中的應(yīng)用簡析

      功率半導(dǎo)體模塊主要應(yīng)用于電能轉(zhuǎn)換和電能 控制，是電能轉(zhuǎn)換與電能控制的關(guān)鍵器件，被譽(yù)為 電能處理的“CPU”，是節(jié)能減排的基礎(chǔ)器件和核心技術(shù)之一

      2023-03-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率模塊 7231 0

      IGBT是什么 IGBT的工作原理

      IGBT與MOSFET不同，內(nèi)部沒有寄生的反向二極管，因此在實(shí)際使用中(感性負(fù)載)需要搭配適當(dāng)?shù)目旎謴?fù)二極管。

      2023-03-24 標(biāo)簽：MOSFETIGBT快恢復(fù)二極管 3.5萬 2

      未來的重點(diǎn)方向：Sic和IGBT

      IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn)，根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看，單車使用IGBT是84顆，或者48顆Sic...

      2023-03-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管碳化硅 1077 0

      實(shí)例：用單片機(jī)點(diǎn)亮家庭電路中的燈

      能否使用單片機(jī)點(diǎn)亮家庭電路中的燈？當(dāng)然可以，對于熟悉單片機(jī)的人來說，原理很簡單！

      2023-03-24 標(biāo)簽：三極管繼電器電路 2533 0

      IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試解決方案

      IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體...

      2023-03-22 標(biāo)簽：IGBT晶體管參數(shù) 6553 0

      深度解析電磁爐的工作原理與常見故障

      電磁爐是應(yīng)用電磁感應(yīng)加熱原理，利用電流通過線圈產(chǎn)生磁場，該磁場的磁力線通過鐵質(zhì)鍋底部的磁條形成閉合回路時(shí)會產(chǎn)生無數(shù)小渦流，使鐵質(zhì)鍋體的鐵分子高速動動產(chǎn)生...

      2023-03-22 標(biāo)簽：濾波電容cpuIGBT 1.3萬 0

      IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問題？

      功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會使得封裝體和裸芯的溫度更...

      2023-03-20 標(biāo)簽：封裝IGBT失效機(jī)理 1814 0

      自舉升壓驅(qū)動芯片的基本原理

      自舉升壓驅(qū)動芯片的基本原理

      自舉升壓驅(qū)動芯片在MOS/IGBT的驅(qū)動中應(yīng)用已經(jīng)十分廣泛，自舉升壓作為產(chǎn)生浮地電源的普遍方法，應(yīng)用起來十分便捷，行之有效。

      2023-03-20 標(biāo)簽：二極管IGBTMOS 8590 0

      IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析

      IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，...

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      什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解

      IGBT （絕緣柵雙極晶體管）作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。

      2023-03-17 標(biāo)簽：新能源汽車MOSFETIGBT 3533 0

      AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢

      AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

      2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3887 0

      半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況

      從發(fā)展歷程來看，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

      2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2488 0

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      雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處，但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說，在更高電壓下的...

      2023-03-16 標(biāo)簽：電動汽車逆變器IGBT 1153 0

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      GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率

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      2023-03-16 標(biāo)簽：電源東芝變頻器 1135 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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