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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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變頻調(diào)速電機是由變頻器、電纜和電機組成的。變頻器的核心控制部件有BJT(雙極晶體管)、IGBT(絕緣柵)等多種類型,其中IGBT具有驅(qū)動簡單、易于保護和...
2023-03-15 標簽:變頻器IGBT脈寬調(diào)制 1741 0
IGBT的開關過程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開通與關斷就相當于對CGE進行充電與放電。假設IGB...
Interlock互鎖電路在不同驅(qū)動器下的實現(xiàn)
在電機驅(qū)動、逆變電源等應用中,橋式電路是最基本的拓撲,典型三相橋式逆變電路如下圖1所示。而橋式電路中的任一橋臂,其上下管一般采用180°導通方式,即上下...
參數(shù)漂移是隨著部件退化而發(fā)生的,而電學特性,如V行政長官(ON)或IC冰漂在可接受的操作范圍內(nèi),由于在設備或模塊內(nèi)累積損壞
2023-03-13 標簽:IGBT 911 0
高電壓會導致壓縮機、PTC和電機驅(qū)動MCU成本增.加,以當前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動系統(tǒng)為例,950V電壓平臺相比450V電壓平臺增加成...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹 如何拆卸IGBT模塊?
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導體器件,廣泛應用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領域。
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)解釋和拆解
在大致了解了它的結(jié)構(gòu)之后,我們可以用這種結(jié)構(gòu)的黑色模塊做什么呢?舉一個我們身邊的例子:新型電動汽車,大家應該都不陌生了。三個這樣的黑色模塊可以用作三相電...
變頻器是應用變頻技術(shù)與微電子技術(shù),通過改變電機工作電源頻率方式來控制交流電動機的電力控制設備。** 變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率...
為獲得絕緣柵雙極型晶體管( IGBT)在工作過程中準確的功率損耗,基于數(shù)學模型及測試,建立了 一種準確計算功率逆變器損耗模型的方法。通過雙脈沖測試對影響...
寄生二極管和普通二極管一樣,正接會導通,反接截止,對于NMOS,當S極接正,D極接負,寄生二極管會導通,反之截止;對于PMOS管,當D極接正,S極接負,...
近幾年主流芯片制造廠商,包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片,在芯片大小,芯片厚度,飽和壓降,開關損耗等權(quán)衡...
對于功率因數(shù)校正(PFC),通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓撲結(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇,如空調(diào)、...
2023-03-05 標簽:二極管升壓轉(zhuǎn)換器IGBT 1900 0
變頻器內(nèi)部是由無數(shù)個電子器件構(gòu)成的,其工作時會產(chǎn)生大量的熱量,尤其是IGBT工作在高頻狀態(tài)下,產(chǎn)生的熱量會更多。
2023-03-03 標簽:控制系統(tǒng)變頻器IGBT 7905 0
具體來說,可以通過電子器件(例如晶體管、IGBT等)開關電源,將直流電源轉(zhuǎn)換為高頻的脈沖信號,再通過控制脈沖的占空比來控制電機的電壓。當占空比增加時...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
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