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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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與傳統(tǒng)單面散熱 IGBT 模塊不同,雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時(shí)向正、反兩面?zhèn)鲗?dǎo)熱量,其熱測(cè)試評(píng)估方式需重新考量。本文進(jìn)行雙面散熱汽車 IGBT 模...
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
不同因素對(duì)IGBT溫敏參數(shù)dv/dt有什么影響?
結(jié)溫是IGBT功率模塊中功率器件的重要狀態(tài)變量,能直接反映器件安全裕量、健康狀態(tài)及運(yùn)行性能等。
正確理解IGBT和模塊的標(biāo)準(zhǔn)體系,對(duì)了解產(chǎn)品特性,指導(dǎo)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用足產(chǎn)品特性,符合規(guī)范很有幫助,熟悉標(biāo)準(zhǔn)的工程師會(huì)在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中更游刃有余。
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT系統(tǒng)設(shè)計(jì)
如何計(jì)算IGBT驅(qū)動(dòng)電流及驅(qū)動(dòng)功率?
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動(dòng)電壓水平的確定、驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)功率的確定、短路保護(hù)電路等等。
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)芯片 8107 0
IGBT中文翻譯為:絕緣柵雙極型晶體管。是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,由雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管組成,兼具了這二者的優(yōu)點(diǎn):高輸入阻抗和...
我們都知道,電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2023-02-07 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 1418 0
IGBT作為一種功率開關(guān),從門級(jí)信號(hào)到器件開關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過(guò)短的開通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。
2023-02-07 標(biāo)簽:電壓功率開關(guān)IGBT 2600 0
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器,IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一,短路保護(hù)可以通過(guò)串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2023-02-07 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT變流器 1367 0
Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計(jì)使用注意事項(xiàng)
在IGBT驅(qū)動(dòng)電路中有時(shí)會(huì)用到鉗位電路,其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件,避免運(yùn)行參數(shù)超過(guò)集電極或者門極的極限參數(shù),今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT器件 2744 0
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)開關(guān)功率器件 9711 0
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè),對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理...
今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子,詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識(shí)。
2023-02-07 標(biāo)簽:IGBT高等數(shù)學(xué)損耗計(jì)算 3236 0
車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
基于大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的參考設(shè)計(jì)
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設(shè)計(jì)與測(cè)試驗(yàn)證。本文將詳細(xì)的介紹這款設(shè)計(jì)。
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