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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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變頻器在設(shè)計上不斷的推陳出新,為了提高功率密度并降低成本,工程師更是絞盡腦汁。IGBT(絕緣柵型雙極性晶體管)在變頻器里屬于關(guān)鍵器件,其選型和損耗直接關(guān)...
2022-06-29 標(biāo)簽:IGBT 1.5萬 0
一般,我們是通過閱讀器件廠商提供的datasheet來了解一個器件的參數(shù)特性,但是datasheet中所描述的參數(shù)是在特定的外部參數(shù)條件測試得來的,因此...
在驅(qū)動電路電壓軌處于正確值之前,不應(yīng)由 PWM 信號主動驅(qū)動 IGBT/MOSFET。然而,當(dāng)柵極驅(qū)動 DC/DC 上電或斷電時,即使 PWM 信號處于...
2022-06-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBTdcdc轉(zhuǎn)換器 1868 0
BC-IGBT 由結(jié)構(gòu)頂部和底部的柵極組成。東京大學(xué)的研究員 Takuya Saraya 在論文中說:“IGBT 的一個主要缺點是其開關(guān)頻率相對較低,因...
2022-06-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 3.2萬 0
通用變頻器應(yīng)用在大慣量負(fù)載時,短時間內(nèi)的減速會使母線電壓升高,由于成本原因通用變頻器沒有主動前端無法將能量回饋電網(wǎng),理論上如果電容容量夠大,可以先存儲能...
BOS大功率逆變模塊主要由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、開關(guān)電源、散熱器、電解、吸收電容、驅(qū)動板、銅板等部件相互連接組成,該模塊組采用IGBT逆變技術(shù)...
IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。
2022-05-24 標(biāo)簽:二極管數(shù)據(jù)發(fā)生器 3498 0
總結(jié)一下,對于米勒電流引起的寄生導(dǎo)通,在0V關(guān)斷的情況下,可以使用米勒鉗位來抑制。當(dāng)出現(xiàn)非米勒電流引起的寄生導(dǎo)通時,如果不想減慢開關(guān)速度增加損耗的話,加...
大家好,今天我們聊一下IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)。IGBT作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極為廣泛,被譽...
2022-04-20 標(biāo)簽:模塊IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu) 2.5萬 0
大家好,最近工作比較忙,更新文章有點慢,說實話寫篇自己還算看得過去的文章確實挺費時間,為了保證每周至少一篇文章,找點簡單的話題聊聊吧。
IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性
大家好,這期我們再聊一下IGBT的開關(guān)損耗,我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會釋放功...
2022-04-19 標(biāo)簽:二極管IGBT開關(guān)損耗 5451 0
東芝半導(dǎo)體推出具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件GT30N135SRA
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性價比在業(yè)界被廣泛應(yīng)用,特別是在工業(yè)控制領(lǐng)域幾乎隨處可見IGBT的身影。作為功率半導(dǎo)體的家族分支,不僅融合了BJT和MOSF...
2022-04-19 標(biāo)簽:IGBT家電東芝半導(dǎo)體 2888 0
雙脈沖測試能反映IGBT實際運行過程中電應(yīng)力嗎?
通常情況下,為了測試器件的動態(tài)特性,我們都會搭建一個通用的雙脈沖測試平臺。測試平臺的功率回路部分包含了疊層母排、母線電容、待測功率器件和驅(qū)動電路。雙脈沖...
雙脈沖測試是否能夠反映器件在真實換流中的各種電應(yīng)力
大家好,前段時間在知乎上看到有個網(wǎng)友問:“在大功率變頻器應(yīng)用中,我們常用雙脈沖測試評估器件的動態(tài)特征,在實際中有可比性嗎?”感覺這個問題提的比較好,也是...
IGBT 和 SiC 電源開關(guān)有哪些市場和應(yīng)用? 高效的電源轉(zhuǎn)換在很大程度上取決于系統(tǒng)中使用的功 率半導(dǎo)體器件。由于功率器件技術(shù)不斷改進(jìn),大功率應(yīng) 用的...
2022-03-18 標(biāo)簽:IGBT電源開關(guān)SiC 8342 0
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