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      標簽　>　igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3068個 瀏覽：254480次 帖子：483個

      igbt資訊

      IGBT單管和模塊的對比和分析

      最近很多朋友和我聊到IGBT單管和模塊的區(qū)別，優(yōu)缺點對比等。本人從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)十幾年有余，對單管和模塊都有一定的應用，開發(fā)過的產(chǎn)品包括工頻塔式機U...

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      關于IGBT的問題

      2025年預測電動車國內(nèi)市場達到100-150億以上；2019-2020年新能源汽車銷量沒怎么漲，但是2020年10月開始又開始增長，一輛車功率半導體價...

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