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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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2023年11月28日,由北京市科學(xué)技術(shù)委員會、北京市經(jīng)濟(jì)和信息化局指導(dǎo),由北京經(jīng)開區(qū)管委會主辦,蓋世汽車承辦,國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心提供支持的“芯...
作為功率半導(dǎo)體器件的重要成員,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)以其卓越的開關(guān)能力和放大特性,在眾多家用電器設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的角色,有效提升能效和性能。...
絕對最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對最大額定值 絕對最大額定值是指在任何工作條件下,設(shè)備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGB...
國內(nèi)各家(英飛凌、安森美)車載IGBT的產(chǎn)品性能上的對比情況車載IGBT分為幾個層級,主要分為A0/A00級以下,A級車,還有一些專用車?yán)缥锪骱痛蟀蛙?..
2023-11-23 標(biāo)簽:英飛凌IGBT功率半導(dǎo)體 1774 0
IGBT的失效模式與失效機(jī)理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件...
功率半導(dǎo)體冷知識之二:IGBT短路時(shí)的損耗
功率半導(dǎo)體冷知識之二:IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 標(biāo)簽:IGBT損耗功率半導(dǎo)體 1064 0
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管
場效應(yīng)管與igbt管區(qū)別 怎樣區(qū)分場效應(yīng)管與IGBT管? 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和絕緣柵雙極型晶體管(I...
2023-11-22 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT晶體管 1.1萬 0
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