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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3070個 瀏覽：254519次 帖子：483個

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      2023-10-22 標簽：二極管IGBT 2478 0

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      隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領域的核心元件。目前我國新能源汽車快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國最重要的應用領域...

      2023-10-21 標簽：電動汽車新能源IGBT 2257 0

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      2023-10-19 標簽：IGBT電源電壓IGBT模塊 5750 0

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      2023-10-19 標簽：IGBT晶體管驅動電壓 2.4萬 0

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      2023-10-19 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1.4萬 0

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