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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
額外的電路通常比專(zhuān)用 SiC 占用更多的空間。因此,高端設(shè)計(jì)通常選擇專(zhuān)用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器,這會(huì)考慮到更快的開(kāi)關(guān)、過(guò)壓條件以及噪聲和 EMI 等問(wèn)題...
通過(guò)目視檢查、測(cè)量電氣參數(shù)、評(píng)估柵極驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)特性以及在應(yīng)力條件下進(jìn)行測(cè)試,可以識(shí)別潛在故障。然而,這種萬(wàn)用表測(cè)試只能提供有關(guān) IGBT 功能的有限信息...
絕緣柵雙極晶體管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT)是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件,融合了MOSFET的快速開(kāi)關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路和有利的熱特性等優(yōu)點(diǎn),同...
2023-09-21 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng) 3017 0
逆變器IGBT模塊的使用分析,各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)
逆變器IGBT模塊的應(yīng)用分析(1)根據(jù)負(fù)載的工作電壓和額定電流,以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。使用模塊前,請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開(kāi)關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。 MOSFET 是一種四端子器件,具有源極 (...
分立式 IGBT 是現(xiàn)代基于逆變器的電磁烹飪產(chǎn)品的首選電源開(kāi)關(guān)。隨著能源成本持續(xù)上升以及消費(fèi)者對(duì)更小型烹飪解決方案的需求增加,IGBT 技術(shù)必須不斷發(fā)展...
高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試,具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極...
2023-09-19 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT 1382 0
意法半導(dǎo)體1350V新系列IGBT晶體管提高耐變性和能效
2023 年 9 月 11 日,中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶...
2023-09-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT晶體管 535 0
IGBT 通常不用于變頻器整流器前端。變頻器整流器通常使用 SCR 或類(lèi)似的較慢開(kāi)關(guān)組件。SCR 的優(yōu)勢(shì)在于,其設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,在輸入電壓質(zhì)量可變的情況下更...
新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng),而30A NG...
IGBT的應(yīng)用場(chǎng)景與應(yīng)用實(shí)例
自20世紀(jì)80年代末開(kāi)始工業(yè)應(yīng)用以來(lái),IGBT(絕緣柵雙極晶體管)經(jīng)歷了快速發(fā)展。它不僅取代了工業(yè)應(yīng)用中的MOS、GTR等器件,也逐漸取代了消費(fèi)電子應(yīng)用...
示波器探頭在半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)測(cè)量的應(yīng)用
在能源問(wèn)題日益突出的現(xiàn)代,以IGBT為代表的功率半 導(dǎo)體器件以其優(yōu)良的能效轉(zhuǎn)換性能廣發(fā)應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。正確的IGBT測(cè)試技術(shù),不僅能準(zhǔn)確的測(cè)量IGB...
IGBT的密勒電容隨著直流母線電壓的大小怎樣變化? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛...
歐盟提出力爭(zhēng)在2030年前將碳排放水平降低62%。也就是說(shuō),要在7年時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。顯然,全球朝著可再生能源邁進(jìn)已成必然趨勢(shì),全世界都在探索如何利用...
搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度
繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶認(rèn)可后,英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片,并將...
選型IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要任務(wù),因?yàn)檎_的IGBT選擇對(duì)于設(shè)備性能和可靠性至關(guān)重要。本文將介紹如何選擇適合您應(yīng)用的IGBT,...
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代,當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性,尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。IGB...
新能源汽車(chē)(NEV)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)模塊市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)迅速增長(zhǎng)。在北美(NA)地區(qū),電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)的不斷采用推動(dòng)了對(duì)IGBT模...
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源IGBT 1604 0
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