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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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如何計(jì)算驅(qū)動芯片的desat保護(hù)時間
SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多,英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間,Easy模塊保證2us的短路時間,因此要求驅(qū)動電...
半導(dǎo)體未來風(fēng)向如何,功率IGBT又應(yīng)用于什么行業(yè)。
2020年下半年開始全球疫情帶來的居家隔離和遠(yuǎn)程辦公的需求催生了PC和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,同時“雙碳”政策下電動車和光伏發(fā)電領(lǐng)域?qū)τ诠β拾雽?dǎo)體的需求井噴,...
陸芯:單管IGBT-YGQ100N65FP 650V 100A TO247-PLUS
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
2022-05-19 標(biāo)簽:IGBT 1683 0
陸芯:單管-IGBT YGW25N135F1A 1350V 25A替代英飛凌IHW20N135R3 IHW20N135R5
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
2022-05-24 標(biāo)簽:IGBT 6046 0
陸芯:IGBT模塊 LGM100HF120S2F1A 1200V 100A 半橋 用于工業(yè)變頻 儲能 焊機(jī)等
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
2022-05-24 標(biāo)簽:IGBT 1787 0
陸芯:IGBT模塊 LGM200HF120S4F1A 1200V 200A 半橋 用于ups 儲能 焊機(jī)等
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
陸芯:IGBT模塊 LGM40HF120S2F2A 1200V 40A 半橋 用于焊機(jī) 開關(guān)電源 ups 儲能 等
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān),從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間,就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣,過短的開通脈沖可能會引起過高的電...
2022-05-26 標(biāo)簽:IGBT 3276 0
陸芯IGBT-規(guī)格書列表:單管、模塊、SiC混合型、PIM功率集成模塊用于新能源電動汽車、電機(jī)驅(qū)動、高頻電源、
上海陸芯電子科技有限公司擁有最新一代TrenchField-Stop技術(shù)的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1...
2022-05-26 標(biāo)簽:IGBT 3329 0
新品 | CIPOS? Tiny 600V 15A三相IPM
新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝,...
IGBT驅(qū)動需要電流:IGBT是一種電壓驅(qū)動的電子開關(guān),正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通,實(shí)際器件的驅(qū)動是給柵極端口電容充放電,還是需要電流的。...
2022-04-16 標(biāo)簽:IGBT 2557 0
先說結(jié)論,如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來說,很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看...
2022-05-19 標(biāo)簽:IGBT 1988 0
陸芯:YGW40N120FP YGW40N120T2 YGW40N120T3替代IKW40N120H3 IKW40N120T2
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2022-05-19 標(biāo)簽:IGBT 2615 0
近年來IGBT的可靠性問題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注,特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板...
2022-04-08 標(biāo)簽:IGBT 2371 0
陸芯Gen2 IGBT產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證
盡管當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于下行周期,總體市場氛圍需求不振,但依然存在IGBT等少數(shù)供不應(yīng)求的領(lǐng)域。消息稱,英飛凌、意法半導(dǎo)體國外大廠IGBT交期均在50...
2023-06-19 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)IGBT陸芯科技 922 0
到2030年,汽車電源市場(包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導(dǎo)體)的收入預(yù)計(jì)將達(dá)到266億美元,幾乎是今年收入的兩倍。未來五年,車用功率芯片市...
在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以類似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN(氮化鎵)功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。
IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導(dǎo)型器件,被譽(yù)為電力電子行業(yè)的 “CPU”。IGBT代表絕緣柵雙極型晶體管,是國際公認(rèn)的電力電子技術(shù)的第三次革命最具代表...
華潤微IGBT產(chǎn)品逐漸成為汽車行業(yè)的新寵
在電動汽車領(lǐng)域,IGBT技術(shù)被廣泛應(yīng)用于電動驅(qū)動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換和控制。據(jù)華潤微最近的投資者調(diào)研表示,預(yù)計(jì)今年該公司的模塊產(chǎn)品將進(jìn)入汽車主驅(qū)應(yīng)...
2023-06-15 標(biāo)簽:電動汽車IGBT驅(qū)動系統(tǒng) 1042 0
薩科微推出“slkor”SL40T120FL系列IGBT單管和SLA333系列CMOS運(yùn)放等新產(chǎn)品
薩科微(www.slkormicro.com)半導(dǎo)體最近推出了IGBT單管SL40T120FL系列,該型號功率(Pd)可達(dá)417W、集射極擊穿電壓(Vc...
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