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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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第二季度半導(dǎo)體庫存降底 車規(guī)MCU和IGBT交貨時間延長
報告指出,由于2023年第二季度的需求反彈,且代工廠和半導(dǎo)體供應(yīng)商的生產(chǎn)節(jié)流,預(yù)計該指數(shù)將大幅下行。不過,該指數(shù)將在整個2023年保持在盈余區(qū)域(庫存量...
根據(jù)官方海關(guān)數(shù)據(jù),中國的芯片進(jìn)口在 2023 年前五個月下降了近 20%,原因是在地緣政治摩擦愈演愈烈的情況下,中國與韓國和日本的貿(mào)易萎縮。
2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長
研究機(jī)構(gòu)TECHCET日前預(yù)測,盡管全球經(jīng)濟(jì)普遍放緩,但2023年SiC襯底市場將持續(xù)強(qiáng)勁增長。
功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的?
隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲等服務(wù)提供支持,處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大,電力需求也隨之增長。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下,如何...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器IGBT 696 0
但與此同時,摩根士丹利發(fā)布報告指出,PC半導(dǎo)體上半年的強(qiáng)勁補(bǔ)貨已反映在股價上。如果終端需求沒有復(fù)甦,下半年展望將更加疲軟,成長動能將減弱。因此,大摩調(diào)降...
FHF20T60A型號IGBT適用于吹葉機(jī)電機(jī)驅(qū)動電路,能替代國內(nèi)知名品牌
當(dāng)然,在應(yīng)用中,我們電機(jī)驅(qū)動研發(fā)工程師一定要了解這款優(yōu)質(zhì)FHF20T60A國產(chǎn)IGBT單管的詳細(xì)參數(shù):其具有20A, 600V, VCEsat典型值:1...
2023-05-30 標(biāo)簽:二極管電機(jī)驅(qū)動IGBT 1061 0
2023年5月25日,在杭州舉行的 CAPS2023 功率半導(dǎo)體之“芯“ 頒獎典禮上, 陸芯科技榮獲了車規(guī)級IGBT最佳工藝解決方案獎! 「車規(guī)級IGB...
2023-05-29 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體汽車半導(dǎo)體 1626 0
盡管IGBT客戶和訂單規(guī)模在增長,但到下游晶圓代工廠的產(chǎn)能調(diào)節(jié)仍需要時間,晶圓代工廠的產(chǎn)能主要集中在訂單規(guī)模大且穩(wěn)定的消費電子產(chǎn)品上。短期內(nèi),IGBT的...
士蘭微:主要產(chǎn)品滿產(chǎn)、消費類產(chǎn)品承壓,國內(nèi)8吋IGBT襯底產(chǎn)量不夠分
受外部需求放緩影響,士蘭微(600460.SH)2022年度營收只完成計劃的82.82%。此外,公司增收不增利,凈利下降趨勢延續(xù)至今年Q1。 在昨日舉行...
意法半導(dǎo)體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片,保護(hù)功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC和GaN晶體管柵極驅(qū)動
意法半導(dǎo)體發(fā)L6983i10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。
2023-05-19 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體DC-DCIGBT 1228 0
igbt在電動汽車上的作用 IGBT是一種由控制電路控制、是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體;由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2498 0
igbt和mos管怎么區(qū)分 一說到開關(guān),大家都不陌生,如我們家里的燈開關(guān)、家用電器的開關(guān)等,這些開關(guān)都是可以用手控制的,按一下就開,按一下又關(guān)。 然而,...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 1776 0
igbt和mos管的優(yōu)缺點 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2238 0
隨著全球電氣化技術(shù)的快速發(fā)展,對功率模塊的需求已經(jīng)達(dá)到了前所未有的程度,相關(guān)產(chǎn)品的市場規(guī)模急劇擴(kuò)大,幾乎超出了芯片制造商的產(chǎn)能提升速度。
SCT51240—單通道下管IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器
芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅(qū)動器,適用于功率MOSFET,IGBT和寬禁帶器件,例如氮化鎵功率器件等驅(qū)動。 提供高達(dá)...
賽米控丹佛斯與羅姆在IGBT多源供應(yīng)方面進(jìn)一步加強(qiáng)合作 賽米控丹佛斯(總部位于德國紐倫堡)和全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)在開發(fā)SiC(...
車規(guī)級半導(dǎo)體之爭中,國產(chǎn)IGBT大廠搶占未來三年
新能源汽車電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中電機(jī)控制器最廣泛的解決方案是采用IGBT。多個IGBT芯片集成封裝在一起,形成一個IGBT模塊,具有更高的功率和更強(qiáng)的散熱能力。
中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的現(xiàn)狀與趨勢
半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域也同樣如此,最近二十年周期性正在減弱,得益于各類電子終端的芯片需求,智能化,網(wǎng)聯(lián)化,AIOT 的發(fā)展,行業(yè)規(guī)模連續(xù)四年大幅增長。
2023-04-13 標(biāo)簽:mcuIGBT半導(dǎo)體設(shè)備 4481 0
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