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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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英飛凌在線仿真平臺(tái)IPOSIM新推出壽命評(píng)估服務(wù)
為了計(jì)算IGBT的功率循環(huán)壽命,英飛凌在線仿真平臺(tái)IPOSIM新推出了壽命評(píng)估服務(wù),只需輕輕點(diǎn)擊幾次,即可獲取功率模塊的壽命。
基于IGBT技術(shù)的逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)方案
從金屬加工到汽車制造,從鐵路建設(shè)到輪船建造,人們利用焊接技術(shù)和焊接設(shè)備將各種材料連接拼合,打造出一件件工業(yè)藝術(shù)品,因此,電焊機(jī)也被工業(yè)從業(yè)者們稱為&qu...
IGBT保護(hù)技術(shù)在光伏逆變器的應(yīng)用
光伏逆變器是光伏系統(tǒng)非常重要的一個(gè)設(shè)備,主要作用是把光伏組件發(fā)出來(lái)的直流電變成交流電,除此之外,逆變器還承擔(dān)檢測(cè)組件、電網(wǎng)、電纜運(yùn)行狀態(tài),和外界通信交流...
IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGB...
2022-03-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)IGBT 6470 0
英飛凌推出全新車規(guī)級(jí)750 V EDT2 IGBT,適用于分立式牽引逆變器
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對(duì)分立式汽車牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化,進(jìn)一步豐富了英飛凌車規(guī)級(jí)分立式高壓器...
GE專注于航空醫(yī)療和能源等行業(yè)_富士電機(jī)擴(kuò)容分立IGBT XS系列產(chǎn)品線
2021年11月9日,波士頓——GE宣布,計(jì)劃通過(guò)以下方式分別組建三家行業(yè)領(lǐng)先的全球上市公司,專注于航空、醫(yī)療和能源等增長(zhǎng)型行業(yè)
群創(chuàng)光電InnoLED引領(lǐng)Esports電競(jìng)螢?zāi)籣環(huán)旭電子預(yù)計(jì)在2022量產(chǎn)IGBT與SiC電源模塊
群創(chuàng)新一代「InnoLED技術(shù)」業(yè)界首發(fā)27吋 1440p IGZO 300hz miniLED 電競(jìng)面板,搭配NVIDIA創(chuàng)新Esports 規(guī)格,并...
根據(jù)IGBT的等效電路圖可知,若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得...
測(cè)量IGBT開(kāi)關(guān)特性對(duì)電流探頭的要求
市面上適用于電力電子領(lǐng)域測(cè)量的電流探頭有許多,根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的對(duì)波形的測(cè)量非常重要?,F(xiàn)代的IGBT器件不斷地向著大電流密度和高頻率應(yīng)用這兩個(gè)方向發(fā)...
英飛凌推出EiceDRIVER? F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器,為電力電子系統(tǒng)提供全面的短路保護(hù)
EiceDRIVER F3增強(qiáng)型系列柵極驅(qū)動(dòng)器采用爬電距離為8mm的DSO 16 300 mil寬體封裝。這款單路隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有高達(dá)300 kV/u...
2022-03-10 標(biāo)簽:英飛凌IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1061 0
儲(chǔ)能點(diǎn)焊機(jī)設(shè)備安裝注意事項(xiàng)
斯特科技精密儲(chǔ)能系列點(diǎn)焊機(jī)是目前先進(jìn)水平高性能儲(chǔ)能點(diǎn)焊機(jī),采用高性能CPU控制,原裝進(jìn)口IGBT放電控制模塊,進(jìn)口薄膜電容,藍(lán)光LCD大液晶屏顯示,焊接...
賽昉科技SoC于22年第二季度量產(chǎn) 翠展微電子打造國(guó)產(chǎn)IGBT新名片
近日,賽昉科技參加了在上海臨港舉辦的首屆滴水湖中國(guó)RISC-V產(chǎn)業(yè)論壇,并且參與了演講和圓桌論壇環(huán)節(jié)。
地鐵儲(chǔ)能方法對(duì)比:逆變回饋型與超級(jí)電容儲(chǔ)能型
城市軌道交通系統(tǒng)中,其運(yùn)行工況特點(diǎn)為頻繁啟動(dòng)與制動(dòng),啟動(dòng)時(shí)消耗大量電網(wǎng)電能,而制動(dòng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生可觀的再生電能。一般來(lái)說(shuō),地鐵車輛在制動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的能量約占牽引能...
你還在用傳統(tǒng)的導(dǎo)熱硅脂加絕緣片來(lái)解決交流電機(jī)IGBT散熱問(wèn)題么?趕緊換方案吧,其實(shí)導(dǎo)熱絕緣片替代傳統(tǒng)導(dǎo)熱硅脂加絕緣片方案完美解決IGBT散熱問(wèn)題已經(jīng)被廣...
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件,因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很,...
下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)--環(huán)氧灌封技術(shù)
國(guó)內(nèi)下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì);在電力電子風(fēng)電新能源車用1200V以上領(lǐng)域;高耐熱低熱膨脹低收縮性液態(tài)環(huán)氧正在逐步取代硅膠灌封
如何通過(guò)設(shè)計(jì)確保IGBT并聯(lián)均流措
由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對(duì)稱等,必引起器件電流分配不均,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過(guò)設(shè)計(jì)...
高電壓大電流IGBT靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見(jiàn)的功率器件,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了...
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