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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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錦浪科技入選2024年度質(zhì)量提升與品牌建設(shè)典型案例
近日,工業(yè)和信息化部辦公廳公布了2024年度質(zhì)量提升與品牌建設(shè)典型案例名單,錦浪科技股份有限公司的“IGBT全工況檢測(cè)系統(tǒng)提升核心器件可靠性”成功入選質(zhì)...
隨著時(shí)代的發(fā)展,我國(guó)的工業(yè)機(jī)械也在不斷進(jìn)步,應(yīng)運(yùn)而生的是交流變頻變壓電源產(chǎn)品,本款電源產(chǎn)品采用SPWM硬件調(diào)控技術(shù),大功率IGBT驅(qū)動(dòng),輸出純凈的正弦波...
新品 | 670V TRENCHSTOP? IGBT7 PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝
670VTRENCHSTOPIGBT7PR7帶反并聯(lián)二極管TO-247-3大爬電距離和電氣間隙封裝該產(chǎn)品專(zhuān)門(mén)針對(duì)RAC/CAC和HVAC等升壓PFC電路...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器概述
意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率開(kāi)關(guān)柵極驅(qū)動(dòng)器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。
2025-01-09 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 649 0
本輪融資由國(guó)科長(zhǎng)三角資本領(lǐng)投,同鑫資本和銀茂控股等跟投,本輪融資資金將主要用于新產(chǎn)線建設(shè)、新設(shè)備購(gòu)置以及新產(chǎn)品研發(fā),以全面提升翠展微在IGBT模塊領(lǐng)域的...
佳恩半導(dǎo)體IGBT項(xiàng)目科技成果達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平
日前,中科知慧(北京)科技成果評(píng)價(jià)有限公司組織專(zhuān)家,對(duì)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究與應(yīng)用”項(xiàng)目科技成果進(jìn)行了評(píng)審。...
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)精彩回顧
為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝柵場(chǎng)截止(FS)工藝,為工業(yè)應(yīng)用...
2025-01-06 標(biāo)簽:封裝IGBT安世半導(dǎo)體 639 0
新品 | 3300V,1200A IGBT4 IHV B模塊
3300V,1200AIGBT4IHVB模塊知名的IHVB3.3kV單開(kāi)關(guān)IGBT模塊經(jīng)過(guò)了重大改進(jìn),以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用(如中壓傳動(dòng)或HVDC)當(dāng)前和...
深度應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域的IGBT晶圓
中等功率驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用場(chǎng)景?包括各種工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中對(duì)電機(jī)運(yùn)動(dòng)精度和效率要求較高的場(chǎng)合,如機(jī)床加工、自動(dòng)化生產(chǎn)線、物流運(yùn)輸?shù)取?/p>
全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控!
BASiC?基半股份一級(jí)代理商全力推進(jìn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代IGBT模塊,實(shí)現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級(jí)和自主可控! 為什么在儲(chǔ)能變流器PCS應(yīng)...
長(zhǎng)周期認(rèn)證下的IGBT封裝:先發(fā)企業(yè)的優(yōu)勢(shì)與后來(lái)者的困境
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。然而,IGBT功率模塊的封裝技術(shù)卻面...
SiC市場(chǎng)激烈,萬(wàn)年芯在碳化硅領(lǐng)域的深耕與展望
2024年進(jìn)入尾聲,中國(guó)碳化硅(SiC)卻迎來(lái)一波“新陳代謝”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工廠建成投產(chǎn);后有老玩家退場(chǎng)-世紀(jì)金光破產(chǎn)清算。碳化硅行業(yè)...
陸芯科技正式推出650V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGW40N65FMA1,產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench GEN3平臺(tái)TO24...
陸芯科技榮獲功率器件-IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
由21世紀(jì)電源網(wǎng)在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,陸芯科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的激烈競(jìng)...
2024-12-12 標(biāo)簽:IGBT功率器件功率半導(dǎo)體 2966 0
Microchip 推出全新IGBT 7元件組合,滿足高增長(zhǎng)市場(chǎng)需求
近日,Microchip Technology公司宣布推出其最新的IGBT 7元件組合,該系列產(chǎn)品專(zhuān)為支持多種電力拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)而設(shè)計(jì),涵蓋了廣泛的電流和電壓范圍。
芯長(zhǎng)征科技榮獲功率器件IGBT行業(yè)卓越獎(jiǎng)
在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上,芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過(guò)近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審...
APSME 2025|抓機(jī)遇,促發(fā)展——共創(chuàng)功率半導(dǎo)體行業(yè)新篇章
功率半導(dǎo)體,又稱(chēng)電力電子器件或功率電子器件,是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類(lèi)器件之一,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、新能源發(fā)電和電能質(zhì)量管理、汽車(chē)電子和汽車(chē)充電樁等領(lǐng)域...
2024-12-26 標(biāo)簽:汽車(chē)電子IGBT功率半導(dǎo)體 634 0
東芝RC結(jié)構(gòu)分立IGBTGT30J65MRB:提升空調(diào)與工業(yè)設(shè)備能效的可靠伙伴
當(dāng)前,高功率工業(yè)設(shè)備及家用電器領(lǐng)域正面臨著前所未有的效率挑戰(zhàn)。變頻空調(diào)的廣泛應(yīng)用以及工業(yè)設(shè)備對(duì)低功耗大型電源的迫切需要,使市場(chǎng)對(duì)于高效能開(kāi)關(guān)器件的需求日...
納芯微推出智能隔離柵極驅(qū)動(dòng)器NSI67X0系列
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅(qū)動(dòng) NSI67X0 系列,該系列適用于驅(qū)動(dòng) SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車(chē)規(guī)等級(jí)(...
2024-12-09 標(biāo)簽:傳感器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 850 0
安世半導(dǎo)體650V IGBT網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)前瞻
IGBT是中高壓應(yīng)用的主要器件。為滿足越來(lái)越多的對(duì)穩(wěn)健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進(jìn)的載流子儲(chǔ)存溝...
2024-12-09 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Nexperia 674 0
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