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      標(biāo)簽　>　LDMOS

      LDMOS

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      LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。

      文章：38個(gè) 瀏覽：25703次 帖子：22個(gè)

      ldmos技術(shù)

      LDMOS簡(jiǎn)介及其技術(shù)詳解

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      LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...

      2017-12-08 標(biāo)簽：ldmos 6.8萬(wàn) 0

      高功率寬帶放大器應(yīng)該如何設(shè)計(jì)？如何選取合適的寬帶放大器？

      高功率寬帶放大器的設(shè)計(jì)是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作，工程師需要在多個(gè)相互對(duì)立的設(shè)計(jì)參數(shù)之間進(jìn)行折中。對(duì)于一個(gè)放大器用戶來(lái)說(shuō)，不論是初始投資還是以后的運(yùn)行成本...

      2018-08-18 標(biāo)簽：晶體管寬帶放大器LDMOS 1.1萬(wàn) 0

      一種快速有效的寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

      針對(duì)LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計(jì)， 提出了一種快速、有效的方法。采用多節(jié)并聯(lián)導(dǎo)納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后， 利用ADS軟件對(duì)匹配網(wǎng)絡(luò)的S...

      2017-11-30 標(biāo)簽：功率放大器ldmosmrf281z 1.1萬(wàn) 0

      LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

      LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

      LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件，主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域，可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。

      2023-12-06 標(biāo)簽：ESD功率器件LDMOS 7863 0

      5G帶動(dòng)GaN崛起,LDMOS依然有優(yōu)勢(shì)

      5G帶動(dòng)GaN崛起,LDMOS依然有優(yōu)勢(shì)

      高功率放大器（HPA）通常用于國(guó)防、航空航天和氣象雷達(dá)等，從早期的分立或集成RF功率晶體管開(kāi)始，一直到現(xiàn)在，已經(jīng)有好幾種有源器件半導(dǎo)體技術(shù)用于放大脈沖和...

      2019-01-16 標(biāo)簽：GaNLDMOS5G 7215 0

      功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)

      功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)

      通常采用半絕緣多晶硅（Semi-Insulating Polycrystalline Silicon，SIPOS），其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連，因?yàn)?..

      2023-11-30 標(biāo)簽：集成電路MOSFET功率器件 5861 0

      LDMOS的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)

      LDMOS，全稱(chēng)為L(zhǎng)ateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor（側(cè)向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體），是一...

      2024-08-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管LDMOS 5289 0

      恩智浦針對(duì)蜂窩放大器的不同解決方案（二）

      蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求，例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會(huì)將討論恩智浦針對(duì)不同應(yīng)用的不同射頻功率解決方案，包括PA的關(guān)健考慮點(diǎn)(從客戶...

      2018-06-28 標(biāo)簽：nxprfldmos 3392 0

      使用DS4303偏置LDMOS射頻功率放大器

      使用DS4303偏置LDMOS射頻功率放大器

      LDMOS射頻功率放大器以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本提供出色的性能，從而主導(dǎo)了GSM和CDMA基站市場(chǎng)。

      2023-01-13 標(biāo)簽：射頻功率放大器dac 3075 0

      MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應(yīng)用電路圖及其特性概述

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      2023-02-17 標(biāo)簽：電路圖封裝引腳圖 1975 0

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      ldmos資訊

      LDMOS和VDMOS

      LDMOS和VDMOS

      DMOS主要有兩種類(lèi)型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管LDMOSFET。

      2011-12-01 標(biāo)簽：VDMOSLDMOS 4.0萬(wàn) 0

      LDMOS器件靜電放電失效原理

      LDMOS器件靜電放電失效原理

      通過(guò)對(duì)不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對(duì)比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢(shì)。

      2011-12-01 標(biāo)簽：靜電放電LDMOS 1.1萬(wàn) 0

      LDMOS結(jié)構(gòu)/優(yōu)點(diǎn)

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      LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...

      2011-12-01 標(biāo)簽：LDMOS 1.1萬(wàn) 0

      從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年

      “現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口，但只有三年?！蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示，在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年，能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn)，抓住5G基站建...

      2018-10-19 標(biāo)簽：氮化鎵LDMOS 8049 0

      GaN步步緊逼，LDMOS路在何方？

      GaN步步緊逼，LDMOS路在何方？

      在射頻和功率應(yīng)用中，氮化鎵（GaN）技術(shù)正在變得日益盛行。

      2019-01-19 標(biāo)簽：射頻氮化鎵LDMOS 7401 0

      超耐用LDMOS提升功率：恩智浦發(fā)布BLF188XR

      恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

      2013-08-13 標(biāo)簽：LDMOS射頻功率晶體管BLF188XR 4729 0

      LDMOS的性能與制造工藝

      與雙極型晶體管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可達(dá)14dB以上，而雙極型晶體管在5~6dB

      2011-12-01 標(biāo)簽：LDMOS 4454 0

      電源控制芯片中的過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)

      電源控制芯片中的過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)

      本文介紹采用直接檢測(cè)LDMOS 漏端電壓來(lái)判斷其是否過(guò)流的設(shè)計(jì)方案，給出了電路結(jié)構(gòu)。通過(guò)電路分析，并利用BCD 高壓工藝，在cadence 環(huán)境下進(jìn)行電...

      2011-10-20 標(biāo)簽：過(guò)流保護(hù)LDMOS 3697 0

      5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場(chǎng)

      來(lái)源：RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署，使得在基站中大量使用的功率放大器（PA,簡(jiǎn)稱(chēng)功放）芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長(zhǎng)，成為各家射頻公司爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。 在...

      2022-12-01 標(biāo)簽：GaNLDMOS5G 3513 0

      到2025年，整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元

      到2025年，整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元

      報(bào)告指出，自 20 年前首款商用產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE...

      2020-09-21 標(biāo)簽：GaNLDMOS5G 2879 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        驍龍
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      • Cortex-A
        Cortex-A
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      • Mobileye
        Mobileye
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