講講“熱插拔”的特性和芯片應(yīng)用

隨著人類生活對(duì)現(xiàn)代通信技術(shù)的依賴程度越來越高，人們對(duì)電源系統(tǒng)的可靠性也提出了越來越嚴(yán)苛的要求，工作系統(tǒng)短暫的中斷，也會(huì)給我們?cè)斐蔁o法估量的損失。

2023-12-28 標(biāo)簽：連接器MOS管熱插拔 4319 0

mos管損壞的原因分析

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬M(fèi)OS管（Metal-Oxide-Se...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管靜電放電 3920 0

mos管三個(gè)引腳要怎么區(qū)分

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種廣泛應(yīng)用在電子電路中的半導(dǎo)體器件，它有三個(gè)引腳：源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。這三個(gè)引腳...

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSFET示波器MOS管 8113 0

MOS管擴(kuò)流穩(wěn)壓電路介紹

MOS管擴(kuò)流穩(wěn)壓電路、其主要作用是將輸入的低壓直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為高壓、大功率的脈沖信號(hào)。這種電路具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、響應(yīng)速度快、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，因此在電力電子技術(shù)...

2023-12-28 標(biāo)簽：保護(hù)電路MOS管穩(wěn)壓電路 7811 0

MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？

以NMOS為例，如上圖，S和D都是摻雜濃度比較高的N型半導(dǎo)體，襯底為P型半導(dǎo)體，并且襯底和S極是接到一起的。 在Vgs電壓大于門限電壓Vth時(shí)，也就是柵...

2023-12-27 標(biāo)簽：電流MOS管NMOS 5943 0

基于運(yùn)放和三極管組成的恒流源電路圖

此電路看似簡(jiǎn)單，實(shí)際原理是當(dāng)采樣電阻R4的電壓變化時(shí)，直接反饋到運(yùn)放的反相輸入端，它與同相輸入端電壓的差值被運(yùn)放放大，輸出控制三極管的基極電流，改變?nèi)龢O...

2023-12-26 標(biāo)簽：三極管電流負(fù)載電流 6022 1

淺析一個(gè)恒流輸出電源傳導(dǎo)、輻射超標(biāo)解決案例

在最初的設(shè)計(jì)中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測(cè)試元件，預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測(cè)試元件

2023-12-26 標(biāo)簽：變壓器MOS管輸出電壓 1543 0

使用三極管搭建電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路

控制直流電機(jī)，需要直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)，無非是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)和轉(zhuǎn)速。

2023-12-25 標(biāo)簽：直流電機(jī)MOS管驅(qū)動(dòng)電路 4703 0

如何用萬用表測(cè)mos管的好壞

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件，它具有高輸入阻抗、低噪聲、低功耗等特點(diǎn)。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要對(duì)MOS管...

2023-12-30 標(biāo)簽：萬用表MOS管晶體管 1.7萬 0

求一種1800W雙通道功放MOS管應(yīng)用方案

2023年是演藝表演恢復(fù)增長(zhǎng)的重要一年，僅上半年全球范圍的演唱會(huì)數(shù)量同比增長(zhǎng)30%。這意味著將帶動(dòng)上下游的產(chǎn)業(yè)，其中舞臺(tái)音響功放就是一個(gè)核心的增長(zhǎng)極。對(duì)...

2023-12-24 標(biāo)簽：二極管MOS管音響功放 2236 0

3000W舞臺(tái)音響功放MOS管應(yīng)用方案介紹

上文我們講述了1800W雙通道功放MOS管應(yīng)用方案，本文我們?nèi)匀焕^續(xù)展開舞臺(tái)音響功放的應(yīng)用講述。

2023-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 3328 0