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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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電機(jī)驅(qū)動(dòng)硬件電路分析

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電機(jī):俗稱“馬達(dá)”,為英語motor的音譯,即為電動(dòng)機(jī)、發(fā)動(dòng)機(jī)。工作原理為通過通電線圈在磁場中受力轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)起動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)子上的小齒輪帶動(dòng)發(fā)動(dòng)機(jī)飛輪旋轉(zhuǎn)。

2023-10-23 標(biāo)簽:三極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2453 0

FHL385N1F1A場效應(yīng)管在叉車電機(jī)控制中的應(yīng)用

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中國企業(yè)出海新一波浪潮正從綠色產(chǎn)業(yè)發(fā)力,正是由于電動(dòng)化以及鋰電化的推動(dòng),中國叉車的國際化進(jìn)程再次加速。意味著對于叉車的電機(jī)控制又將迎來一波增長,企業(yè)如何...

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杭州亞運(yùn)會(huì)雖然落下帷幕,但“西湖亞運(yùn)觀光車”的話題卻是熱度不減。觀光車作為旅游城市、旅游景點(diǎn)的必備。對于知名城市跟景點(diǎn)肯定都會(huì)選用優(yōu)質(zhì)的四輪觀光車,而電...

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1走線會(huì)引入寄生電感,且 走線越長,寄生電感越大。寄生電感與走線長度最具有相關(guān)性,走線寬度影響不如走線長度影響的多。走線不當(dāng)可能引起開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴,振鈴多...

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第二個(gè)作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在,當(dāng)我們斷電時(shí),由于這個(gè)寄生電容沒有放電路徑,這個(gè)MOS管還會(huì)處于一個(gè)導(dǎo)通狀態(tài),那么我們下次上電時(shí),這個(gè)...

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近日,在2023全球移動(dòng)寬帶論壇期間,華為首發(fā)5.5G產(chǎn)品解決方案,網(wǎng)絡(luò)能力提升10倍。網(wǎng)絡(luò)能力的進(jìn)一步提升,必將帶動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的增長。通信電源作為保...

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在充電市場中,PD電源以其產(chǎn)品的特點(diǎn)優(yōu)勢正在不斷的蠶食傳統(tǒng)的電源適配器的營銷份額,尤其是在手機(jī)端跟電腦端更為明顯。對于PD電源廠家該如何持續(xù)的提升自身產(chǎn)品力呢?

2023-10-20 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體場效應(yīng)管 777 0

FHL385N1F1A場效應(yīng)管在電池管理系統(tǒng)的應(yīng)用

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電池管理系統(tǒng)(BMS)作為儲(chǔ)能行業(yè)的中樞產(chǎn)品之一,電子工程師一定要關(guān)注385A、100V參數(shù)的mos管。畢竟該參數(shù)的MOS管是經(jīng)常有使用在電池管理系統(tǒng)中...

2023-10-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管電池管理系統(tǒng) 753 0

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當(dāng)前的新能源車的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)品,國內(nèi)外的模塊廠商已經(jīng)開發(fā)了很多,但是有一個(gè)模塊需...

2023-10-19 標(biāo)簽:芯片MOS管IGBT 4213 0

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標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝:就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個(gè)nmos然后再做一個(gè)N阱,再在N阱中摻入p+區(qū)形成PMOS。

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共源MOS放大器的CGD分布電容—極點(diǎn)裂變的效果

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根軌跡分析法是通用分析方法,不是具體的補(bǔ)償操作方法,下面介紹的極點(diǎn)分裂法是一種具體的電路操作方法

2023-10-18 標(biāo)簽:放大器MOS管等效電路 1661 0

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我們在使用精密運(yùn)放放大微弱信號(hào)時(shí),往往需要穩(wěn)定的高增益和極低的等效輸入噪聲,這時(shí)選擇的運(yùn)放未必能滿足要求,那這么辦?

2023-10-18 標(biāo)簽:MOS管JFET斬波運(yùn)放 1158 0

IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

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IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個(gè)P結(jié),即NPNP結(jié)構(gòu),在原理上是MOS推動(dòng)的P型BJT。

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二極管正向?qū)〞r(shí),電子存儲(chǔ)在P區(qū),空穴存儲(chǔ)在N區(qū),此現(xiàn)象叫做電荷存儲(chǔ)效應(yīng)。外加反向電壓時(shí),電子和空穴分別往相反方向移動(dòng),形成反向漂移電流,同時(shí)與其他多數(shù)...

2023-10-18 標(biāo)簽:二極管MOS管buck電路 5486 0

MOS管并聯(lián)工作原理和注意事項(xiàng) MOS管并聯(lián)方法電路圖

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并聯(lián)是元件之間的一種連接方式,其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接,同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式,即并聯(lián)電路。

2023-10-18 標(biāo)簽:串聯(lián)并聯(lián)電路圖 8198 0

LED模擬調(diào)光 VS 數(shù)字調(diào)的區(qū)別是什么

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根據(jù)響應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置基準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變,調(diào)節(jié)LED亮度

2023-10-17 標(biāo)簽:ledMOS管晶體管 1763 0

PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)之DC-DC轉(zhuǎn)換器

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走線寬度計(jì)算 使用計(jì)算出的電流、走線電阻和電壓降值,使用在線走線寬度計(jì)算器或考慮 PCB 銅厚度和材料的 PCB 設(shè)計(jì)軟件來計(jì)算所需的走線寬度。

2023-10-17 標(biāo)簽:電阻pcb轉(zhuǎn)換器 1075 0

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    μModule
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    MC34063A
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    單相電路里的兩根供電電線,一根叫火線(學(xué)名相線),另一根則叫零線(學(xué)名中性線)?;鹁€和零線的區(qū)別在于它們對地的電壓不同。如果火線和零線一旦碰起來,由于兩者之間的電壓等于220伏,而兩接觸點(diǎn)間的電阻幾乎等于零,這時(shí)的電流非常大,在火線和零線的接觸點(diǎn)處將產(chǎn)生巨大的熱量,從而發(fā)出電火花,火花處的溫度高到足以把金屬導(dǎo)線燒得熔化。
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