電源正負(fù)極防反接保護(hù)電路分析

電源防反接，應(yīng)該是很多電路場(chǎng)景下都會(huì)采取到此系列得設(shè)計(jì)。

2023-05-23 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路MOS管 2114 0

烙鐵頭有沒(méi)有熱電偶

我們的谷德海普的客服反饋，經(jīng)常遇到一些用戶(hù)詢(xún)問(wèn)到我們的烙鐵頭使用什么熱電偶型號(hào)。把客服問(wèn)懵了，烙鐵頭的生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中沒(méi)有使用到單獨(dú)的熱電偶呀，哪來(lái)的具體型...

2023-05-22 標(biāo)簽：熱電偶半導(dǎo)體可控硅 2818 0

7種直流恒流源電路分析

傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測(cè)量微小電阻一般也要用到恒流源。 恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負(fù)載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源...

2023-05-19 標(biāo)簽：傳感器三極管MOS管 8399 0

4種常見(jiàn)電源正負(fù)極接反燒板的解決方法

硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象，導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什么...

2023-05-19 標(biāo)簽：電源二極管保護(hù)電路 7943 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管SiC 7242 0

MOS管或IGBT管是車(chē)載充電機(jī)內(nèi)部重要元器件，兩者該如何辨別？

MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車(chē)載充電機(jī)、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。

2023-05-18 標(biāo)簽：元器件MOS管變換器 1416 0

公牛車(chē)充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451

在快節(jié)奏的生活中，手機(jī)已成為人們不可或缺的工具。對(duì)于經(jīng)常開(kāi)車(chē)出門(mén)的人來(lái)說(shuō)，在車(chē)上給手機(jī)充電已經(jīng)成為剛需，因此車(chē)載充電器是很多車(chē)主的不二之選，它能便捷地解...

2023-05-18 標(biāo)簽：芯片充電半導(dǎo)體 2237 0

功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見(jiàn)的電子元器件就是三極管和場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪...

2023-05-18 標(biāo)簽：三極管功率放大器場(chǎng)效應(yīng)管 2603 0

MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)介紹

文章主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。

2023-05-18 標(biāo)簽：MOS管微處理器絕緣柵 3808 0

二極管 VS MOS管，你的防反接保護(hù)電路選擇誰(shuí)？

通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。

2023-05-17 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路MOS管 3365 0

CDM防護(hù)措施以及設(shè)計(jì)思路

前幾期曾經(jīng)講過(guò)，對(duì)封裝后的芯片進(jìn)行CDM測(cè)試，大量非平衡載流子會(huì)通過(guò)金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一，恰宜的封裝能大幅度提升芯...

2023-05-16 標(biāo)簽：二極管ESDMOS管 9925 0

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開(kāi)關(guān)電路

MOS管開(kāi)關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開(kāi)關(guān)電路也主要分為兩種。

2023-05-16 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路MOS管漏極 2035 0

一文詳解MOS管的工作原理

mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...

2023-05-16 標(biāo)簽：模擬電路MOS管NMOS 1.2萬(wàn) 1

LM2675電源芯片的內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)

類(lèi)似于板級(jí)電路設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電源，芯片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個(gè)基準(zhǔn)電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。

2023-05-15 標(biāo)簽：MOS管晶體管恒流源 1512 0

電池管理系統(tǒng)的幾個(gè)硬件設(shè)計(jì)關(guān)鍵點(diǎn)

電池管理系統(tǒng)（Battery Management System，BMS）的作用是智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)放和過(guò)充，延長(zhǎng)電池的使用壽命

2023-05-15 標(biāo)簽：NTCMOS管電池管理系統(tǒng) 3408 0

半導(dǎo)體技術(shù)之?dāng)?shù)電門(mén)電路

三種基本運(yùn)算（與、或、非），復(fù)合邏輯計(jì)算（與非、或非、與或非、異或、同或），邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式，邏輯代數(shù)的基本定理（帶入定理、反演定理、對(duì)偶定...

2023-05-13 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體MOS管 770 0

簡(jiǎn)要描述離子注入的原理和優(yōu)缺點(diǎn)

離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性能的方法。它是一個(gè)物理過(guò)程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2023-05-12 標(biāo)簽：MOS管晶體管 1.1萬(wàn) 0

幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路

了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)...

2023-05-12 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路寄生電容 2115 0

分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2023-05-12 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)MOS管 3733 0

詳解分立元件搭建的自舉升壓電路

對(duì)于下管，由于S接地，只需要給G端12v，則下管就可以導(dǎo)通。

2023-05-11 標(biāo)簽：二極管升壓電路分立元件 5937 0